| Russian | German |
| асимметричный полевой транзистор с управляющим pn-переходом | Planar-Sperrschichtfeldeffekttransistor |
| атомный переход | atomarer Übergang |
| барьерная ёмкость коллекторного перехода | Kollektorsperrschichtkapazitat |
| барьерная ёмкость эмиттерного перехода | Emittersperrschichtkapazität |
| бесфононный переход | phononenloser Übergang |
| варикап с обратносмещённым p-n-переходом | Sperrschichtvaraktor |
| вероятность спонтанного перехода | Wahrscheinlichkeit des spontanen Übergangs |
| вертикальный переход | vertikaler Übergang |
| вертикальный переход | Vertikalübergang |
| виртуальный переход | virtueller Übergang |
| виртуальный переход | vertueller Übergang |
| внутризонный переход | Intrabandübergang |
| внутризонный переход | Innenbandubergang |
| время перехода | Laufzeit |
| время перехода | Übergangszeit |
| время перехода из одного устойчивого состояния в другое | Kippzeit |
| время перехода из одного устойчивого состояния в другое | Kippdauer |
| выпрямитель с p-n-переходом | Sperrschichtgleichrichter |
| выпрямляющий переход | gleichrichtender Übergang |
| выращенный переход | gezogener Übergang |
| вырожденный переход | entarteter Übergang |
| генератор на переходе электронов | Gunn-Generator |
| генератор на переходе электронов | Elektronenübergangsoszillator |
| генератор на переходе электронов | Elektronenübergangsgenerator |
| гетерогенный переход | HeteroÜbergang |
| гетероструктурный переход | HeteroÜbergang |
| гетероструктурный переход | Heterojunction |
| гетероструктурный p-n-переход | Hetero-pn-Übergang |
| глубина залегания перехода | Eindringtiefe des Übergangs |
| глубина залегания перехода | Einlagerungstiefe des Übergangs |
| глубина залегания перехода | Übergangstiefe |
| гомогенный переход | Homoübergang |
| гомоструктурный переход | HomoÜbergang |
| гомоструктурный переход | Homojunction |
| гомоструктурный p-n-переход | Homo-pn-Übergang |
| дважды запрещённый бета-переход | zweifach verbotener Betaübergang |
| дважды запрещённый бета-переход | verbotener Betaübergang zweiten Grades |
| дважды запрещённый переход | verbotener Übergang zweiten Grades |
| дважды запрещённый переход | zweifach verbotener Übergang |
| двойная диффузия для формирования p-n-перехода | p-n-Doppeldiffusion |
| двухступенчатый переход | Zweistufenübergang |
| двухфотонный переход | Zweiphotonenübergang |
| двухэлектронный переход | Zweielektronenübergang |
| детектор перехода через нуль | Nulldurchgangsdetektor |
| джозефсоновский мостиковый переход | Josephson-Brucke |
| джозефсоновский переход | Josephson-Übergang |
| джозефсоновский переход | Josephson-Barriere |
| диаграмма фазовых переходов | Phasenübergangsdiagramm |
| динамический элемент ЗУПВ на комбинированной структуре "МОП-транзистор полевой транзистор с p-n-переходом биполярный транзистор" | JCMOS |
| диод на основе коллекторного перехода | Kollektordiode |
| диод с p-n-переходом | pn-Diode |
| диод с плоскостным p-n-переходом | Flächendiode |
| диод с тянутым переходом | gezogene Diode |
| диод с тянутым переходом | Diode mit gezogenem Übergang |
| диод, шунтирующий переход | Diodennebenschluss (транзистора) |
| диодный переход | Diodenübergang |
| диффузионная ёмкость коллекторного перехода | Kollektordiffusionskapazitat |
| диффузионная ёмкость эмиттерного перехода | Emitterdiffusionskapazität |
| диффузионное сопротивление эмиттерного перехода | Emitterdiffusionswiderstand |
| диффузионный p-n-переход | diffundierter pn-Struktur |
| диффузионный p-n-переход | eindiffundierter pn-Struktur |
| диффузионный p-n-переход | eindiffundierter pn-Übergang |
| диффузионный p-n-переход | diffundierter pn-Übergang |
| диффузионный переход | eindiffundierter Übergang |
| диффузионный переход | Diffusionsübergang |
| диффундированный переход | eindiffundierter Übergang |
| диффундированный переход | diffundierter Übergang |
| донорно-акцепторный переход | Donator-Akzeptor-Übergang |
| запертый переход | gesperrter Übergang |
| запирающий переход | sperrender Übergang |
| запирающий переход | gesperrter Übergang |
| затруднённый переход | unbegünstigter Übergang |
| зона-зонный переход | Zonenübergang |
| зона-зонный переход | Zonen-Zonen-Übergang |
| зонная модель p-n-перехода | Bändermodell des pn-Übergangs |
| идеальный переход металл полупроводник | Schottkysche Randschicht |
| идеальный переход металл-полупроводник | Schottkysche Randschicht |
| изолирующий переход | isolierender Übergang |
| изолирующий переход | Isolierungsubergang |
| инверсионный переход | Inversionsübergang |
| инверсионный переход | invertierter Übergang |
| инвертированный переход | invertierter Übergang |
| инвертированный переход | Inversionsübergang |
| инжекционный лазер на pn-переходе | Injektionslaser mit pn-Übergang |
| инжекционный лазер на pn-переходе | Halbleiterinjektionslaser |
| ионно-имплантированный переход | ionenimplantierter Übergang |
| ИС на биполярных транзисторах и полевых транзисторах с p-n-переходом | BIFET |
| ИС на биполярных транзисторах и полевых транзисторах с p-n-переходом | Bipolar-SFET |
| ИС на биполярных транзисторах и полевых транзисторах с p-n-переходом | Bipolar Junction Field-Effect Transistor |
| ИС на приборах с переходами Джозефсона | Josephson-IC |
| ИС операционного усилителя на биполярных транзисторах и полевых транзисторах с p-n-переходом | BIFET-Operationsverstärker |
| ИС операционного усилителя на полевых транзисторах с p-n-переходом | J-FET-OP |
| истоковый p-n-переход | Source-pn-Übergang |
| истоковый переход | Quellenübergang |
| n-канальный полевой транзистор с p-n-переходом | n-Kanal-SFET |
| p-канальный полевой транзистор с p-n-переходом | p-Kanal-JFET |
| n-канальный полевой транзистор с p-n-переходом | n-Kanal-Sperrschicht-FET |
| n-канальный полевой транзистор с p-n-переходом | n-Kanal-IFET |
| n-канальный полевой транзистор с p-n-переходом | n-IFET |
| каплевидный переход | tropfenförmiger Übergang |
| квазирезкий переход | quasiabrupter Übergang |
| КМОП ИС с самосовмещёнными поликремниевыми затворами и изоляцией p-n-переходами | Silicon-Gate Self-Aligned Junction Insulation CMOS |
| колебательно-вращательный переход | Rotationsschwingungsübergang |
| колебательный переход | Schwingungsübergang |
| коллекторный переход | Kollektor-Basis-Übergang |
| коллекторный переход | B-C-Übergang |
| коллекторный переход | Kollektorubergang |
| коллекторный переход | Basis-Kollektor-Übergang |
| коллекторный переход в виде барьера Шоттки | Schottky-Kollektor |
| команда перехода | Verzweigungsbefehl |
| комбинированная технология линейных ИС на КМОП-транзисторах, совмещённых с полевыми транзисторами с p-n-переходом, биполярными транзисторами вертикальной структуры и стабилитронами | LC2-MOS-Prozess (см. LC-CMOS) |
| комбинированная технология линейных ИС на КМОП-транзисторах, совмещённых с полевыми транзисторами с p-n-переходом, биполярными транзисторами вертикальной структуры и стабилитронами | LC2MOS (см. LC-CMOS) |
| комбинированная технология линейных ИС на КМОП-транзисторах, совмещённых с полевыми транзисторами с р-n-переходом, биполярными транзисторами вертикальной структуры и стабилитронами | LC-CMOS (см. LC2MOS) |
| конденсатор на полевых транзисторах с p-n-переходом | Charge Storage IFET |
| конденсатор на полевых транзисторах с p-n-переходом | Feldeffekttransistor mit Ladungsspeicherung |
| конденсатор на полевых транзисторах с p-n-переходом | CSIFET |
| концентрация носителей заряда в приграничном слое коллекторного перехода | Kollektorrandkonzentration |
| кристалл полупроводникового прибора с p-n-переходом | pn-Kristall |
| кристаллографический переход | kristallografischer Übergang |
| лазер на pn-переходе | Laser mit pn-Übergang |
| лазер на pn-переходе | Halbleiterlaser |
| магнетооптический переход | magnetooptischer Übergang |
| магнитный переход | magnetischer Übergang |
| максимально-допустимая температура перехода | maximal zulässige Sperrschichttemperatur |
| междолинный переход | Zwischentalübergang (электронов) |
| междудолинный переход | Zwischentalübergang |
| междузонный переход | Zonenübergang |
| междузонный переход | Übergang zwischen den Bändern |
| междузонный переход | Band-Band-Übergang |
| межзонный переход | Interzonenubergang |
| межзонный переход | interzonaler Übergang |
| межзонный переход | Interbandubergang |
| межзонный переход | Bandübergang |
| межпримесный переход | Zwischenstörstellenübergang |
| межпримесный переход | Störstellenübergang |
| межпримесный переход | Interstorstellenubergang |
| мелкий переход | flacherflachliegender Übergang |
| микросплавной переход | mikrolegierter Übergang |
| многократный переход | Mehrfachübergang |
| многофотонный переход | Mehrphotonenübergang |
| мощность, рассеиваемая на переходе база эмиттер | Basis-Emitter-Verlustleistung |
| мощность, рассеиваемая на переходе база-эмиттер | Basis-Emitter-Verlustleistung |
| мощность рассеяния на эмиттерном переходе | Basis-Emitter-Verlustleistung |
| накопитель на полевых транзисторах с p-n-переходом | CSIFET |
| накопитель на полевых транзисторах с p-n-переходом | Feldeffekttransistor mit Ladungsspeicherung |
| накопитель на полевых транзисторах с p-n-переходом | Charge Storage IFET |
| напряжение коллекторного перехода | Kollektor-Basis-Spannung |
| напряжение коллекторного перехода | Basis-Kollektor-Spannung |
| напряжение насыщения перехода база эмиттер | Basisemittersättigungsspannung |
| напряжение насыщения эмиттерного перехода | Basisemittersättigungsspannung |
| напряжение туннельного пробоя p-n-перехода | Zener-Spannung |
| напряжение туннельного пробоя p-n-перехода | Z-Spannung |
| напряжение эмиттерного перехода | Emitter-Basis-Spannung |
| напряжение эмиттерного перехода | Basis-Emitter-Spannung |
| неглубокий переход | flacher Übergang |
| ненагруженный переход | unbelasteter Übergang |
| непрямой межзонный переход | indirekter Bandübergang |
| непрямой переход | indirekter Übergang |
| несимметричный p-n-переход | unsymmetrischer pn-Struktur |
| несимметричный p-n-переход | unsymmetrischer pn-Übergang |
| несимметричный переход | unsymmetrischer Übergang |
| несимметричный переход | asymmetrischer Übergang |
| обеднённый слой коллекторного перехода | Kollektor-Basis-Sperrschicht |
| обеднённый слой коллекторного перехода | Kollektorsperrschicht |
| обеднённый слой коллекторного перехода | Basis-Kollektor-Sperrschicht |
| обеднённый слой p-n-перехода | Übergangssperrschicht |
| обеднённый слой p-n-перехода | pn-Sperrschicht |
| обеднённый слой эмиттерного перехода | Emitterraumladungszone |
| обеднённый слой эмиттерного перехода | Emitter-Basis-Sperrschicht |
| обеднённый слой эмиттерного перехода | Emittersperrschicht |
| обеднённый слой эмиттерного перехода | Basis-Emitter-Sperrschicht |
| область генерации полупроводникового лазера в виде полоски с поперечным p-n-переходом | Transverse Junction Strip |
| область объёмного заряда в приграничном слое эмиттерного перехода | Emitterraumladungszone |
| область перехода | Übergangsschicht |
| область перехода | Übergangszone |
| область перехода | Sperrzone |
| область p-n-перехода | pn-Übergangszone |
| область пространственного заряда в приграничном слое эмиттерного перехода | Emitterraumladungszone |
| обратно смещённый переход | sperrvorgespannter Übergang in Sperrichtung vorgespannter Übergang |
| обратное напряжение на коллекторном переходе | Kollektorsperrspannung |
| обратное напряжение на коллекторном переходе | Basis-Kollektor-Sperrspannung |
| обратное смещение коллекторного перехода | Kollektorsperrspannung |
| обратное смещение коллекторного перехода | Basis-Kollektor-Sperrspannung |
| обратное сопротивление перехода | Übergangssperrwiderstand |
| обратное сопротивление перехода | Sperrwiderstand |
| обратносмещённый переход | sperrvorgespannter Übergang |
| обратносмещённый p-n-переход | in Sperrichtung betriebener pn-Übergang |
| обратносмещённый p-n-переход | in Sperrichtung vorgespannter pn-Struktur |
| обратносмещённый переход | in Sperrichtung vorgespannter Übergang |
| обратносмещённый p-n-переход | in Sperrichtung betriebener pn-Struktur |
| обратный ток коллекторного перехода при закороченном переходе эмиттер база | Kollektorkurzschluss-Reststrom |
| обратный ток коллекторного перехода при закороченном переходе эмиттер-база | Kollektorkurzschluss-Reststrom |
| обратный ток коллекторного перехода при коротком замыкании между эмиттером и базой | Kollektorreststrom bei Kurzschluss zwischen Basis und Emitter |
| обратный ток коллекторного перехода при разомкнутой базе | Kollektorstrom bei offenem Basisanschluss |
| обратный ток коллекторного перехода при разомкнутом эмиттере | Kollektorreststrom bei offenem Emitteranschluss |
| обратный ток перехода затвор исток | Gate-Source-Sperrstrom (при разомкнутом выводе) |
| обратный ток перехода затвор сток | Gate-Drain-Sperrstrom (при разомкнутом выводе) |
| обратный ток перехода затвор-исток | Gate-Source-Sperrstrom (при разомкнутом выводе) |
| обратный ток перехода затвор-сток | Gate-Drain-Sperrstrom (при разомкнутом выводе) |
| обратный ток утечки через коллекторный переход при коротком замыкании эмиттер база | Kollektorkurzschluss-Reststrom |
| обратный ток утечки через коллекторный переход при коротком замыкании эмиттер-база | Kollektorkurzschluss-Reststrom |
| обратный ток утечки через эмиттерный или коллекторный переход биполярного транзистора при холостом ходе на выходе или на входе | Leerlaufreststrom |
| однократно запрещённый бета-переход | verbotener Betaübergang ersten Grades |
| однократно запрещённый бета-переход | einfach verbotener Betaübergang |
| однократно запрещённый переход | verbotener Übergang ersten Grades |
| однократно запрещённый переход | einfach verbotener Übergang |
| односторонний ступенчатый переход | unsymmetrischer Übergang (переход, у которого одна сторона легирована значительно сильнее другой) |
| односторонний ступенчатый переход | asymmetrischer Übergang |
| односторонний ступенчатый p-n-переход | asymmetrischer Übergang |
| односторонний ступенчатый p-n-переход | unsymmetrischer Übergang (переход, у которого одна сторона легирована значительно сильнее другой) |
| односторонний ступенчатый p-n-переход | asymmetrischer Übergang (переход, у которого одна сторона легирована значительно сильнее другой) |
| односторонний ступенчатый переход | asymmetrischer Übergang (переход, у которого одна сторона легирована значительно сильнее другой) |
| односторонний ступенчатый p-n-переход | unsymmetrischer pn-Struktur |
| одно-сторонний ступенчатый p-n-переход | unsymmetrischer pn-Übergang |
| однофотонный переход | Einquantenübergang |
| однофотонный переход | Einphotonenübergang |
| Оже-переход | Auger-Übergang |
| оксид туннельного перехода | Tunneloxid |
| омический переход | ohmscher Übergang |
| оптический переход | optischer Übergang |
| отношение сопротивлений p-n-перехода в запертом и открытом состояниях | Sperrverhältnis |
| отрицательная проводимость перехода | negativer differentieller Leitwert (дифференциальная проводимость перехода на падающем участке прямой ветви ВАХ туннельного диода, диода Ганна) |
| отрицательная проводимость перехода | negative differentielle Leitfähigkeit (дифференциальная проводимость перехода на падающем участке прямой ветви ВАХ туннельного диода, диода Ганна) |
| отрицательное сопротивление перехода | negativer differentieller Widerstand (туннельного диода) |
| падение напряжения на эмиттерном переходе | Spannungsabfall an der Basis-Emitterstrecke |
| пассивирование перехода | Sperrschichtpassivierung |
| переход база коллектор | Basis-Kollektor-Übergang |
| переход база коллектор | B-C-Übergang |
| переход база эмиттер | Basis-Emitter-Übergang |
| p-n-переход база-коллектор | Kollektor-pn-Übergang |
| p-n-переход в германии | Ge-pn-Übergang |
| p-n-переход в кремнии | Silizium-pn-Übergang |
| переход Джозефсона | Josephson-Barriere |
| переход донорный уровень-валентная зона | Donator-Valenzband-Übergang |
| переход затвор канал | Gatekanaldiode |
| переход затвор канал | Gate-Kanal-Übergang |
| p-n-переход затвора | Gate-pn-Übergang |
| переход затвор-канал | Gatekanaldiode |
| переход затвор-канал | Gate-Kanal-Übergang |
| переход зона примесный уровень | Band-Störstellen-Übergang |
| переход зона проводимости акцепторный уровень | Leitungsband-Akzeptor-Übergang |
| переход зона проводимости-акцепторный уровень | Leitungsband-Akzeptor-Übergang |
| переход зона-примесный уровень | Band-Störstellen-Übergang |
| переход из нормального состояния в сверхпроводящее | n-s-übergang |
| переход из одного связанного состояния в другое | Gebunden-gebunden-Übergang |
| переход исток канал | Source-Kanal-Übergang |
| переход исток подложка | Source-Substrat-Übergang |
| переход исток подложка | Quellen-Substrat-Übergang |
| p-n-переход исток подложка | Quellen-Substrat-pn-Übergang |
| переход истока | Quellenübergang |
| p-n-переход истока | Source-pn-Übergang |
| переход исток-канал | Source-Kanal-Übergang |
| переход исток-подложка | Source-Substrat-Übergang |
| переход исток-подложка | Quellen-Substrat-Übergang |
| переход канал подложка | Übergang zwischen Substrat und Kanal |
| переход канал-подложка | Übergang zwischen Substrat und Kanal |
| p-n-переход коллектор база | Kollektor-pn-Übergang |
| p-n-переход коллектор подложка | Kollektor-Substrat-pn-Übergang |
| переход коллектор подложка | Kollektor-Substrat-Übergang |
| переход коллектора | Kollektorübergang |
| переход коллектор-подложка | Kollektor-Substrat-Übergang |
| переход между подзонами | Übergang zwischen Subbändern |
| переход между подзонами | Subbandübergang |
| переход между подуровнями | Übergang zwischen Subniveaus |
| переход между энергетическими состояниями | Übergang zwischen Energiezuständen den Niveaus |
| переход металл полупроводник | Metall-Halbleiter-Übergang |
| переход на аварийное питание | Überbrückung |
| переход накачки | Pumpübergang |
| переход, образованный изменением концентрации примеси | Konzentrationeubergang (n-n+-переход или p-p+-переход) |
| переход, образованный изменением концентрации примеси, p+-p) | Dichteübergang |
| переход, образованный изменением концентрации примеси | Dichteübergang (n+-n, р+-р) |
| переход, образованный легированием | Dotierungsübergang |
| переход Оже | Auger-Übergang |
| переход оптической накачки | optischer Pumpübergang |
| переход плазма-металл | Plasma-Metall-Übergang |
| переход подложка коллектор | Substrat-Kollektorgebiet-Übergang |
| переход подложка-коллектор | Substrat-Kollektorgebiet-Übergang |
| переход полупроводник с примесной проводимостью полупроводник с собственной | Dichteübergang |
| переход полупроводник с примесной проводимостью-полупроводник с собственной проводимостью | Dichteübergang |
| переход, полученный ионной имплантацией | ionenimplantierter Übergang |
| переход примесный уровень зона | Störstellen-Band-Übergang |
| переход примесный уровень-зона | Störstellen-Band-Übergang |
| переход с линейным распределением примеси | Übergang mit kontinuierlicher Störstellenverteilung |
| переход с линейным распределением примеси | Übergang mit kontinuierlicher Fremdstoffverteilung |
| p-n-переход с обратным смещением | in Sperrichtung vorgespannter pn-Struktur |
| p-n-переход с обратным смещением | in Sperrichtung betriebener pn-Struktur |
| p-n-переход с одинаковой степенью легирования на обеих сторонах | symmetrischer pn-Übergang |
| p-n-переход с одинаковой степенью легирования на обеих сторонах | symmetrischer Übergang |
| переход с одинаковой степенью легирования на обеих сторонах | symmetrischer Übergang |
| p-n-переход с одинаковой степенью легирования на обеих сторонах | symmetrischer pn-Struktur |
| переход с плавным профилем распределения примеси | Übergang mit kontinuierlicher Störstellenverteilung |
| переход с толстой базой | Übergang mit dicker Basis |
| переход с тонкой базой | Übergang mit dünner Basis |
| переход с увеличением концентрации примеси | LH-Übergang (p-p+-переход, n-n+-переход) |
| переход с уменьшением концентрации примеси | HL-Übergang (p+-p-переход, n+-n-переход) |
| переход между уровнями сверхтонкой структуры | Hyperfeinübergang |
| переход между уровнями сверхтонкой структуры | Hyperfeinstrukturübergang |
| p-n-переход сток подложка | Senken-Substrat-pn-Übergang |
| переход сток подложка | Senken-Substrat-Übergang |
| p-n-переход сток подложка | Drain-Substrat-pn-übergang |
| переход стока | Drainübergang |
| p-n-переход стока | Drain-pn-übergang |
| p-n-переход стока | Senkenübergang |
| переход сток-подложка | Senken-Substrat-Übergang |
| p-n-переход эмиттер база | Emitter-Basis-pn-Übergang |
| переход эмиттера | Emitterübergang |
| p-n-переходы, встречно-параллельные подложке | rückwärtige pn-Übergänge zum Substrat |
| p-n-переходы, встречно-параллельные подложке | rückwärtige pn-Übergange zum Substrat |
| ПЗС на полевых транзисторах с p-n-переходом | Junction CCD |
| ПЗС на полевых транзисторах с p-n-переходом | JECD |
| ПЗС-структура на полевых транзисторах с p-n-переходом | Sperrschicht-CCD-Struktur |
| плавно суживающийся волноводный переход | Taper |
| плавный волноводный переход | Taper |
| плавный переход | kontinuierlicher Übergang |
| плавный p-n-переход | linearer pn-Struktur |
| плавный p-n-переход | almählicher pn-Struktur |
| плавный p-n-переход | graduierter pn-Struktur |
| плавный p-n-переход | linearer Übergang |
| плавный переход | stetiger Übergang |
| плавный p-n-переход | graduierter pn-Übergang |
| плавный p-n-переход | linearer pn-Übergang |
| плавный p-n-переход | almählicher pn-Übergang |
| плавный переход | linearer Übergang |
| плавный переход | allmählicher Übergang |
| планарный переход | planarer Übergang |
| планарный переход | Planarübergang |
| пленарный переход | planarer Übergang |
| пленарный полевой транзистор с p-n-переходом | Planar-Sperrschichtfeldeffekttransistor |
| плоский переход | flächenhafter Übergang |
| плоский переход | flächenförmiger Übergang |
| плоский переход | Flächenübergang |
| плоскость перехода | Übergangsebene |
| поверхностно-барьерный переход | Randschichtübergang |
| поверхностно-барьерный переход | Oberflächensperrschichtübergang |
| поверхность раздела p-n-перехода | Übergangsgrenzfläche |
| полевой транзистор с вертикальным p-n-переходом | Vertikalübergang-FET |
| полевой транзистор с вертикальным p-n-переходом | Vertical-Junction FET |
| полевой транзистор с p-n-переходом | pn-Sperrschichtfeldeffekt-transistor |
| полевой транзистор с p-n-переходом | pn-SFET |
| полевой транзистор с p-n-переходом | Junction Field-Effect Transistor |
| полевой транзистор с p-n-переходом | Sperrschicht-FET |
| полевой транзистор с управляющим p-n-переходом | SFET |
| полевой транзистор с p-n-переходом | pn-Sperrschichtfeldeffekttransistor |
| полевой транзистор с p-n-переходом | Sperrschichtfeldeffekttransistor |
| полевой транзистор с p-n-переходом на GaAs | GaAs-SFET |
| полевой транзистор с p-n-переходом на арсениде галлия | GaAs-SFET |
| полевой транзистор с плоскостным переходом | Flächenfieldistor |
| полевой транзистор с плоскостным p-n-переходом | Flächenfieldistor |
| полевой транзистор с управляющим pn-переходом | Sperrschichtfeldeffekt-Transistor SFET |
| полевой транзистор с управляющим p-n-переходом | pn-gesteuerter Feldeffekttransistor |
| пологий переход | flacher Übergang |
| полоска с поперечным p-n-переходом | Transverse Junction Strip |
| полупроводник с непрямыми переходами | indirekter Halbleiter |
| полупроводник с прямыми переходами | direkter Halbleiter |
| полупроводниковый переход | Halbleiterübergang |
| полупроводниковый полосковый лазер с поперечным p-n-переходом | TJS-Laser |
| полупроводниковый прибор с p-n-переходами | Sperrschicht-Halbleiterbauelement |
| полупроводниковый прибор с p-n-переходом | Sperrschicht-Halbleiterbauelement |
| полусферический переход | halbsphärischer Übergang |
| полусферический переход | halbkugelförmiger Übergang |
| последовательность слоев с p-n-переходом | pn-Folge |
| последовательность слоев с p-n-переходом | pn-Schichtfolge |
| потенциал перехода | Übergangspotential |
| прибор на переходах Джозефсона | Josephson-Element |
| прибор на переходах Джозефсона | Josephson-Bauelement |
| прибор на эффекте междолинного перехода электронов | TED |
| прибор на эффекте междолинного перехода электронов | Transferred Electron Device |
| прибор на эффекте междолинного перехода электронов | Elektronentransferelement |
| прибор на эффекте междолинного перехода электронов | Elektronentransferbauelement |
| приграничная область p-n-перехода | Sperrschichtrandzone |
| примесный переход | Störstellenübergang |
| пробой перехода в связи с увеличением напряжённости электрического поля в переходе | elektrischer Durchbruch |
| пробой перехода в связи с увеличением напряжённости электрического поля в переходе | Felddurchbruch |
| пробой pn-перехода | Durchschlag eines pn-Überganges |
| пробой pn-перехода | Durchbruch eines pn-Überganges |
| пробой перехода база эмиттер | Basis-Emitter-Durchbruch |
| пробой перехода база-эмиттер | Basis-Emitter-Durchbruch |
| пробой перехода затвор сток | D-G-Durchbruch |
| пробой перехода затвор-сток | D-G-Durchbruch |
| пробой эмиттерного перехода | Basis-Emitter-Durchbruch |
| прямое напряжение перехода база эмиттер | Basis-Emitter-Schleusenspannung (биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером) |
| прямое напряжение перехода база эмиттер | Basis-Emitter-Flussspannung (биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером) |
| прямое напряжение перехода база-эмиттер | Basis-Emitter-Schleusenspannung (биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером) |
| прямое напряжение перехода база-эмиттер | Basis-Emitter-Flussspannung (биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером) |
| прямое сопротивление перехода | Durchlaßwideretand |
| прямой межзонный переход | direkter Bandübergang |
| прямой переход | vertikaler Übergang |
| прямой переход | Direktsprung |
| прямосмещённый переход | in Durchlassrichtung vorgespannter Übergang |
| прямосмещённый переход | in Flussrichtung vorgespannter Übergang |
| прямосмещённый p-n-переход | in Durchlassrichtung vorgespannter pn-Struktur |
| прямосмещённый p-n-переход | in Durchlassrichtung betriebener pn-Übergang |
| прямосмещённый p-n-переход | in Durchlassrichtung betriebener pn-Struktur |
| р+-n-переход | p+-n-Übergang |
| размытый переход | unscharfer Übergang |
| реактанц перехода | Übergangsreaktanz |
| реактанц перехода | Reaktanz eines Übergangs |
| резкий переход | steiler Übergang |
| резкий p-n-переход | abrupter Übergang |
| резконесимметричный p-n-переход | abrupter pn-Übergang |
| резконесимметричный p-n-переход | abrupter pn-Struktur |
| резонансная частота перехода | Übergangsresonanzfrequenz |
| резонансный переход | Resonanzübergang |
| резонансный переход | Resonanzdurchtritt |
| рекомбинационный переход | Rekombinationsübergang |
| рекристаллизационный переход | Rekristallisationsübergang |
| рекристаллизационный p-n-переход | Rekristallisations-pn-Übergang |
| р-канальный полевой транзистор с p-n-переходом | p-Kanal-SFET |
| сверхразрешённый бета-переход | übererlaubter Betaübergang |
| сверхразрешённый бета-переход | höchsterlaubter Betaübergang |
| сверхразрешённый переход | übererlaubter Übergang |
| сверхразрешённый переход | höchsterlaubter Übergang |
| сверхрезкий p-n-переход | hyperabrupter Übergang |
| сверх-резкий p-n-переход | hyperabrupter pn-Übergang |
| сверхрезкий переход | hyperabrupter Übergang |
| сверхрезкий p-n-переход | hyperabrupter pn-Struktur |
| светящийся переход | leuchtender Übergang |
| светящийся переход | lumineszierender Übergang |
| светящийся переход | Lumineszenzübergang |
| сегнетоэлектрический переход | seignetteelektrischer Übergang |
| симметричный p-n-переход | symmetrischer pn-Übergang |
| симметричный переход | symmetrischer Übergang |
| симметричный p-n-переход | symmetrischer pn-Struktur |
| слаборазрешённый переход | unbegünstigter Übergang |
| смещение перехода | Übergangsvorspannung |
| смещённый переход | vorgespannter Übergang |
| смещённый p-n-переход | vorgespannter pn-Struktur |
| смыкание переходов | Durchgreifen |
| солнечный элемент с pn-переходом | Sperrschichtsonnenenergiewandler auf dem Prinzip des Sperrschichtfotoeffekts beruhender Sonnenenergiewandler |
| стоковый p-n-переход | Drain-pn-übergang |
| стоковый p-n-переход | Senkenübergang |
| структура перехода | Struktur des Übergangs |
| ступенчатый переход | abrupter Übergang |
| ступенчатый p-n-переход | abrupter Übergang |
| ступенчатый p-n-переход | abrupter pn-Übergang |
| ступенчатый p-n-переход | abrupter pn-Struktur |
| таблица переходов | Zustandstabelle (триггера) |
| таблица переходов | Übergangstabelle |
| таблица переходов | Wahrheitstabelle (триггера) |
| таблица переходов | Wahrheitstafel (триггера) |
| таблица переходов | Funktionstabelle (триггера) |
| таблица переходов | Funktionsmatrix (триггера) |
| тактовый переход | Taktimpulsübergang |
| температура перехода | Sperrschichttemperatur |
| температура перехода | Sprungtemperatur (в сверхпроводящее состояние) |
| температура перехода | Übergangstemperatur |
| температура p-n-перехода | Sperrschichttemperatur |
| температура перехода в жидкое состояние | Liquidustemperatur |
| температура перехода в твёрдое состояние | Solidustemperatur |
| термооптический переход | thermooptischer Übergang |
| технология изготовления ИС на биполярных транзисторах и полевых транзисторах с p-n-переходом | BIFET-Technik |
| технология КМОП ИС с самосовмещёнными поликремниевыми затворами и изоляцией p-n-переходами | Silicon-Gate Self-Aligned Junction Insulation CMOS |
| толщина pn-перехода | Weite des pn-Übergangs |
| толщина pn-перехода | Dicke des pn-Übergangs |
| тонкий переход | schmaler Übergang |
| точечный переход | Spitzenkontaktübergang |
| точечный переход | punktförmiger Übergang |
| травление перехода | Ätzen des Übergangs |
| транзистор с выращенными переходами | Rategrowntransistor |
| биполярный транзистор с коллекторным переходом в виде барьера Шоттки | Schottky-Kollektor-Barrierentransistor |
| биполярный транзистор с коллекторным переходом в виде барьера Шоттки | Schottky-Kollektor-Transistor |
| биполярный транзистор с коллекторным переходом в виде барьера Шоттки | Schottky-Barrieren-Kollektor-Transistor |
| биполярный транзистор с коллекторным переходом на барьере Шоттки | Schottky-Kollektor-Transistor |
| биполярный транзистор с коллекторным переходом на барьере Шоттки | Schottky-Kollektor-Barrierentransistor |
| биполярный транзистор с коллекторным переходом на барьере Шоттки | Schottky-Barrieren-Kollektor-Transistor |
| транзистор с плоскостными p-n-переходами | Flächentransistor |
| трёхфотонный переход | Dreiphotonenübergang |
| узкий переход | schmaler Übergang |
| управляемый p-n-переход | gesteuerter pn-Struktur |
| управляющий переход | steuerbarer Übergang |
| фотодиод с p-n-переходом | pn-Fotodiode |
| характеристика перехода база эмиттер | Basis-Emitter-Kennlinie |
| характеристика перехода база-эмиттер | Basis-Emitter-Kennlinie |
| характеристика эмиттерного перехода | Basis-Emitter-Kennlinie |
| частота переходов | Übergangsfrequenz |
| экспоненциальный переход | exponentieller Übergang |
| электрический квадрупольный переход | elektrischer Quadrupolübergang |
| электронно-фононный переход | Elektronen-Phononen-Übergang |
| электронно-электронный переход | nn-Übergang |
| эмиттерный p-n-переход | Emitter-pn-Übergang |
| эмиттерный переход | E-B-Übergang |
| эмиттерный p-n-переход | Emitter-Basis-pn-Übergang |
| эмиттерный переход | Basis-Emitter-Übergang |
| энергия перехода | Übergangsenergie |
| эпипланарный переход | Epiplanarübergang |
| эпитаксиально-планарный переход | Epiplanarübergang |
| эпитаксиальный переход | Epitaxieübergang |
| эпитаксиальный переход | Epitaxialübergang |
| эпитаксиальный пленарный переход | Epiplanarübergang |
| эффект перехода резистивных свойств субмикронных элементов микросхем в изолирующие при достижении предельной степени миниатюризации | Size-Induced Metal-Insulator Transition |
| ёмкость коллекторного перехода | Kapazitat des Kollektorubergangs |
| ёмкость коллекторного перехода | Kollektorkapazitat |
| ёмкость обедненного слоя эмиттерного перехода | Emittersperrschichtkapazität |
| ёмкость обеднённого слоя коллекторного перехода | Kollektorsperrschichtkapazitat |
| ёмкость перехода | Kapazitat des pn-Übergangs |
| ёмкость перехода | Kapazität des pn-Übergangs |
| ёмкость перехода | Sperrschichtkapazität (напр., туннельного диода) |
| ёмкость p-n-перехода перехода | Kapazitat des pn-Übergangs |
| ёмкость эмиттерного перехода | Kapazitat des Emitterubergangs |
| ёмкость эмиттерного перехода | Emitterkapazität |
