| Russian | English |
| автоматический генератор команд перехода в ходе вычислений | automatic computing transfer |
| автоматическое изменение маршрута проведения межсоединений в БИС | automatic alternative routing |
| атака типа "отказ в обслуживании" 7. контактная площадка | blivet |
| базовый контакт в виде барьера Шоттки | Schottky base contact |
| барьер в виде сверхрешётки с коротким периодом | short period superlattice barrier |
| барьер в структуре с резонансным туннелированием | resonant tunneling barrier |
| безнадёжно испорченная в результате многократных переделок программа | blivet |
| биполярный транзистор с базой в виде инверсионного канала | bipolar inversion channel FET |
| биполярный транзистор с туннельным барьером в эмиттерной | barrier-emitter transistor |
| быть в фазе с | be in phase with (вовка) |
| в виде импульса | pulsewise (вовка) |
| в виде рисунка | patterned (Svetozar) |
| вариант в виде ГИС | hybrid version |
| вариант в виде полупроводниковой ИС | monolithic version |
| введение фтора в соединение | fluorination |
| вклеивание компонентов в ленту | taping |
| включение события в список событий | event scheduling |
| время вывода установки в рабочий режим | ramp time |
| время задержки распространения сигнала при переходе в высокоимпедансное состояние из состояния высокого уровня | disable time of a 3-state output from high level (динамический параметр тристабильной логической ИС ssn) |
| время задержки распространения сигнала при переходе в высокоимпедансное состояние из состояния низкого уровня | disable time of a 3-state output from low level (динамический параметр тристабильной логической ИС ssn) |
| время задержки распространения сигнала при переходе в состояние "выключено" из состояния высокого уровня | disable time of a 3-state output from high level (динамический параметр тристабильной логической ИС ssn) |
| время задержки распространения сигнала при переходе в состояние "выключено" из состояния низкого уровня | disable time of a 3-state output from low level (динамический параметр тристабильной логической ИС ssn) |
| время задержки распространения сигнала при переходе из высокоимпедансного состояния в состояние высокого уровня | enable time of a 3-state output to high level (динамический параметр тристабильной логической ИС ssn) |
| время задержки распространения сигнала при переходе из высокоимпедансного состояния в состояние низкого уровня | enable time of a 3-state output to low level (динамический параметр тристабильной логической ИС ssn) |
| время задержки распространения сигнала при переходе из состояния "выключено" в состояние высокого уровня | enable time of a 3-state output to high level (динамический параметр тристабильной логической ИС ssn) |
| время задержки распространения сигнала при переходе из состояния "выключено" в состояние низкого уровня | enable time of a 3-state output to low level (динамический параметр тристабильной логической ИС ssn) |
| время запрета срабатывания при переходе в высокоимпедансное состояние из состояния высокого уровня | disable time of a 3-state output from high level (в тристабильных логических ИС ssn) |
| время запрета срабатывания при переходе в высокоимпедансное состояние из состояния низкого уровня | disable time of a 3-state output from low level (в тристабильных логических ИС ssn) |
| время запрета срабатывания при переходе в состояние "выключено" из состояния высокого уровня | disable time of a 3-state output from high level (в тристабильных логических ИС ssn) |
| время запрета срабатывания при переходе в состояние "выключено" из состояния низкого уровня | disable time of a 3-state output from low level (в тристабильных логических ИС ssn) |
| время разрешения срабатывания при переходе из высокоимпедансного состояния в состояние высокого уровня | enable time of a 3-state output to high level (в тристабильных логических ИС ssn) |
| время разрешения срабатывания при переходе из высокоимпедансного состояния в состояние низкого уровня | enable time of a 3-state output to low level (в тристабильных логических ИС ssn) |
| время разрешения срабатывания при переходе из состояния "выключено" в состояние высокого уровня | enable time of a 3-state output to high level (в тристабильных логических ИС ssn) |
| время разрешения срабатывания при переходе из состояния "выключено" в состояние низкого уровня | enable time of a 3-state output to low level (в тристабильных логических ИС ssn) |
| вскрытие окна в маске для диффузии | diffusion-mask opening |
| вскрытие окна в маске для диффузии | contact opening |
| входная информация в виде графического представления импульса | wave form input |
| вывод в виде крыла альбатроса | albatross wing lead |
| вывод в виде крыла чайки | sea-gull lead |
| вывод в виде крыла чайки | gull wing lead |
| выигрыш в быстродействии | speed gain |
| выполненный в крупном масштабе | large-scale |
| выращивание монокристаллов методом вытягивания в вертикальном направлении | vertical pulling |
| генератор сигналов в форме меандра | square waveform generator (ssn) |
| ГИС в пластмассовом корпусе | plastic-encapsulated hybrid |
| ГИС в пластмассовом корпусе | plastic-coated hybrid |
| грань, расположенная в плоскости 100 | 100 plane face |
| дефект в виде перегретого участка | hot spot defect |
| диоксид кремния, сформированный в канавках | recessed silicon dioxide |
| дистанционный ввод задач в диалоговом режиме | conversational remote job entry |
| дистанционный пакетный ввод в диалоговом режиме | conversational remote batch entry |
| диффузия в соответствии с функцией дополнения интеграла ошибок | error-function diffusion |
| допуск в узких пределах | tight tolerance |
| допуск в широких пределах | loose tolerance |
| задержка переключения логической схемы из 0 в 1 | rise delay |
| задержка переключения логической схемы из 0 в 1 | fall delay |
| заключать в оболочку | clothe (напр. стекловолоконный кабель) |
| заключать в оболочку | clad (напр. стекловолоконный кабель) |
| закорачивающие перемычки в металлизации | bridging metallization |
| зонд для внесения неисправностей в ИС | fault inject probe |
| изготавливаемая по заказу интегральная схема, предназначенная для использования в специфичных приложениях | custom-built IC designed to address a specific application (ssn) |
| изготавливаемая по заказу интегральная схема, предназначенная для использования в специфичных приложениях | custom-built integrated circuit designed to address a specific application (ssn) |
| изготавливаемая по заказу ИС, предназначенная для использования в специфичных приложениях | custom-built IC designed to address a specific application (ssn) |
| изготавливаемая по заказу ИС, предназначенная для использования в специфичных приложениях | custom-built integrated circuit designed to address a specific application (ssn) |
| изготавливаемая по заказу микросхема, предназначенная для использования в специфичных приложениях | custom-built IC designed to address a specific application (ssn) |
| изготавливаемая по заказу микросхема, предназначенная для использования в специфичных приложениях | custom-built integrated circuit designed to address a specific application (ssn) |
| изготовление в один этап | single-step preparation |
| изменения в интегральной схеме | silicon-based changes (Alex_Odeychuk) |
| измерение в условиях эффекта близости | proximity effect measurement |
| изображение в светлом поле | bright field image |
| изображение в слабом пучке | weak beam image |
| изображение в тёмном поле | dark field image |
| импеданс в режиме малого сигнала | small-signal impedance |
| индуктивность выводов в схеме с общим истоком | common source lead inductance (key2russia) |
| инженер в области вычислительной техники | computer engineer (Alex_Odeychuk) |
| инструмент в виде птичьего клюва | bird's beak |
| ионная имплантация в аморфный материал | amorphous implantation |
| ионное распыление в двухэлектродной вакуумной установке | diode sputtering |
| ионное распыление в трёхэлектродной вакуумной установке | triode sputtering |
| ионное травление в двухэлектродной системе | diode etching |
| ионное травление в трёхэлектронной системе | triode etching |
| ионное травление в четырёхэлектродной системе | tetrode etching |
| ИС в безвыводном кристаллоносителе | leadless inverted device |
| ИС в керамическом корпусе | ceramic-encapsulated integrated circuit |
| ИС в корпусе | packaged chip |
| ИС в малогабаритном корпусе | low-profile integrated circuit |
| ИС в пластмассовом корпусе | plastic integrated circuit |
| ИС в пластмассовом корпусе | encapsulated integrated circuit |
| ИС в плоском корпусе с планарными выводами | planar-mounted integrated circuit |
| ИС на приборах, работающих в режиме обеднения | depletion-mode integrated circuit |
| ИС памяти на ЦМД в виде соприкасающихся дисков | contiguous-disk chip |
| ИС со степенью интеграции 10 в шестой степени | megascale integrated circuit |
| испарение в вакууме | vacuum evaporation |
| исполнение в виде ИС | integrated-circuit form |
| исполнение в виде ИС | monolithic form |
| испытание в кипящей воде | boiling-water test |
| испытания в камере для климатических испытаний | temperature-chamber testing |
| испытания на влагостойкость в парах растворителя | steam-cook test |
| источник типа источника в молекулярно-пучковой эпитаксии | MBE-style element source |
| канавка в кремниевой подложке | silicon trench |
| канавка в кремнии | silicon trough |
| канавка в оксидном слое | oxide cut |
| кандидат в тесты | potential test |
| карман в кремниевой подложке | substrate pocket |
| кассета для обработки полупроводниковых пластин в диффузионной печи | diffusion-step carrier |
| кассета для обработки полупроводниковых пластин в диффузионной печи | diffusion carrier |
| кассета для обработки полупроводниковых пластин в печи | furnace carrier |
| катод в форме многогранника | multifacet cathode |
| кислород, возбуждённый в плазме | plasma-excited oxygen |
| кислород, возбуждённый в свч-плазме | microwave-excited oxygen |
| коллектор в виде барьера Шоттки | Schottky collector |
| компонент в корпусе | packaged component |
| компонент в пластмассовом корпусе | molded component |
| компоненты в ленточном носителе | reeled components |
| контакт в эмиттерной диффузионной области | emitter diffusion port |
| контроль перед монтажом в корпус | pre-cap inspection |
| коррекция эффекта близости в фотолитографии | mask-proximity correction |
| кремний в аморфном состоянии под воздействием ионной | implantation-amorphised silicon |
| кремний, ориентированный в кристаллической плоскости 111 | 111 silicon |
| кремний, полученный в тлеющем разряде | glow-discharge silicon |
| кристалл, полученный плавкой в вакууме | vacuum float-zone crystal |
| кристаллоноситель в виде вырезанного участка ленточного носителя | tape automated bonding package |
| лазер в непрерывном режиме | cw laser |
| лазер в непрерывном режиме | continuous-wave laser |
| лазерно-стимулированное травление в УФ-диапазоне | uv laser etching |
| легирование в одном атомном слое | atomic layer dopant |
| литография в глубоком ультрафиолете | deep-uv lithography |
| манипулятор для передачи пластин из кассеты в кассету | cassette-to-cassette handler |
| манипулятор для перемещения компонентов из катушки в катушку | reel-to-reel handler |
| маска внесения неисправностей в БИС | fault injection mask |
| межсоединение в ИС | microinterconnection |
| металлизированная канавка в керамике | metallized ceramic channel |
| металлургический материал для создания барьера в контактных окнах | barrier contact metallurgy (key2russia) |
| метод изоляции мелкими В-образными канавками | shallow V-groove technique |
| метод оксидирования в кислородной плазме | oxygen-plasma oxidation technique |
| метод оксидирования в парах воды | vapor-oxidation technique |
| метод транспортировки полупроводниковых пластин из кассеты в кассету | cassette-to-cassette approach |
| микроизображение в оптическом микроскопе | optical micrograph |
| микроизображение в просвечивающем микроскопе | transmission electron micrograph |
| микроизображение в растровом микроскопе | scanning electron micrograph |
| микроизображение в электронном микроскопе | electromicrograph |
| микроскопия в слабых пучках | weak-beam microscopy |
| микросхема в корпусе | packaged chip (key2russia) |
| минимизатор в среде ПЛМ | pla minimizer |
| моделирование в реальном масштабе | real-time simulation |
| моделирование изображения в слое фоторезиста | photoresist image simulation |
| моделирование рисунка в слое фоторезиста | photoresist image simulation |
| монтаж в корпус | encasing |
| монтаж в корпусе | package |
| монтаж в стойке | rack mounting |
| монтировать в корпусе | case |
| МОП-транзистор, работающий в режиме обеднения | depletion-mode MOS transistor |
| МОП-транзистор, работающий в режиме обеднения | depletion MOS transistor |
| МОП-транзистор, работающий в режиме обогащения | enhancement-mode MOS transistor |
| МОП-транзистор, работающий в режиме обогащения | enhancement MOS transistor |
| мощность в ждущем режиме | standby power (key2russia) |
| мощность в режиме хранения | standby power (информации key2russia) |
| мультипликация изображений в проекционной литографии | die-by-die printing |
| нагружение в сильном поле | high-field stressing (semfromshire) |
| нагрузка при испытании в атмосфере горячего пара | damp heat stress |
| неисправность в кристалле ИС | die failure |
| неисправность, установленная в состояние 1 | stuck-high fault |
| неисправность, установленная в состояние 0 | stuck-at-zero fault |
| неисправность, установленная в состояние 0 | stuck-low fault |
| неисправность, установленная в состояние 1 | stuck-at-one fault |
| нитрид бора в качестве источника диффузанта | bn source |
| нитридизация титана в плазме | titanium plasma nitridation |
| обезгаживание в высоком вакууме | high-vacuum degasing |
| обезгаживание в высоком вакууме | high-vacuum degas |
| область в кармане n-типа | n-tab region |
| область в эпитаксиальном слое | epitaxial region |
| обработка в воде | aqueous processing |
| обработка в плазме | plasma processing |
| обработка в условиях невесомости | microgravity processing |
| обработка данных в реальном времени | on-line data processing |
| обработка материалов методом погружения в горячую ванну | hot dip (для нанесения покрытий) |
| обработка материалов методом погружения в кислоту | acid dip |
| обработка полупроводниковых материалов в космосе | space semiconductor processing |
| обработка структур в вертикальном направлении | vertical processing |
| образец, подвергнутый очистке в жидкости | wet-clean sample |
| образование кратеров в кремнии | silicon cratering |
| общий терминал в системе многостанционного доступа | common tdma terminal |
| окно в маске | mask hole |
| оксид в многоуровневых соединениях | multilevel oxide |
| оксидирование в атмосфере сухого кислорода | dry oxydation |
| оксидирование в горизонтальном направлении | lateral oxidation |
| оксидирование в парах воды | wet oxidation |
| оксидирование в парах воды | steam oxidation |
| оксидирование в плазме | plasma oxidation |
| оксидирование под действием лазерного излучения в УФ-диапазоне | ultra-violet laser oxidation |
| операция, проводимая в жёлтой комнате | yellow room's step |
| организация одномерного существенного пути в схеме | linear path sensitization (при разборке тестов ssn) |
| организация одномерного существенного пути в схеме | one-dimensional path sensitization (при разборке тестов ssn) |
| организация одномерного существенного пути в схеме | single path sensitization (при разборке тестов ssn) |
| ориентация в кристаллографической плоскости 111 | 111 orientation |
| осаждать в вакууме | vacuum-deposit |
| осаждение из парогазовой смеси в условиях циклотронного резонанса | electron cyclotron resonance cvd |
| островок в эпитаксиальном слое | epitaxial island |
| отверстие в защитном оксидном слое | passivation hole |
| отжиг в плазменной установке | plasma annealing |
| отношение давления в пучках | beam pressure ratio |
| отсутствие натекания в вакуумный объём | vacuum integrity |
| отсутствие травления в горизонтальном направлении | zero-encroachment |
| очистка в органических растворителях | organic cleaning |
| очистка в растворителях | solvent cleaning |
| ошибка в трёх и более разрядах | multiple-bit error (ssn) |
| панелька для ИС в корпусе | packaging socket |
| панелька для ИС в корпусе | package receptacle |
| панелька для ИС в корпусе с матричными | pin grid array socket |
| панелька для ИС в корпусе с матричными | pga socket |
| панелька для ИС в плоском корпусе | dual in-line package receptacle |
| панелька для ИС в плоском корпусе | quip socket |
| панелька для ИС в плоском корпусе | single-in-line package socket |
| панелька для ИС в плоском корпусе | single-in-line socket |
| панелька для ИС в плоском корпусе | sil socket |
| панелька для ИС в плоском корпусе | quad-in-line socket |
| панелька для ИС в плоском корпусе | quad-in-line package socket |
| панелька для ИС в плоском корпусе | dual in-line receptacle |
| панелька для ИС в плоском корпусе | dip receptacle |
| панелька для ИС в плоском корпусе | dil receptacle |
| параметры в режиме большого сигнала | large-signal parameters |
| параметры в режиме малого сигнала | small-signal parameters |
| пассивация отжигом в водороде | hydrogen passivation |
| передача в производство | tape out (visgard777) |
| передача в производство | tapeout (visgard777) |
| передача полупроводниковых пластин из кассеты в кассету | cassette-to-cassette operation |
| переключать из одного состояния в другое | toggle |
| перенос в паровой фазе | vapor-phase transport |
| перенос в паровой фазе | vapor transport |
| перенос в сильном электрическом поле | high-field transport |
| переход в высокоимпедансное состояние из состояния высокого уровня | a 3-state output from high level (в тристабильных логических ИС ssn) |
| переход в высокоимпедансное состояние из состояния низкого уровня | a 3-state output from low level (в тристабильных логических ИС ssn) |
| переход в сверхпроводящее состояние | superconducting transition |
| переход в состояние "выключено" из состояния высокого уровня | a 3-state output from high level (в тристабильных логических ИС ssn) |
| переход в состояние "выключено" из состояния низкого уровня | a 3-state output from low level (в тристабильных логических ИС ssn) |
| переход из высокоимпедансного состояния в состояние высокого уровня | a 3-state output to high level (в тристабильных логических ИС ssn) |
| переход из высокоимпедансного состояния в состояние низкого уровня | a 3-state output to low level (в тристабильных логических ИС ssn) |
| переход из состояния "выключено" в состояние высокого уровня | a 3-state output to high level (в тристабильных логических ИС ssn) |
| переход из состояния "выключено" в состояние низкого уровня | a 3-state output to low level (в тристабильных логических ИС ssn) |
| переход, сформированный в канавке | recessed junction |
| переход ЦМД в полосовой домен | bubble runout |
| переходное отверстие в стеклотекстолите | through glass via (стеклотекстолит/стеклопластик – материал для компонентов платы. Данная технология, наряду с through-silicon via (TSV), используется при изготовлении плат.  findpatent.ru Varlog) |
| переходное отверстие в стеклотекстолите | through-glass via (стеклотекстолит/стеклопластик – материал для компонентов платы. Данная технология, наряду с through-silicon via (TSV), используется при изготовлении плат. findpatent.ru Varlog) |
| переходные отверстия в кремнии | Through-silicon VIA (технология вертикальных межсоединений (Vertical Interconnect Access) при создании 3D-интегрированных структур. Известна как TSV Godzilla) |
| переходные отверстия в кремнии | Through Silicon Vias (см. статью through-silicon via в Мультитране Varlog) |
| периферийный модуль в микропроцессорной БИС | non-cpu device |
| печь для обжига в газовой среде | gas baking oven |
| плазма с магнитным полем в условиях электронного | electron cyclotron resonance plasma |
| плазма с магнитным полем в условиях электронного | ecr plasma |
| плазменная обработка в планарном реакторе | planar plasma processing |
| плазменное травление в планарном реакторе | planar plasma etch |
| плотность носителей в инверсионной области | inversion delay |
| плотность соединений в канале | channel density |
| плотность упаковки ИС в эквивалентных логических элементах | gate density |
| плёнка диоксида кремния, сформированная оксидированием в парах | vapor-oxidation coating |
| повреждения в приповерхностном слое | near-surface damages |
| погружение в припой | solder dipping |
| подача полупроводниковых пластин из кассеты в кассету | cassette-to-cassette wafer transport |
| подающее устройство для компонентов в ленточной упаковке | reel feeder |
| полевой транзистор, работающий в режиме обеднения | depletion FET |
| полевой транзистор, работающий в режиме обогащения | enhancement FET |
| полевой транзистор с изолированным затвором работающий в обеднении | depletion-type igfet |
| полимеризация в плазме | plasma polymerization |
| полупроводниковая пластина в качестве подложки | substrate wafer |
| полупроводниковая пластина в качестве подложки | substrate slice |
| полупроводниковая пластина, закреплённая в рамке | frame-mounted wafer |
| полупроводниковая пластина, закреплённая в рамке | frame-mounted semiconductor wafer |
| полупроводниковая пластина, ориентированная в кристаллографической плоскости | wafer |
| полупроводниковый прибор в прессованном пластмассовом корпусе | resin-mold semiconductor |
| помещать в кожух | clothe |
| помодульный перенос изображений в проекционной литографии | die-by-die printing |
| последовательная управляемость в 0 | sequential 0-controllability |
| последовательная управляемость в 1 | sequential 1-controllability |
| прибор в пластмассовом корпусе | resin-molded device |
| прибор для определения содержания примесей в полупроводниках | semiconductor impurity analyzer |
| прибор, работающий в режиме обеднения | depletion device |
| прибор, работающий в режиме обогащения | enchancement device |
| признак ошибки в формате | framing error flag |
| примесь в эмиттерной области | emitter impurity |
| проверка влагостойкости в парах под давлением | vacuum-steam-pressure test |
| проверка герметичности методом погружения в жидкость | liquid bubble test |
| проверка коррозионной стойкости в парах солевого раствора | salt atmosphere test |
| проводимость в обратном направлении | reverse conductance |
| проводимость в обратном направлении | backward conductance |
| проводимость в прямом направлении | forward-transfer conductance |
| программируемая вклейка компонентов в ленту | sequencing |
| проектирование в кремниевой мастерской | foundry design |
| проигрыш в использовании кремниевого кристалла | loss of silicon area |
| промежуточный шаблон в масштабе 10:1 | 10 x reticle |
| профиль распределения примеси в вертикальном направлении | vertical doping profile |
| профиль распределения примеси в горизонтальном направлении | lateral doping profile |
| путь в графе | path |
| работа в микроваттном диапазоне | micropower performance |
| работа в режиме большого сигнала | large-signal operation |
| работа в режиме большого сигнала | high-level signal operation |
| работа в режиме малого сигнала | small-signal operation |
| работа в режиме малого сигнала | low-level signal operation |
| работа в ручном автономном режиме | manual off-line operation |
| работающий в режиме обеднения | normally turned-off |
| работающий в режиме обеднения | depletion-type |
| работающий в режиме обогащения | normally turned-on |
| работающий в режиме обогащения | enhancement-type |
| рабочее место в чистой комнате | clean bench |
| рабочее место в чистом производственном помещении | clean work station |
| разброс параметров процесса в пределах одной партии | within-run variation |
| разделение в вертикальной плоскости | vertical separation |
| размер ячейки в проволочном трафарете | screen size |
| размещать в определённой последовательности | singulate |
| размещение в контакте между деталями | juxtaposition |
| разработка и реализация способов несанкционированного проникновения в защищённые компьютерные системы и программные продукты | cracking |
| распределение в соответствии с дополнением ошибок до 1 | error-function distribution |
| рассеяние в модуле | module dissipation |
| рассеяние частиц в газе | gas scattering |
| рассеяние частиц в газе | gas scatter |
| растворимость в твёрдой фазе | solid solubility |
| реактивное ионное травление в среде водорода | hydrogen reactive ion etching |
| реакция в газовой среде | gaseous-phase reaction |
| реакция в жидкой фазе | liquefaction reaction |
| реакция в паровой фазе | vapor reaction |
| реакция в твёрдой фазе | solid-state reaction |
| реализация в виде ГИС | hybridization |
| резистор в цепи смещения | biasing resistor |
| резистор в цепи смещения | bias resistor |
| рентгеновские лучи в синхротроне | synchrotron x-ray |
| рентгеновские лучи в синхротроне | sor x-ray |
| решётка в базе | base grating |
| риск сбоя при переходе из 0 в 1 | step-up hazard |
| риск сбоя при переходе из 1 в 0 | step-down hazard |
| рисунок в резисте | resist pattern (key2russia) |
| рисунок в слое фоторезиста | resist pattern (key2russia) |
| рисунок, сформированный в кремниевой подложке | silicon pattern |
| сборка в корпусе | packaging (key2russia) |
| сборка в пластмассовый корпус | plastic packaging |
| сетка в базе | base grating |
| сигнал в форме меандра | square waveform (ssn) |
| сигнал в форме последовательности симметричных прямоугольных биполярных импульсов со скважностью, равной двум | square waveform (ssn) |
| система автоматической обработки данных не в реальном времени | non-real-time data automation system |
| система анализа схем в реальном времени | on-line circuit analysis system |
| система проектирования схем в реальном времени | on-line circuit design system |
| система транспортировки типа из кассеты в кассету | cassette-to-cassette system |
| слабое звено в переходах джозефсона | Josephson weak link |
| слой в сквозных отверстиях | via layer |
| смонтированный в стойке | rack-mounted |
| совмещение в горизонтальном направлении | lateral registration |
| совмещение в фотолитографии с зазором | spaced alignment |
| соединение в исчезающей жидкой фазе | Transient Liquid Phase Bonding (senmirra) |
| Соединение в исчезающей жидкой фазе | TLP bonding (transient liquid phase bonding senmirra) |
| сопротивление в закрытом состоянии | off resistance |
| спай, полученный в восстановительной атмосфере | reducing atmosphere seal |
| спектр поглощения в ик-области | infrared absorption spectrum |
| спектр поглощения в инфракрасной области | infrared absorption spectrum |
| спектроскопия состояний в запрещённой зоне | gap state spectroscopy |
| среднее время задержки в логических схемах | mean logistic delay |
| статическая характеристика в состоянии равновесия | steady-state characteristic |
| статический риск сбоя в 0 | static 0 hazard |
| статический риск сбоя в 1 | static 1 hazard |
| стерильная одежда для персонала в чистых комнатах | bunny suit |
| структура в виде планарной сверхрешётки | planar superlattice structure |
| структура с затвором в и-образной канавке | trench-gate structure |
| структура типа кремний в сапфире | silicon-in-sapphire structure |
| ступенька в оксидном слое | oxide step |
| сушка в печи | oven dry |
| температура сопротивления в нуль | zero resistance temperature |
| термокомпрессионная сварка инструментом в виде птичьего клюва | bird's beak bonding |
| тестовая структура в виде креста | Van der Pauw structure |
| тестовая структура в виде креста | greek cross |
| технологическая упаковка в ленточном рулоне компонентов поверхностного | reel radial pack |
| технологическая упаковка в ленточном рулоне компонентов поверхностного | blister pack |
| технология быстрого возобновления быстродействия компьютера в любое время | OnNow technology (Alex_Odeychuk) |
| технология ИС со структурой типа кремний в диэлектрике | silicon-in-insulator technology |
| технология ИС со структурой типа кремний в сапфире | silicon-in-sapphire technology |
| тонкий слой оксида в МОП-структуре | MOS oxide |
| травление в боковом направлении | sideways etching |
| травление в газовой плазме низкого травления | low-pressure etching |
| травление в горизонтальном направлении | sideways etching |
| травление в горизонтальном направлении | lateral etching |
| травление в горизонтальном направлении | lateral encroaching |
| травление в плазме кислорода | oxygen gas plasma etching |
| травление в плазме с ионной бомбардировкой | ion-assisted plasma etching |
| травление в свч-плазме | microwave etching |
| травление, стимулированное излучением в области вакуумного ультрафиолета | vuv-assisted etching |
| травление, стимулированное излучением в области вакуумного ультрафиолета | vacuum ultra-violet-assisted etching |
| транзистор в пластиковом корпусе | plastic transistor |
| транспортировка в кассетах | cassette-based transfer |
| транспортировка полупроводниковых пластин из кассеты в кассету | cassette-to-cassette wafer transport |
| туннелирование в сверхпроводнике | superconducting tunneling |
| туннелирование в сильном поле | high-field tunneling |
| туннелирование электронов в джозефсоновских переходах | Josephson tunneling |
| увеличение в объёме | swelling |
| удаление фоторезиста в кислородной плазме | oxygen-gas plasma stripping |
| удельная проводимость в режиме малого сигнала | small-signal conductivity |
| узкое место в проекте | bottleneck in the design |
| указатель нарушений в БИС | fault locator |
| упаковка в масштабе кристалла | Chip Scale Packaging (CSP Bethany) |
| упаковка в пластмассовую плёнку | skin packing |
| упаковка в пластмассовую плёнку | blister packing |
| упаковка компонентов в ленту | taping |
| упорядочение атомов в эпитаксиальном слое | eptaxial ordering |
| уровень в запрещённой зоне | gap state |
| устанавливать в состояние 0 | reset |
| установка в состояние 0 | reset |
| установка для вклейки компонентов в ленту | sequencing machine |
| установка для вклейки компонентов в ленту | axial lead taping machine |
| установка для водоподготовки в производстве электронных приборов | electronic wafer treater |
| установка для обезжиривания с погружением в жидкий растворитель | immersion-vapor degreaser |
| установка для обработки полупроводниковых пластин в процессе | IC processor |
| установка для программируемой вклейки компонентов в ленту | sequencer |
| установка для промывки в воде или водных | aqueous washer |
| установка для удаления фоторезиста в плазме | plasma washer |
| установка очистки в парах растворителей | vapor cleaner |
| установка с подачей пластин из кассеты в кассету | cassette-to-cassette machine |
| установка травления в парах плавиковой кислоты | hf fumer |
| устройство для подачи из магазина в магазин | magazine-to-magazine feeder |
| устройство передачи из кассеты в кассету | cassette-to-cassette interface |
| фильтр в плоском корпусе с однорядным расположением выводов | sip filter |
| формирование канала в плоской поверхности | planar channeling |
| формирование рельефа в слое фоторезистора | resist patterning |
| формирование рисунка в слое металлизации | metal definition |
| формирование рисунка в слое фоторезиста | resist definition |
| формирование рисунка в слое фоторезистора | resist patterning |
| формирователь на транзисторах, работающих в режиме обеднения | depletion-mode drive |
| формирователь на транзисторах, работающих в режиме обогащения | enhancement-mode drive |
| фотооригинал в масштабе 10:1 | 10 x reticle |
| химическое осаждение из паровой фазы в сверхвысоком вакууме | ultrahigh vacuum cvd |
| хлопки в микрофоне | blasting (от дыхания исполнителя или ветра) |
| хлопок в микрофоне | blast (от дыхания исполнителя или ветра) |
| чертёж в увеличенном масштабе | scaled-up drawing |
| шаблон в виде плёнки золота на майларе | master goldmylar |
| шлифовальный станок с транспортировкой из кассеты в кассету | cassette-to-cassette grinder |
| щель в оболочке источника | source slit |
| эквивалентное давление в пучке | beam equivalent pressure |
| эксимерный лазер в глубоком ультрафиолете | duv excimer laser |
| электрод затвора МОП-транзистора, работающего в режиме обеднения | depletion-mode gate electrode |
| электрод затвора МОП-транзистора, работающего в режиме обогащения | enhancement-mode-gate electrode |
| электронное устройство, носимое человеком в качестве предмета одежды | human-wearable device (Alex_Odeychuk) |
| эмиттер в сверхрешётке | superlattice emitter |
| эмуляция в фиксированный момент времени | snapshot emulation |
| эпитаксальный бугор кремния в виде пирамиды | silicon pyramid |
| эпитаксия в вакууме | vacuum epitaxy |
| эпитаксия в замкнутом объёме | close space epitaxy |
| язык для задач в естественной форме | overview language |
| язык формулирования запросов в системе доступа к данным | data access system language |
| ёмкость в закрытом состоянии | off-state capacitance (semfromshire) |
| ёмкость в открытом состоянии | on-state capacitance (semfromshire) |
