| Russian | German |
| байт-мультиплексный канал | Bytemultiplexkanal |
| барьерная ёмкость между каналом и подложкой | Kanal-Substrat-Sperrschichtkapazitat |
| биполярно-полевой транзистор с инверсионным каналом | Bipolar inversion-channel FET |
| биполярно-полевой транзистор с инверсионным каналом | Bicfet |
| биполярно-полевой транзистор с инверсионным каналом | Bipolar inversionchannel FET |
| вертикальный полевой транзистор с каналом р-типа | p-Kanal-VFET |
| вертикальный полевой транзистор с каналом n-типа | n-Kanal-VFET |
| высокоомный диффузионный резистор с суженным проводящим каналом | abgeschnürter Widerstand |
| высокоомный диффузионный резистор с суженным проводящим каналом | verdeckter diffundierter Widerstand |
| угловая граничная частота канала | Eckfrequenz |
| диод затвор-канал | Gatekanaldiode |
| диод затвор канал | Gatekanaldiode |
| диффузионный канал | Diffusionskanal |
| длина канала | Kanalweite |
| длина канала | Kanallange |
| дуплексный канал | Vollduplexübertragungsleitung |
| запоминающая ячейка на МОП-транзисторе с каналом р-типа | p-Kanal-MOS-Speicherzelle |
| подвижный заряд в канале | Kanalladung |
| заряд подвижных электронов в канале | Elektronenladung im Kanal |
| затухание в канале | Kanaldampfung |
| имплантация областей с индуцированным каналом | Enhancementimplantation |
| имплантация областей с МДП-структурой с обеднением канала | Depletionimplantation |
| имплантированная область с индуцированным каналом | Enhancementimplantation |
| имплантированная область с МДП-структурой с обеднением канала | Depletionimplantation |
| импульсный канал | Impulskanal |
| инверсионный канал | Inversionskanal |
| инверсионный n-канал | n-Inversionskanal |
| инверсионный канал n-типа | n-Inversionskanal |
| инверсионный слой бокового канала | Seitenkanalinversionsschicht |
| инвертор на двух МОП-транзисторах с индуцированным каналом | EE-Inverter |
| инвертор на двух МОП-транзисторах с обогащением канала | EE-Inverter |
| индуцированный канал | induzierter Kanal |
| интерфейс канала прямого доступа к памяти | DMA-Schnittstelle |
| информационный канал | Datenkanal |
| ИС на МОП-структуре со скрытым каналом | Buried Channel MOS |
| ИС на МОП-транзисторах с обогащением и обеднением канала | ED-MOSFET |
| ИС на МОП-транзисторе со скрытым каналом | BCMOS |
| канал ввода-вывода | Eingabe-Ausgabe-Kanal |
| канал искры | Funkenkanal |
| канал обмена данными | Datenkanal |
| канал параллельного вывода | Parallelausgabekanal (данных) |
| канал передачи данных | Datenweg |
| канал поверхностной проводимости | Oberflächenleitfähigkeitskanal |
| канал пробоя участка сток-исток | punch-through-Kanal |
| канал прямого доступа к памяти | DMA-Kanal |
| канал с проводимостью р-типа | p-Kanal |
| встроенный канал с обеднением | Depletionkanal |
| канал с памятью | Speicherkanal |
| канал с проводимостью n-типа | n-leitender Kanal |
| канал с проводимостью n-типа | n-Leitungskanal |
| канал с проводимостью n-типа | Elektronenkanal |
| канал с электронной проводимостью | Elektronenkanal |
| канал связи | Verbindungsstrang |
| канал связи с периферийными устройствами | Peripheriekanal |
| канал сигнала цветности | Farbkanal (в цветном телевидении) |
| канал счётчика-таймера | Zähler- und Zeitgeberkanal |
| канал счётчика-таймера | Zähler und Zeitgeberkanal |
| канал счётчика-таймера | CTC-Kanal |
| канал теплоотвода | Wärmeleitpfad |
| канал с проводимостью n-типа | n-Kanal |
| канал p-типа | p-leitender Kanal |
| канал n-типа | n-leitender Kanal |
| канал n-типа | Elektronenkanal |
| канал транзистора | Transistorkanal |
| канал трассировки | Routingkanal |
| канал трассировки межсоединений | Verdrahtungskanal |
| канал цветового сигнала | Farbkanal |
| КМОП-инвертор с МОП-транзистором с индуцированным каналом p-типа в качестве активного элемента и с работающим в режиме обеднения n-канальным транзистором с глубокообеднённым слоем в качестве нагрузки | komplementärer Depletion-Load-Inverter |
| КМОП-инвертор с МОП-транзистором с каналом p-типа в качестве активного элемента и с n-канальным транзистором с глубокообеднённым слоем в качестве нагрузки | komplementärer Depletion-Load-Inverter |
| контроллер последовательного канала связи | SCC (центрального процессора микроЭВМ с подключаемыми к последовательному каналу связи устройствами) |
| контроллер последовательного канала связи | SCC-Baustein (центрального процессора микроЭВМ с подключаемыми к последовательному каналу связи устройствами) |
| контроллер с двойным входом в канал | Zweikanaltorsteuerung |
| магистральный канал связи | Bündelleitung |
| масштабированная МОП ИС с самосовмещённым затвором и каналом субмикронной длины | Small MOS |
| масштабированная МОП ИС с самосовмещённым затвором и каналом субмикронной длины | Scaled-down MOS |
| масштабированная МОП ИС с самосовмещённым затвором и каналом субмикронной длины | SMOS |
| МДП-транзистор с индуцированным каналом | Anreicherungs-MISFET |
| МДП-транзистор с индуцированным каналом | Enhancement-MISFET |
| МДП-транзистор с индуцированным каналом | Anreicherungstyp |
| МДП-транзистор с индуцированным каналом | Enhancement-MIS-Transistor |
| МДП-транзистор с индуцированным каналом | Enhancement-FET |
| МДП-транзистор с индуцированным каналом | Anreicherungs-IFET |
| МДП-транзистор с индуцированным каналом n-типа | n-Kanal-Anreicherungstransistor |
| МДП-транзистор с индуцированным каналом n-типа | n-Kanal-Anreicherungstyp |
| МДП-транзистор с индуцированным каналом n-типа | n-Kanal-Anreicherungs-MISFET |
| МДП-транзистор с индуцированным каналом n-типа | n-Kanal Anreicherungs-MISFET |
| МДП-транзистор с каналом р-типа | p-Kanal-MISFET |
| МДП-транзистор с каналом р-типа | p-Kanal-Isolierschicht-FET |
| МДП-транзистор с каналом р-типа, работающий в режиме обеднения | p-Kanal-Verarmungs-MISFET |
| МДП-транзистор с каналом р-типа, работающий в режиме обеднения | p-Kanal-Verarmungstyp |
| МДП-транзистор с каналом р-типа, работающий в режиме обогащения | p-Kanal-Anreicherungstyp |
| МДП-транзистор с каналом р-типа, работающий в режиме обогащения | p-Kanal-Anreicherungs-MISFET |
| МДП-транзистор с каналом р-типа, работающий в режиме обогащения | p-Kanal-Anreicherungstransistor |
| МДП-транзистор с каналом p-типа | p-Kanal-Isolierschicht-FET |
| МДП-транзистор с каналом n-типа | n-Kanal-MISFET |
| МДП-транзистор с каналом p-типа, работающий в режиме обеднения | p-Kanal-Verarmungs-MISFET |
| МДП-транзистор с каналом p-типа, работающий в режиме обеднения | p-Kanal-Verarmungstyp |
| МДП-транзистор с каналом p-типа, работающий в режиме обогащения | p-Kanal-Anreicherungs-MISFET |
| МДП-транзистор с каналом p-типа, работающий в режиме обогащения | p-Kanal-Anreicherungstransistor |
| МДП-транзистор с обеднением канала | Feldeffekttransistor des Verarmungstyps |
| МДП-транзистор с обеднением канала | Depletion-MISFET |
| МДП-транзистор с обеднением канала | Depletion-MIS-Transistor |
| МДП-транзистор с обеднением канала | Verarmungs-IFET |
| МДП-транзистор с обеднением канала | Verarmungstyp-IFET |
| МДП-транзистор с обеднением канала | Verarmungs-MISFET |
| МДП-транзистор с обеднением канала | Transistor vom Verarmungstyp |
| МДП-транзистор с обеднением канала | Depletion-FET |
| МДП-транзистор с обогащением канала | Enhancement-MISFET |
| МДП-транзистор с обогащением канала | Feldeffekttransistor des Anreicherungstyps |
| МДП-транзистор с обогащением канала | Enhancement-MIS-Transistor |
| МДП-транзистор с обогащением канала | Anreicherungs-MISFET |
| МДП-транзистор с обогащением канала | Enhancement-FET |
| МДП-транзистор с обогащением канала | Anreicherungstyp |
| МДП-транзистор с обогащением канала | Transistor vom Anreicherungstyp |
| МДП-транзистор с обогащением канала | Anreicherungs-IFET |
| МДП-транзистор со встроенным каналом n-типа, работающий в режиме обеднения | n-Kanal-Verarmungstyp |
| МДП-транзистор со встроенным каналом n-типа, работающий в режиме обеднения | n-Kanal-Verarmungs-MISFET |
| МДП-транзистор со встроенным каналом n-типа, работающий в режиме обеднения | n-Kanal-Verarmungs-IFET |
| МДП-транзистор со встроенным каналом n-типа, работающий в режиме обеднения | n-Kanal-Depletion-MISFET |
| МДП-транзистор со встроенным каналом n-типа, работающий в режиме обеднения | n-Kanal-Depletion-MIS-FET |
| МДП-транзистор со встроенным каналом n-типа, работающий в режиме обеднения | n-Kanal-Depletion-FET |
| модуляция длины канала | Kanallängenmodulation |
| модуляция длины канала | Kanallangenmodulation |
| монтаж соединений по каналам | Kanalverdrahtung |
| МОП-структура с каналом n-типа | n-Kanal-MOS-Struktur |
| планарная МОП-структура с укороченным каналом | KMOS-Struktur |
| МОП-структура со скрытым каналом | Buried Channel MOS |
| МОП-транзистор с вертикальным каналом | Vertikal-MOSFET |
| V-МОП-транзистор с горизонтальным каналом | VMOS-Transistor mit lateraler Kanalanordnung |
| МОП-транзистор с индуцированным каналом | selbstsperrender |
| МОП-транзистор с индуцированным каналом | Enhancement-MOSFET |
| МОП-транзистор с индуцированным каналом | selbstsperrender FET |
| p-МОП-транзистор с индуцированным каналом | selbstperrender pMOS-Transistor |
| МОП-транзистор с индуцированным каналом n-типа | n-Kanal-Anreicherungs-MOSFET |
| МОП-транзистор с каналом р-типа | pMOS-Transistor |
| МОП-транзистор с каналом р-типа | p-Kanal-MOSFET |
| МОП-транзистор с каналом р-типа | p-Kanal-MOS-Transistor |
| МОП-транзистор с каналом р-типа, работающий в режиме обеднения | p-Kanal-Verarmung-MOS-FET |
| МОП-транзистор с каналом р-типа, работающий в режиме обогащения | p-Kanal-MOS-Anreicherungs-IFET |
| МОП-транзистор с каналом р-типа, работающий в режиме обогащения | p-Kanal-Anreicherungs-MOSFET |
| МОП-транзистор с каналом n-типа | n-Kanal-MOS-Transistor |
| МОП-транзистор с каналом n-типа | n-Kanal-MOSFET |
| МОП-транзистор с каналом n-типа | NMOS-Transistor |
| МОП-транзистор с каналом p-типа, работающий в режиме обогащения | p-Anreicherungs-MOS-Transistor |
| МОП-транзистор с обеднением канала | MOS-Transistor vom Verarmungstyp |
| МОП-транзистор с обеднением канала | Verarmungs-MOSFET |
| МОП-транзистор с обеднением канала | MOSFET vom Verarmungstyp |
| МОП-транзистор с обеднением канала | Depletion-MOSFET |
| МОП-транзистор с обогащением канала | MOS-Transistor vom Anreicherungstyp |
| МОП-транзистор с обогащением канала | selbstsperrender FET |
| МОП-транзистор с обогащением канала | selbstsperrender |
| МОП-транзистор с обогащением канала | MOSFET vom Anreicherungstyp |
| МОП-транзистор с обогащением канала | Enhancement-MOSFET |
| МОП-транзистор со встроенным каналом | selbstleitender |
| n-МОП-транзистор со встроенным каналом | selbstleitender NMOS-Transistor |
| МОП-транзистор со встроенным каналом | selbstleitender FET |
| МОП-транзистор со встроенным каналом, используемым в качестве нагрузки | Depletion Load Transistor |
| МОП-транзистор со встроенным каналом, используемым в качестве нагрузки | Verarmungslast-MOSFET |
| МОП-транзистор со встроенным каналом, используемым в качестве нагрузки | Depletionlasttransistor |
| мультиплексная передача данных с пространственным разделением каналов | Raummultiplex |
| мультиплексный канал | Multiplexerkanal |
| нагрузочный транзистор с обеднением канала | Verarmungstyp-Lasttransistor |
| напряжение затвор-канал | Tor-Kanal-Spannung |
| напряжение затвор канал | Tor-Kanal-Spannung |
| обедненный канал | Verarmungskanal |
| встроенный обеднённый канал | Depletionkanal |
| область перекрытия канала | Einschnürgebiet |
| область перекрытия канала | Einschnürbereich |
| обогащённый канал | Anreicherungskanal |
| образование канала | Kanalaufbau |
| образование канала | Kanalausbildung |
| ограничитель канала | Kanalstop |
| ограничитель канала | Kanalstopper (напр., в МОП-транзисторах) |
| ограничитель канала | Kanalstopp |
| ограничитель канала | Channelstopper |
| оптический канал связи | optischer Nachrichtenkanal |
| паразитный канал | parasitarer Kanal |
| передача факсимиле по телефонным каналам | Telefax |
| передача факсимиле по телефонным каналам | Fernkopieren (связи) |
| перекрытие канала | Kanaleinschnurung |
| перекрытие канала | Kanalabschnurung |
| перекрытый канал | eingeschnürter Kanal |
| переход затвор канал | Gatekanaldiode |
| переход затвор-канал | Gate-Kanal-Übergang |
| переход затвор-канал | Gatekanaldiode |
| переход затвор канал | Gate-Kanal-Übergang |
| переход исток-канал | Source-Kanal-Übergang |
| переход исток канал | Source-Kanal-Übergang |
| переход канал-подложка | Übergang zwischen Substrat und Kanal |
| переход канал подложка | Übergang zwischen Substrat und Kanal |
| ПЗС с объёмным каналом | Volumen-CCD |
| ПЗС с объёмным каналом | BCCD-Bauelement |
| ПЗС с объёмным каналом | Bulk-CCD-Bauelement |
| ПЗС с объёмным каналом | volumenladungsgekoppeltes Element |
| ПЗС с объёмным каналом | Bulk or Buried Channel Charge-Coupled Device |
| ПЗС с объёмным каналом | BCCD |
| ПЗС с объёмным каналом с использованием покадрового переноса зарядов | Buried-Channel CCD Frame Transfer |
| ПЗС с объёмным каналом с использованием межстрочного переноса зарядов | Buried-Channel CCD Interline Transfer |
| ПЗС с поверхностным каналом | SCCD |
| ПЗС с поверхностным каналом | SCCD-Bauelement |
| ПЗС с поверхностным каналом | ladungsgekoppelte Schaltung mit Ladungsspeicherung unter der Grenzfläche |
| ПЗС с поверхностным каналом | Surface CCD |
| ПЗС с поверхностным каналом | Oberflächen-CCD-Bauelement |
| ПЗС с поверхностным каналом | Oberflächen-CCD |
| ПЗС со скрытым каналом | Buried-Channel-CCD |
| ПЗС со скрытым каналом | CCD-Element mit begrabenem Kanal |
| ПЗС со скрытым каналом | Bulk or Buried Channel Charge-Coupled Device |
| ПЗС со скрытым каналом | BCCD |
| ПЗС со скрытым каналом | ladungsgekoppelte Schaltung mit vergrabenem Kanal |
| ПЗС со скрытым каналом | BCCD-Bauelement |
| планарный МОП-транзистор с каналом типа | NMOS-Planartransistor |
| планарный МОП-транзистор с каналом n типа | NMOS-Planartransistor |
| поверхностный канал | Oberflächenleitfähigkeitskanal |
| поверхностный канал | Oberflächenkanal |
| подвижный отрицательный заряд в канале | Elektronenladung im Kanal |
| полевой МОП-транзистор с индуцированным каналом | MOSFET vom Anreicherungstyp |
| полевой МОП-транзистор с индуцированным каналом | MOS-Feldeffekttransistor vom Anreicherungstyp |
| полевой МОП-транзистор со встроенным каналом | MOS-Feldeffekttransistor vom Verarmungstyp |
| полевой МОП-транзистор со встроенным каналом | MOSFET vom Verarmungstyp |
| полевой МОП-транзистор со встроенным каналом | MOS-Feldeffekttransistor vom Entblößungstyp |
| полевой транзистор с вертикальным каналом | VFET |
| полевой транзистор с каналом р-типа | p-Kanal-FET |
| полевой транзистор с каналом р-типа | p-Kanal-Feldeffekttransistor |
| полевой транзистор с каналом р-типа | p-JFET |
| полевой транзистор с каналом n-типа | n-Kanal-Feldeffekttransistor |
| полевой транзистор с каналом p-типа | p-JFET |
| полевой транзистор с каналом p-типа | p-Kanal-FET |
| полевой транзистор с каналом n-типа | n-Kanal-FET |
| полевой транзистор с коротким каналом | Kurzkanal-Feldeffekttransistor |
| полевой транзистор с обеднением канала | Depletion FET |
| полевой транзистор с обеднением канала | DFET |
| полевой транзистор с обеднением канала | Verarmungs-FET |
| полевой транзистор с обеднением канала, полевой транзистор со встроенным каналом | Depletion FET |
| полевой транзистор с приповерхностным каналом | Oberflächen-FET |
| полевой транзистор с приповерхностным каналом | Oberflächenfeldeffekttransistor |
| полевой транзистор с субмикронным каналом | Sub-μm-FET |
| полевой транзистор с укороченным каналом | Kurzkanal-Feldeffekttransistor |
| приповерхностный канал | Oberflächenkanal |
| приёмный канал | Empfangekanal |
| проводимость канала | Kanalleitwert |
| проводящий канал | leitfahiger Kanal |
| проводящий канал | Leitfähigkeitskanal |
| проводящий канал | Leitungskanal |
| проводящий канал | leitender Kanal |
| проводящий канал | Stromkanal |
| пропускная способность канала | Kanalkapazitat |
| пропускная способность канала передачи | Übertragungsleistung |
| пропускная способность канала передачи данных | Datendurchsatz |
| пропускная способность канала связи | Übertragungsleistung |
| прямой канал | Vorwärtskanal |
| р-канал | p-Kanal |
| резистивный канал | Widerstandskanal (напр., в ПЗС) |
| рекомбинационный канал | Rekombinationskanal |
| р-МОП-транзистор с индуцированным каналом | selbstperrender pMOS-Transistor |
| скрытый канал | vergrabener Kanal |
| скрытый канал | Befehlszykluser Kanal |
| сопротивление канала | Kanalwiderstand |
| среднеквадратичное значение тепловых шумов канала | mittleres Rauschstromquadrat des thermischen Kanalrauschens |
| стоп-канал травления | Ätzstopp |
| структура с коротким каналом | Kurzkanalstruktur |
| структура с укороченным каналом | Kurzkanalstruktur |
| сужение канала | Kanaleinschnurung |
| суженный канал | eingeschnürter Kanal |
| тепловой шум канала | thermisches Kanalrauschen |
| тепловые шумы канала | thermisches Kanalrauschen |
| технология изготовления эпитаксиальных мезатранзисторов с каналом n-типа | n-Kanal-Mesa-Epitaxie-Technik |
| технология масштабированных МОП ИС с самосовмещёнными затворами и каналами субмикронной длины | Small MOS |
| технология масштабированных МОП ИС с самосовмещёнными затворами и каналами субмикронной длины | Scaled-down MOS |
| технология МОП БИС с каналом р-типа | p-Kanal-MOS-LSI-Technik |
| технология МОП-схем с использованием транзисторов с индуцированным каналом в качестве активных элементов и транзисторов со встроенным каналом в качестве нагрузок | Depletion-Load-Technik |
| технология изготовления МОП-транзисторов с коротким каналом | Kurzkanaltechnik |
| технология изготовления МОП-транзисторов с укороченным каналом | Kurzkanaltechnik |
| ток канала | Kanalstrom |
| толщина канала | Kanaltiefe |
| толщина канала | Kanaldicke |
| транзистор с вертикальным каналом | Vertical Field-Effect Transistor |
| транзистор с вертикальным каналом | Vertikaltransistor |
| транзистор с горизонтальным каналом | Lateraltransistor |
| транзистор с длинным каналом | Langkanaltransistor |
| транзистор с индуцированным каналом | Normally-Off-Transistor |
| транзистор с индуцированным каналом | Enhancement-Transistor |
| транзистор с каналом р-типа | p-Kanal-Transistor |
| транзистор с каналом n-типа | n-Kanal-Transistor |
| транзистор с коротким каналом | Kurzkanaltransistor |
| транзистор с обеднением канала | Verarmungstransistor |
| транзистор с обеднением канала | Transistor vom Verarmungstyp |
| транзистор с обеднением канала | Depletion-Transistor |
| транзистор с обогащением канала | Transistor vom Anreicherungstyp |
| транзистор с обогащением канала | Enhancement-Transistor |
| транзистор с обогащением канала | Anreicherungstransistor |
| транзистор с укороченным каналом | Kurzkanaltransistor |
| транзистор со встроенным каналом | Normally-On-Transistor |
| транзистор со встроенным каналом, используемым в качестве нагрузки | Depletion Load Transistor |
| транзистор со встроенным каналом, используемым в качестве нагрузки | Depletionlasttransistor |
| укорочение канала | Kanallangenverkurzung |
| уровень управления каналом передачи данных | Datensicherungsschicht |
| эпитаксиальный канал | Epitaxiekanal |
| эффект короткого канала | Kurzkanaleffekt |
| эффект "узкого" канала | Schmalkanaleffekt (зависимость порогового напряжения МДП-транзистора от ширины канала и напряжения смещения подложки) |
| эффективная толщина канала | wirksame Kanaldicke |
| эффективное сечение канала | wirksamer Kanalquerschnitt |
| ячейка ПЗС с поверхностным каналом | SCCD-Zelle |
| ёмкость канала | Channel-Kapazität |
