| Russian | English |
| ИС на приборах, работающих в режиме обеднения | depletion-mode integrated circuit |
| МОП-транзистор, работающий в режиме обеднения | depletion-mode MOS transistor |
| МОП-транзистор, работающий в режиме обеднения | depletion MOS transistor |
| МОП-транзистор, работающий в режиме обогащения | enhancement-mode MOS transistor |
| МОП-транзистор, работающий в режиме обогащения | enhancement MOS transistor |
| полевой транзистор, работающий в режиме обеднения | depletion FET |
| полевой транзистор, работающий в режиме обогащения | enhancement FET |
| полевой транзистор с изолированным затвором работающий в обеднении | depletion-type igfet |
| полевой транзистор с изолированным затвором работающий с обогащением | enhancement-type igfet |
| прибор, работающий в режиме обеднения | depletion device |
| прибор, работающий в режиме обогащения | enchancement device |
| работающий в режиме обеднения | normally turned-off |
| работающий в режиме обеднения | depletion-type |
| работающий в режиме обогащения | normally turned-on |
| работающий в режиме обогащения | enhancement-type |
| работающий по программе, хранимой во внутренней | internally programmed |
| связной контроллер, работающий с несколькими протоколами | multiprotocol communications controller |
| формирователь на транзисторах, работающих в режиме обеднения | depletion-mode drive |
| формирователь на транзисторах, работающих в режиме обогащения | enhancement-mode drive |
| электрод затвора МОП-транзистора, работающего в режиме обеднения | depletion-mode gate electrode |
| электрод затвора МОП-транзистора, работающего в режиме обогащения | enhancement-mode-gate electrode |
