| Russian | German |
| автоматизированное рабочее АРМ оператора системы автоматизированного проектирования и управления производством | CAD/CAM-Arbeitsstation (с помощью ЭВМ) |
| автоматизированное рабочее АРМ оператора системы автоматизированного проектирования и управления производством | CAD/CAM-Arbeitsplatz (с помощью ЭВМ) |
| автоматизированное рабочее АРМ оператора системы автоматизированного проектирования и управления производством | CAD/CAM Arbeitsplatz (с помощью ЭВМ) |
| автоматизированное рабочее место оператора системы автоматизированного проектирования и управления производством | CAD/CAM-Arbeitsstation (с помощью ЭВМ) |
| автоматизированное рабочее место оператора системы автоматизированного проектирования и управления производством | CAD/CAM-Arbeitsplatz (с помощью ЭВМ) |
| автоматизированное рабочее место оператора системы автоматизированного проектирования и управления производством | CAD/CAM Arbeitsplatz (с помощью ЭВМ) |
| алгоритм размещения и трассировки | Plazierungs- und Verbindungsalgorithmus |
| барьерная ёмкость между каналом и подложкой | Kanal-Substrat-Sperrschichtkapazitat |
| библиотека элементов и ячеек | Zellenbibliothek (для автоматизированного проектирования БИС и СБИС) |
| быстродействующая И2Л | HSPL |
| быстродействующая И2Л | HSI2L |
| быстродействующая И2Л | High-Speed IIL |
| быстродействующая И2Л | HSIIL |
| быстродействующая ИС на биполярных и КМОП-транзисторах | Hi-BiCMOS-Schaltung |
| быстродействующая ИС на биполярных и КМОП-транзисторах | Hi-BiCMOS-Schaltkreis |
| быстродействующие ИС на биполярных и КМОП-транзисторах | HI-BICMOS |
| быстродействующие схемы И2Л | HSPL |
| быстродействующие схемы И2Л | HSI2L |
| быстродействующие схемы И2Л | High-Speed IIL |
| быстродействующие схемы И2Л | HSIIL |
| вентиль И | UND-Gatter |
| вентиль И | UND-Tor |
| вентиль И | AND-Gatter |
| вентиль И2Л | IIL-Gatter |
| вентиль И2Л | Iup 2L-Gatter |
| вентиль И НЕ ДТЛ | DTL-NAND-Gatter |
| вентиль И-НЕ ДТЛ | DTL-Gatter |
| вентиль И НЕ ДТЛ | DTL-Gatter |
| вентиль И-НЕ/ ИЛИ-НЕ МОПТЛ | MOS-NAND-NOR-Gatter |
| вентиль И-НЕ КМОПТЛ | CMOS-NAND-Gatter |
| вентиль И НЕ КМОПТЛ | CMOS-NAND-Gatter |
| вентиль И НЕ на комплементарных МОП-транзисторах | CMOS-NAND-Gatter |
| вентиль И НЕ/ИЛИ НЕ МОПТЛ | MOS-NAND-NOR-Gatter |
| вентиль ИЛИ НЕ Иup 2Л | Iup 2L-NOR-Gatter |
| вентиль ИЛИ-НЕ И2Л | I2L-NOR-Gatter |
| вентильная матрица на биполярных и КМОП-транзисторах | Bipolar-CMOS-Gatter |
| ВИС кодека и фильтра на одном кристалле | Combo |
| оптическое волокно с сердцевиной и покрытием | Kern-Mantel-Faser |
| встречно-штыревой преобразователь, аподизованный изменением ширины и наклона штырей электродов | Chirpwandler mit geneigten Fingern |
| 4-входовый вентиль И НЕ | 4-Input-NAND-Gatter |
| 4-входовый вентиль И НЕ на основе усовершенствованных КМОП ИС | ACMOS-Vierfach-NAND-gatter |
| 4-входовый элемент И НЕ | 4-Input-NAND-Gatter |
| 4-входовый элемент И НЕ на основе усовершенствованных КМОП ИС | ACMOS-Vierfach-NAND-gatter |
| выращивание монокристаллов GaAs и InAs методом Чохральского с обволакиванием расплава инертной жидкостью | LEC-Verfahren |
| выращивание монокристаллов GaAs и InAs методом Чохральского с обволакиванием расплава инертной жидкостью | LEC-Technik |
| головка захватывания и позиционирования | Pick-and-Place-Kopf (в установке последовательного монтажа) |
| граница между линейным участком характеристики и областью насыщения | Abschnürgrenze |
| двухвходовый вентиль И | 2-Eingangs-AND-Gatter |
| двухвходовый вентиль И-НЕ | 2-Input-NAND-Gate |
| двухвходовый вентиль И-НЕ | Zwei-Input-NAND-Gate |
| двухвходовый вентиль И-НЕ | 2-Eingangs-NAND-Gatter |
| двухвходовый вентиль И НЕ | Zwei-Input-NAND-Gate |
| двухвходовый вентиль И НЕ | 2-Input-NAND-Gate |
| двухвходовый вентиль И НЕ | 2-Eingangs-NAND-Gatter |
| двухвходовый элемент И | 2-Eingangs-AND-Gatter |
| двухвходовый элемент И-НЕ | Zwei-Input-NAND-Gate |
| двухвходовый элемент И-НЕ | 2-Input-NAND-Gate |
| двухвходовый элемент И НЕ | 2-Input-NAND-Gate |
| двухвходовый элемент И-НЕ | 2-Eingangs-NAND-Gatter |
| двухвходовый элемент И НЕ | Zwei-Input-NAND-Gate |
| двухвходовый элемент И НЕ | 2-Eingangs-NAND-Gatter |
| дефект структуры монокристалла в виде чередующихся светлых и тёмных полос | striations |
| диод, образованный эмиттером, базой и коллектором | Diodenstrecke |
| диод, образованный эмиттером и базой или базой и коллектором | Diodenstrecke |
| диодный вентиль И | Dioden-UND-Schaltung |
| диодный вентиль И | Dioden-UND-Gatter |
| диффузия для формирования стандартной базы и стандартных резисторов | SBC-Diffusion |
| длина пути, пройденного носителями за счёт дрейфа и за счёт диффузии | Drift-Diffusionslänge |
| комбинированная ДМОП- и полевых транзисторах | Bipolar Double-Diffused Metal-Oxide-Semiconductor and Field-Effect Transistor |
| комбинированная ДМОП и полевых транзисторах | Bipolar Double-Diffused Metal-Oxide-Semiconductor and Field-Effect Transistor |
| зазор между маской и подложкой | Abstand Maske-Wafer (при бесконтактном переносе изображения) |
| зазор между маской и фоторезистом | Abstand Maske-Resist |
| зазор между полупроводниковой пластиной и фотошаблоном | Wafer-Maske-Abstand |
| зазор между трафаретом и подложкой | Sieb-Substrat-Abstand |
| зазор между фотошаблоном и пластиной | Abstand Schablone-Scheibe |
| звено выборки и хранения | Sample-and-hold-Glied |
| ЗУ для считывания и записи с произвольным доступом | RAM-Speicher |
| комбинированное ЗУ на гибких магнитных дисках и ЦМД | Flubble-Speicher |
| ЗУ на гибких магнитных дисках и ЦМД | Flubble-Speicher a |
| ЗУ на ПЗС с псевдопроизвольной выборкой и строчной адресацией | Line Addressable RAM |
| ЗУ на ПЗС с произвольной выборкой и строчной адресацией | LARAM |
| ЗУ на ПЗС с псевдопроизвольной выборкой и строчной адресацией | LARAM |
| управляющие J- и K-входы | JK-Eingänge |
| И2Л | integrierte Injektionslogik |
| И2Л | Merged Transistor Logic |
| И3Л | Isoplanar-IIL |
| Иup 2Л | Iup 2L |
| И2Л | MTL |
| И2Л на гетеропереходах | Heterojunction I2L |
| И2Л на гетеропереходах | HIIL |
| И2Л на гетеропереходах | H2L |
| И2Л с вертикальными инжекторами | Vertical Injection Logic |
| И2Л с вертикальными инжекторами | VIL |
| И2Л с диодами Шоттки | Schottky-I2L |
| И2Л с диодами Шоттки | SIIL |
| И2Л с диодами Шоттки | Schottky-IIL |
| И2Л с диодами Шоттки | Schottky I2L |
| интегральная И2Л с диодами Шоттки | Schottky-Injektionslogik |
| И3Л с диодами Шоттки | Schottkyintegrierte Injektionslogik |
| И2Л с диодами Шоттки | SIup2L |
| Иup 2Л-схемотехника | Iup 2L-Schaltungstechnik |
| И3Л-схемы | isoplanare integrierte Injektionslogik |
| Иup 2Л-схемы | Iup 2L |
| Иup 2Л-схемы | Iup 2L-Schaltkreise |
| И2Л-схемы | MTL-Schaltkreise |
| И2Л-схемы | MTL |
| И2Л-схемы с вертикальными инжекторами | vertikale Injektionslogik |
| И2Л-схемы с вертикальными инжекторами | Vertikalinjektionslogik |
| И2Л-схемы с коллектором-рекомбинатором для ограничения насыщения | Folded Collector I2L |
| И2Л-технология | HSPL |
| И2Л-технология | MTL-Technologie |
| И2Л-технология | HSI2L |
| И2Л-технология | PL-Technologie |
| И2Л-технология | PL-Technik |
| И2Л-технология | MTL-Technik |
| И2Л-технология | HSIIL |
| изготовление фотошаблонов и промежуточных фотооригиналов методом электронно-лучевого экспонирования | Schablonenbelichtung |
| комбинированная изоляция оксидом и нитридом кремния | Oxinitridprozess |
| изопланарная Иup 3Л | Iup 3L |
| изопланарная И2Л | Isoplanar-IIL |
| изопланарные И2Л-схемы | isoplanare integrierte Injektionslogik |
| инвертор на биполярных и КМОП-транзисторах | BiCMOS-Inverter |
| интегральная структура на биполярных и МОП-транзисторах | Bipolar-MOS-Bauelementestruktur |
| интегральная структура на биполярных транзисторах и полевых транзисторах с изолированным затвором | Bipolar-IGFET-Bauelementestruktur |
| интегральная структура на биполярных транзисторах и полевых транзисторах с изолированным затвором | BIGFET-Struktur |
| интегральная структура на биполярных транзисторах и полевых транзисторах с p-n-переходом | Bipolar-SFET-Bauelementestruktur |
| интегральный усилитель на биполярных и полевых транзисторах с p-n-переходом | BIFET-Verstärker |
| интеграция элементов ИС в объёме и на поверхности кристалла | monolithische Integration |
| интегрирование и "разинтегрирование" | Auf- und Abintegration |
| интегрирование и "разинтегрирование" | auf und Abintegration |
| ИС на биполярных и КМОП-транзисторах | Bi-CMOS-IC |
| ИС на биполярных и МОП-транзисторах | BIMOS-IC |
| ИС на биполярных и МОП-транзисторах | MOSBi |
| ИС на биполярных и МОП-транзисторах | BIMOS |
| ИС на биполярных транзисторах и полевых транзисторах с изолированным затвором | BIGFET |
| ИС на биполярных транзисторах и полевых транзисторах с изолированным затвором | Bipolar-IGFET |
| ИС на биполярных транзисторах и полевых транзисторах с изолированным затвором | Bipolar Insulated-Gate Field-Effect Transistor |
| ИС на биполярных транзисторах и полевых транзисторах с p-n-переходом | BIFET |
| ИС на биполярных транзисторах и полевых транзисторах с p-n-переходом | Bipolar-SFET |
| ИС на биполярных транзисторах и полевых транзисторах с p-n-переходом | Bipolar Junction Field-Effect Transistor |
| ИС на МОП-транзисторах с обогащением и обеднением канала | ED-MOSFET |
| ИС на приборах с переносом электронов и полевых транзисторах | TED-FET-IS (на арсениде галлия) |
| ИС операционного усилителя на биполярных транзисторах и полевых транзисторах с p-n-переходом | BIFET-Operationsverstärker |
| ИС совмещённого типа на КМОП-транзисторах и биполярных транзисторах | CMOS-Bipolar-Schaltung |
| логические ИС совмещённого типа на КМОП-транзисторах и биполярных транзисторах | CMOS-Bipolar-Logik |
| испытания в атмосфере насыщенного водяного пара при повышенных давлении и температуре | Dampfdrucktest |
| карточка со встроенным кристаллом памяти и микропроцессора | Smart Card |
| КИП и автоматика | BMSR-Technik |
| КМОП БИС кодека и фильтра на одном кристалле | CMOS-Combo |
| КМОП ИС с самосовмещёнными поликремниевыми затворами и изоляцией p-n-переходами | Silicon-Gate Self-Aligned Junction Insulation CMOS |
| КМОП-инвертор с МОП-транзистором с индуцированным каналом p-типа в качестве активного элемента и с работающим в режиме обеднения n-канальным транзистором с глубокообеднённым слоем в качестве нагрузки | komplementärer Depletion-Load-Inverter |
| КМОП-инвертор с МОП-транзистором с каналом p-типа в качестве активного элемента и с n-канальным транзистором с глубокообеднённым слоем в качестве нагрузки | komplementärer Depletion-Load-Inverter |
| комбинированная система с ожиданием и потерями | Warte-Verlust-System |
| комбинированная структура на ПЗС и МОП БИС на одном кристалле | Charge-Coupled DeviceMetal-Oxide-Semiconductor Array Integrated Circuit |
| комбинированная технология ИС на биполярных и МОП-транзисторах | Cache-Technik |
| комбинированная технология ИС на КМОП-транзисторах и биполярных транзисторах | CMOS-Bipolar-Mischtechnik |
| комбинированная технология линейных ИС на КМОП-транзисторах, совмещённых с полевыми транзисторами с p-n-переходом, биполярными транзисторами вертикальной структуры и стабилитронами | LC2-MOS-Prozess (см. LC-CMOS) |
| комбинированная технология линейных ИС на КМОП-транзисторах, совмещённых с полевыми транзисторами с p-n-переходом, биполярными транзисторами вертикальной структуры и стабилитронами | LC2MOS (см. LC-CMOS) |
| комбинированная технология линейных ИС на КМОП-транзисторах, совмещённых с полевыми транзисторами с р-n-переходом, биполярными транзисторами вертикальной структуры и стабилитронами | LC-CMOS (см. LC2MOS) |
| комбинированноеa ЗУ на гибких магнитных дисках и ЦМД | Flubble-Speicher |
| контроль качества позиционирования и монтажа компонентов на поверхность плат | SMD-Bestückungskontrolle |
| корпус, состоящий из соединённых друг с другом основания и крышки | Halbschalengehäuse |
| лазерная система видеозаписи и воспроизведения с использованием лазерных видеодисков | Laservision |
| ЛВС с магистральной структурой и эстафетным доступом | Token-Bus-LAN |
| логика на полевых транзисторах и диодах Шоттки | Schottky-Dioden-FET-Logik |
| логика на полевых транзисторах и диодах Шоттки | Schottky Diode FET Logic |
| логика на полевых транзисторах и диодах Шоттки | SDFL |
| логическая матричная БИС на биполярных и КМОП-транзисторах | BiCMOS-Logikarray |
| логическая функция И | logische UND |
| логическая функция И | logische logische Funktion |
| логическая функция И | logische UND-Funktion |
| логическая функция И | logische AND-Funktion |
| логическая функция НЕ-И | logische NICHT-UND-Funktion |
| логическая функция НЕ-И | logische NIGHT-UND |
| логическая функция НЕ-И | logische logische Funktion |
| логическая функция НЕ-И | logische NAND-Funktion |
| логические схемы на полевых транзисторах и диодах Шоттки | Schottky Diode FET Logic |
| логические схемы на полевых транзисторах и диодах Шоттки | SDFL |
| логические схемы на полевых транзисторах и диодах Шоттки | Schottky-Dioden-FET-Logik |
| помехоустойчивые логические схемы с низким быстродействием и высокой помехоустойчивостью | Langsame Störsichere Logik |
| логический вентиль И | logische AND-Schaltung |
| логический вентиль И | logische UND-Schaltung |
| логический вентиль И | UND-Gatter |
| логический вентиль И-НЕ | NAND-Gatter |
| логический вентиль И НЕ | NAND-Gatter |
| логический вентиль И-НЕ ТТЛ | TTL-NAND-Gatter |
| логический вентиль НЕ-И | NICHT-UND-Gatter |
| логический вентиль НЕ-И | logische NAND-Schaltung |
| логический вентиль НЕ-И | NAND-Gatter |
| логический элемент И | UND-Tor |
| логический элемент И | UND-Gatter |
| логический элемент И | AND-Gatter |
| логический элемент И НЕ | NAND-Gatter |
| логический элемент И-НЕ ТТЛ | TTL-NAND-Gatter |
| логический элемент на полевых транзисторах и диодах Шоттки | SDFL-Gatter |
| логический элемент НЕ-И | logisches NICHT-UND-Glied |
| магнитофон с цифровой системой записи и воспроизведения | PCM-Recorder |
| максимально допустимое напряжение между коллектором и эмиттером | Uce max |
| максимально-допустимое напряжение между коллектором и эмиттером | maximal zulässige Kollektor-Emitter-Spannung |
| максимально-допустимое напряжение между эмиттером и базой | Ueb max |
| максимально-допустимое напряжение между эмиттером и базой | maximal zulässige Emitter-Basis-Spannung |
| маскирование оксидом и нитридом кремния | Oxid-Nitrid-Maskierung |
| матричная БИС на биполярных и КМОП-транзисторах | BiCMOS-Array |
| матричная БИС на биполярных и КМОП-транзисторах | Bipolar-CMOS-Gatter |
| матричная БИС на биполярных и КМОП-транзисторах | BI-CMOS-Gate-Array |
| микрозазор между маской и подложкой | Abstand Maske-Wafer (при экспонировании на микрозазоре) |
| модель Кронига и Пенни | Kronig und Penney-Modell |
| модуль для сборки и монтажа компонентов на поверхность плат | SMD-Bestückungsplatz |
| Монтажное И | Wired-AND |
| МОП-схема с уменьшенной площадью кристалла и элементами пропорционально уменьшенных размеров | skalierter MOS-Schaltkreis |
| МОП-транзистор с плавающим затвором и тонким слоем туннельного оксида | FLOTOX-Transistor |
| накопление и хранение заряда | Ladungsspeicherung |
| напряжение между базой и коллектором | Basis-Kollektor-Spannung |
| напряжение между коллектором и базой | Kollektor-Basis-Spannung |
| напряжение между коллектором и эмиттером | Kollektor-Emitter-Spannung |
| напряжение между коллектором и эмиттером в режиме насыщения | Uce sat |
| напряжение между коллектором и эмиттером в режиме насыщения | Kollektor-Emitter-Spannung im Sättigungsbetrieb |
| напряжение между коллектором и эмиттером при коротком замыкании между эмиттером и базой | Kollektor-Emitter-Spannung bei Kurzschluss zwischen Basis und Emitter |
| напряжение между стоком и истоком | Drain-Source-Spannung |
| напряжение между эмиттером и базой в режиме насыщения | Ueb sat |
| напряжение между эмиттером и базой в режиме насыщения | Emitter-Basis-Spannung im Sättigungsbetrieb |
| обратный ток коллекторного перехода при коротком замыкании между эмиттером и базой | Kollektorreststrom bei Kurzschluss zwischen Basis und Emitter |
| оптическое волокно с сердцевиной из кварцевого стекла и пластмассовой оболочкой | Plastmantel-Glasfaser |
| остаточное напряжение между коллектором и эмиттером | Kollektorrestspannung |
| остаточное напряжение между коллектором и эмиттером | Kollektor-Emitter-Restspannung |
| отношение обратного и прямого сопротивлений | Sperrverhältnis |
| отношение сопротивлений p-n-перехода в запертом и открытом состояниях | Sperrverhältnis |
| память для считывания и записи с произвольным доступом | RAM-Speicher |
| включаемая на входе пара Дарлингтона на полевом и комплементарном биполярном транзисторах | JFET-Darlingtonpaar |
| переключаемый положительным и отрицательным фронтами | Zweiflankenflipflop |
| переключение триггера фронтом и срезом тактового импульса | Zweiflankensteuerung |
| перекрытие затвора и истока | Überlappung von Torelektrode und Quelle |
| перекрытие затвора и стока | Überlappung von Torelektrode und Senke |
| переход между нижним и верхним уровнями | Übergang zwischen unterem und oberem Niveau |
| переход между нижним и верхним уровнями | Übergang vom unteren zum oberen Niveau |
| ПЗС-структура с записью и сбросом информационных зарядов | Fill-and-spill-Struktur |
| плазменный реактор для получения нитридных и оксидных плёнок | NITROX-Reaktor |
| подача и перемещение | Handhabung |
| полевой транзистор на арсениде галлия с барьером Шоттки и гетеропереходом | GaAs-Heterostruktur-FET |
| полевой транзистор на арсениде галлия с барьером Шоттки и гетеропереходом | GaAs-HFET |
| полевой транзистор на арсениде галлия с барьером Шоттки и гетеропереходом | Heterostruktur-FET |
| полевой транзистор на арсениде галлия с барьером Шоттки и гетеропереходом | HFET |
| полевой транзистор на арсениде галлия с барьером Шоттки и гетеропереходом | Heterostruktur-Feldeffekttransistor |
| полевой транзистор с затвором Шоттки на арсениде галлия с самосовмещёнными n+-областями истока и стока | n+selbstjustierender GaAs-MESFET |
| приборы и компоненты для поверхностного монтажа | Surface Mount DevicesComponents |
| Проводное И | Wired-AND |
| программа контроля и коррекции ошибок | Fehlermaßnahmeprogramm |
| проекционная ионно-лучевая литография с шаблоном и уменьшением масштаба изображения | verkleinernde Maskenprojektion |
| проекционная установка последовательного шагового экспонирования и совмещения | Step-and-Repeat-Projektor |
| проекционная установка совмещения и экспонирования | Scanning-Projektor |
| проекционная установка совмещения и экспонирования | Projektionsjustier und Belichtungsanlage |
| проекционная установка совмещения и экспонирования | Projektionsscanner |
| проекционная установка совмещения и экспонирования с масштабом передачи изображения 1:1 | Scanning-1:1-Projektionsbelichtungsanlage |
| промышленная техника автоматического измерения, управления и регулирования | BMSR-Technik |
| процесс записи и сброса информационных зарядов | Fill-and-spill-Verfahren (в ПЗС) |
| пятивходовый вентиль И-НЕ | 5-Eingangs-NAND-Gatter |
| пятивходовый вентиль И НЕ | 5-Eingangs-NAND-Gatter |
| пятивходовый элемент И-НЕ | 5-Eingangs-NAND-Gatter |
| пятивходовый элемент И НЕ | 5-Eingangs-NAND-Gatter |
| регистр команд и состояния | Zustandsregister |
| режим прямого и обратного счёта | Vorrückwärtsbetrieb |
| рентгеновская установка совмещения и экспонирования | Röntgenjustier und Belichtungsanlage |
| рентгеновская установка совмещения и экспонирования | Röntgenbelichtungsanlage |
| сборка и герметизация ИС | mikroelektronische Kapselung |
| сборка и монтаж кристаллов в кристаллодержатели с паучковыми выводами на гибком ленточном носителе | Spinnenmontage |
| серия матричных БИС на биполярных и КМОП-транзисторах | BI-CMOS-Gate-Array-Familie |
| синхронизация триггера положительным и отрицательным фронтами | Zweiflankensteuerung |
| система автоматизированного проектирования и управления производством | CAD/CAM-System (с помощью ЭВМ) |
| слаболегированный слой кремния между p и n-областями | PSN |
| совмещение кристалла и подложки | Ausrichtung von Chip und Substrat |
| соотношение между рассеиваемой мощностью и быстродействием ИС | Leistungs-Geschwindigkeits-Verhältnis |
| стол для ориентации и совмещения подложек | Substratjustiertisch |
| структура с записью и сбросом информационных зарядов | Fill-and-spill-Struktur |
| схема выборки и хранения | Sample-hold-Schaltkreis |
| схема выборки и хранения | Sample-and-hold-Schaltung |
| схема выборки и хранения | Abtast-Halte-Schaltkreis |
| схема выборки и хранения | Abtast-Halte-Schaltung |
| схема выборки и хранения | Abtast und Halteschaltung |
| схема И-НЕ в базисе ТТЛ | TTL-NAND-Schaltkreis |
| схема И НЕ в базисе ТТЛ | TTL-NAND-Schaltkreis |
| схема, переключаемая фронтом и срезом импульса | flankenzustandsgetriggerte Schaltung |
| схема с многопетлевой обратной связью и замыканием всех петель на вход схемы | FLF-Schaltung |
| схема слежения и хранения | Track-and-Hold-Schaltung |
| схемотехническое проектирование И2Л-схем | I2L-Schaltungstechnik |
| схемы Иup 2Л | Iup 2L |
| схемы И2Л | MTL |
| схемы И2Л с изоляцией элементов поликристаллическим кремнием | Poly-IIL |
| счетверённый операционный усилитель на биполярных и полевых транзисторах | Vierfach-BiFET-OPV |
| техника разрезания и отделения защитной плёнки | Schneid- und Ablösetechnik (при лазерном скрайбировании) |
| техника разрезания и отделения защитной плёнки | Schneid und Ablösetechnik (при лазерном скрайбировании) |
| электронная техника с использованием электронных и электромеханических элементов | Semielektronik |
| техника формирования и передачи видеосигналов | Videofrequenztechnik |
| технология автоматизирования проектирования и управления производством | CAD/CAM-Technologie (с помощью ЭВМ) |
| технология биполярных БИС с самосовмещёнными областями и поликремниевыми резисторами | PSA-Technik |
| технология биполярных БИС с самосовмещёнными эмиттером и базой | BEST |
| технология биполярных ВИС с самосовмещёнными областями и поликремниевыми резисторами | PSA |
| технология биполярных ВИС с самосовмещёнными областями и поликремниевыми резисторами | PSA-Technik |
| технология биполярных ИС с самосовмещёнными эмиттером и базой | selbstjustierte Basis-Emitter-Technik |
| технология биполярных ИС с самосовмещёнными эмиттером и базой | Base-Emitter Self-aligned Technology |
| технология биполярных ИС с самосовмещёнными эмиттером и базой | Base-Emitter Selfaligned Technology |
| технология быстродействующих ИС на биполярных и КМОП-транзисторах | Hi-BiCMOS-Technik |
| технология быстродействующих ИС на биполярных и КМОП-транзисторах | High-Speed Bipolar CMOS |
| технология быстродействующих ИС на биполярных и КМОП-транзисторах | HI-BICMOS |
| технология И2Л-схем | PL-Technologie |
| технология И2Л-схем | PL-Technik |
| технология изготовления МОП ЗУ с плавающим затвором и тонким слоем туннельного оксида | Flotox |
| технология изготовления МОП ЗУ с плавающим затвором и тонким слоем туннельного оксида | Floating-Gate Tunnel Oxide |
| технология ИС на биполярных и КМОП-транзисторах | BiCMOS-Technik |
| комбинированная технология ИС на биполярных и КМОП-транзисторах | Bi-CMOS-Technologie |
| технология изготовления ИС на биполярных и МОП-транзисторах | BIMOS-Technik |
| технология ИС на биполярных и МОП-транзисторах | MOSBi |
| технология изготовления ИС на биполярных и МОП-транзисторах | BIMOS |
| комбинированная технология ИС на биполярных и МОП-транзисторах с поликремниевыми затворами | SIGBIP |
| комбинированная технология ИС на биполярных транзисторах и МОП-транзисторах с поликремниевыми затворами | Silicon Gate MOS Bipolar Technology |
| технология изготовления ИС на биполярных транзисторах и полевых транзисторах с p-n-переходом | BIFET-Technik |
| технология КМОП ИС с самосовмещёнными поликремниевыми затворами и изоляцией p-n-переходами | Silicon-Gate Self-Aligned Junction Insulation CMOS |
| комбинированная технология линейных ИС на биполярных и КМОП-транзисторах | Linear Compatible CMOS |
| технология масштабированных МОП ИС с самосовмещёнными затворами и каналами субмикронной длины | Small MOS |
| технология масштабированных МОП ИС с самосовмещёнными затворами и каналами субмикронной длины | Scaled-down MOS |
| технология МОП БИС с высокоомными стоками и истоками, сформированными двойной ионной имплантацией | Double-Implanted Lightly-Doped Drain/source process |
| технология МОП БИС с плавающим затвором и двумя инжекторами | Dual Injection Floating Gate MOS |
| технология МОП БИС с плавающим затвором и двумя инжекторами | DIFMOS |
| технология МОП ИС с обогащением активных транзисторов и обеднением нагрузок | E/D-Technik |
| технология МОП ИС с обогащением активных транзисторов и обеднением нагрузок | ED-MOS |
| технология МОП ИС с обогащением активных транзисторов и обеднением нагрузок | ED-MOS-Technik |
| технология МОП ИС с обогащением активных транзисторов и обеднением нагрузок | ED-Technik |
| технология МОП ИС с обогащением активных транзисторов и обеднением нагрузок | Enhancement-Depletion-Technik |
| технология МОП ИС с обогащением активных транзисторов и обеднением нагрузок | Depletion-Load-Technik |
| технология изготовления МОП ИС с самосовмещёнными затворами и толстым оксидным слоем | SATO-Technik |
| технология МОП-схем с использованием транзисторов с индуцированным каналом в качестве активных элементов и транзисторов со встроенным каналом в качестве нагрузок | Depletion-Load-Technik |
| ток между истоком и стоком | Source-Drain-Strom |
| точность и постоянство натяжения | Spanngenauigkeit (сетки трафарета) |
| триггер И-НЕ | NAND-Flipflop |
| триггер И НЕ | NAND-Flipflop |
| триггер, переключаемый положительным и отрицательным фронтами | Zweiflankenflipflop |
| триггер, переключаемый положительным и отрицательным фронтом и срезом тактового импульса | Zweiflankenflipflop |
| MS-триггер с блокировкой входов J и К | Master-Slave-Flipflop mit Data-lockout |
| триггер, синхронизируемый положительным и отрицательным фронтом | zweiflankengesteuertes Flipflop |
| трёхвходовый вентиль И | 3-Eingang-AND-Gatter |
| трёхвходовый элемент И | 3-Eingang-AND-Gatter |
| управляющие J и К-входы | JK-Eingange |
| усилитель выборки и хранения | Sample-and-hold-Verstärker |
| усилитель выборки и хранения | Sample-Hold-Verstärker |
| усилитель выборки и хранения | Abtast-Halte-Verstärker |
| усилитель слежения и хранения | Track-and-Hold-Verstärker |
| усилитель слежения и хранения | Track-Hold-Verstärker |
| установка для лакировки и сушки | Lackiertrockenstrecke |
| установка для лакировки и сушки | Lackiertrockeneinrichtung |
| установка для юстировки и экспозиции | Justier und Belichtungseinrichtung |
| установка лазерного совмещения и экспонирования | Laserbelichtungsanlage |
| установка оптического совмещения и экспонирования | optische Justier- und Belichtungsanlage |
| установка оптического совмещения и экспонирования | optische Junction-Isolationsprozess |
| установка отмывки и очистки | Schrubbmaschine |
| установка проекционного совмещения и экспонирования | Maskenprojektionsjustier- und Belichtungsanlage |
| установка проекционного совмещения и экспонирования | Maskenprojektionsjustier und Belichtungsanlage |
| установка совмещения и мультипликации | Projektions- und Überdeckungsrepeater für direkte Waferbelichtung |
| автоматизированная установка совмещения и мультипликации | AÜR |
| установка совмещения и мультипликации | Überdeckungsrepeater |
| установка совмещения и мультипликации | Scheibenrepeatanlage |
| установка совмещения и мультипликации | Scheibenrepeater |
| автоматизированная установка совмещения и мультипликации | automatischer Überdeckungsrepeater |
| установка совмещения и мультипликации | Projektions und Überdeckungsrepeater |
| установка совмещения и мультипликации | Projektion für direkte Waferbelichtung |
| установка совмещения и экспонирования | Maskenjustier und Belichtungsanlage |
| установка совмещения и экспонирования | Strukturkopieranlage (для переноса изображения фотошаблона на полупроводниковую пластину) |
| установка совмещения и экспонирования | Waferjustier- und Belichtungsanlage |
| установка совмещения и экспонирования | JUB |
| установка совмещения и экспонирования | Waferjustier und Belichtungsanlage |
| установка совмещения и экспонирования | Justier und Belichtungseinrichtung |
| установка совмещения и экспонирования | Mask-Aligner |
| установка совмещения и экспонирования | Justier und Belichtungsanlage |
| установка фотолитографии с микрозазором и УФ-экспонированием | Abstandsjustier- und Belichtungsanlage für UV-Licht |
| установка фотолитографии с микрозазором и УФ-экспонированием | Abstandsbelichtungsverfahren für UV-Licht |
| устройство выборки и хранения | Sample-and-hold-Einheit |
| устройство выборки и хранения | Sample-and-hold-Schaltung |
| устройство выборки и хранения | Sample-hold-Schaltkreis |
| устройство выборки и хранения | Abtast-Halte-Schaltkreis |
| устройство выборки и хранения | Abtast-Halte-Schaltung |
| устройство выборки и хранения | Abtast und Halteschaltung |
| устройство выборки и хранения | Abtast und Halteglied |
| устройство выборки и хранения стробирующего типа | Abtast-Halte-Tor |
| устройство для чтения микрофильмов и микрофишей | Rückvergrößerungsgerät |
| устройство подачи и перемещения | Handhabevorrichtung |
| фантомная схема И | Phantom-AND |
| ЦАП с кодоуправляемым делителем типа R2R и генераторами равнономинальных токов | DA-Umsetzer mit R2R-Widerstandsnetzwerk und identischen Stromquellen |
| четырёхвходовый вентиль И-НЕ | 4-Eingangs-NAND-Gatter |
| четырёхвходовый вентиль И НЕ | 4-Eingangs-NAND-Gatter |
| четырёхвходовый элемент И-НЕ | 4-Eingangs-NAND-Gatter |
| четырёхвходовый элемент И НЕ | 4-Eingangs-NAND-Gatter |
| четырёхслойный транзистор с областью собственной проводимости между базой и коллектором | Intrinsic-Barrier-Transistor |
| четырёхслойный транзистор с областью собственной проводимости между базой и коллектором | Intrinsic-Barrier-Transistor |
| шлифование и полирование поверхностей | Oberflächenglättung (полупроводниковых пластин) |
| шум на входе при коротком замыкании на эмиттерном и коллекторном диодах | Kurzschlussrauscheinström-ung (биполярного транзистора) |
| шум на входе при коротком замыкании на эмиттерном и коллекторном диодах | Kurzschlussrauscheinstromung (биполярного транзистора) |
| эвтектика золота и кремния | Gold-Silizium-Eutektik |
| элемент И2Л | IIL-Gatter |
| элемент И2Л | Iup 2L-Gatter |
| элемент И НЕ | NAND-Glied |
| элемент И НЕ ДТЛ | DTL-NAND-Gatter |
| элемент И-НЕ ДТЛ | DTL-Gatter |
| элемент И НЕ ДТЛ | DTL-Gatter |
| элемент И-НЕ/ ИЛИ-НЕ МОПТЛ | MOS-NAND-NOR-Gatter |
| элемент И-НЕ КМОПТЛ | CMOS-NAND-Gatter |
| элемент И НЕ КМОПТЛ | CMOS-NAND-Gatter |
| элемент И НЕ на комплементарных МОП-транзисторах | CMOS-NAND-Gatter |
| элемент И НЕ/ИЛИ НЕ МОПТЛ | MOS-NAND-NOR-Gatter |
| элемент ИЛИ НЕ Иup 2Л | Iup 2L-NOR-Gatter |
| элемент ИЛИ-НЕ И2Л | I2L-NOR-Gatter |
| элемент Монтажное И | Wired-AND-Gatter |
| элемент Проводное И | Wired-AND-Gatter |
| эфиры коричной кислоты и поливинилового спирта | Zimtsäurester des Polyvinylalkohols |
