| Russian | German |
| адгезия резиста к подложке | Resisthaftung |
| активность, отнесённая к единице поверхности | Aktivitätsdichte je Oberflächeneinheit |
| блок управления к общей шине | Buszuteiler |
| блок управления к общей шине | Busverwalter |
| блок управления к общей шине | Busarbiter |
| валентность по отношению к водороду | Wertigkeit in bezug auf Wasserstoff |
| видеотерминал с подключением к телефонной сети | Displayphone |
| доступ к данным | Datenzugriff |
| доступ к файлу | Dateizugriff |
| доступ к общей шине | Buszugriff |
| запись без возвращения к нулю | NRZ-Verfahren |
| запись с возвращением к нулю | RZ-Verfahren |
| интерфейс канала прямого доступа к памяти | DMA-Schnittstelle |
| ионная имплантация под заданным углом к поверхности | Schrägimplantation |
| ИС памяти ёмкостью 256К | 256-Kbit-Speicherschaltkreis |
| ИС ёмкостью 256К | 256-Kbit-Schaltkreis |
| испытание на устойчивость к термическим ударам | Wärmestoßprüfung |
| испытание на устойчивость к термическим ударам | Wärmeschockprüfung |
| испытание на устойчивость к термоциклированию | Wärmewechselprüfung |
| испытание на устойчивость к термоциклированию | Wechselklimaprüfung |
| испытания на стойкость к термоциклированию | Temperaturwechseltest |
| испытания на стойкость к термоциклированию | Hitze-Kälte-Test |
| испытания на стойкость к ударам | Stoßprüfung |
| К-захват | Elektroneneinfang |
| канал прямого доступа к памяти | DMA-Kanal |
| код без возвращения к нулю | NRZ-Kode |
| код без возвращения к нулю с инверсией | NRZI-Kode |
| код с возвращением к нулю | RZ-Kode |
| контакт к области базы | Basiskontakt |
| контактная площадка для присоединения кристалла к внешнему выводу | Außenkontaktstelle |
| контактная площадка для присоединения кристалла к внешнему выводу | Außenbondstelle |
| контроллер прямого доступа к памяти | DMA-Baustein |
| контроллер прямого доступа к памяти | DMA-Controller |
| контроллер прямого доступа к памяти | DMA-Steuereinheit |
| контроллер прямого доступа к памяти | DMA-Schaltkreis |
| контроллер прямого доступа к памяти | DMA-Modul |
| контроллер прямого доступа к памяти | DMA-Einheit |
| контроллер прямого доступа к памяти | DMA-Baugruppe |
| логика управления доступом к общей шине | Busvergabelogik |
| логика управления доступом к общей шине | Busentscheidungslogik |
| логические схемы управления доступом к общей шине | Busvergabelogik |
| модуль подключения абонента к сети | Datenanschlussgerät |
| модуль подключения абонента к сети | Datenanschlusseinheit |
| монтаж кристалла ИС тыльной стороной к поверхности гибридной микросборки | Flächenbonden |
| МОП ЗУПВ ёмкостью 4К | 4-Kbit-MOS-RAM |
| невосприимчивость к сбоям | Fehlertoleranz |
| невосприимчивый к сбоям | fehlertolerant |
| нечувствительность к одиночным отказам | Fehlertoleranz |
| нечувствительность к сбоям | Fehlertoleranz |
| нечувствительный к одиночным отказам | fehlertolerant |
| нечувствительный к сбоям | fehlertolerant |
| отношение входного сопротивления к межбазовому сопротивлению | Intrinsic-Abstandsverhaltnis (двухбазового диода) |
| отношение высоты области резиста к ширине | Seitenverhältnis |
| отношение пикового тока к току впадины | Höcker-Tal-Stromverhältnis (туннельного диода) |
| отношение сигнала 1 к сигналу 0 | Eins-zu-Null-Verhältnis |
| отношение сигнала 1 к сигналу О | Eins-zu-Null-Verhältnis |
| отношение ширины к длине | W-L-Verhältnis |
| отношение ширины к длине | Aspektverhältnis (напр., изображения) |
| оттеснение эмиттерного тока к краю эмиттерной области | Stromverdrängungseffekt |
| оттеснение эмиттерного тока к краю эмиттерной области | Stromverdrängung |
| оттеснение эмиттерного тока к краю эмиттерной области | Feldverdrängung |
| падение напряжения, приведённое к истоку | Spannungsabfall bezogen auf die Quelle |
| подключаемый к шине | busfähig |
| полевой транзистор, чувствительный к ИК-излучению | Infrared FET |
| полевой транзистор, чувствительный к ИК-излучению | IRFET |
| полевой транзистор, чувствительный к концентрации ионов | Chemical FET |
| полевой транзистор, чувствительный к концентрации ионов | ISFET |
| полевой транзистор, чувствительный к концентрации ионов | CHEMFET |
| полевой транзистор, чувствительный к концентрации ионов | ionenempfindlicher Feldeffekttransistor |
| полевой транзистор, чувствительный к магнитному полю | MagnetoFET |
| полевой транзистор, чувствительный к магнитному полю | magnetfeldabhängiger FET |
| полевой транзистор, чувствительный к магнитному полю | MAGFET |
| получение доступа к общей шине | Busvergabe |
| предоставление доступа к общей шине | Buszuteilung |
| предоставление доступа к общей шине | Buszuweisung |
| предоставление доступа к общей шине | Buszugriffszuteilung |
| предоставление доступа к общей шине | Busvergabe |
| пригодность к обработке травлением | Ätzbarkeit |
| присоединение внутренних концов выводов к контактным площадкам кристалла | Innenbonden |
| присоединение к внешним выводам | Außenbonden |
| присоединение кристаллов к паучковым выводам кристаллодержателя на гибком ленточном носителе | Spinnenbonden (микропайкой или ультразвуковой сваркой) |
| прочность присоединения внутренних концов выводов к контактным площадкам кристалла | Innenbondfestigkeit |
| работа в режиме прямого доступа к памяти | DMA-Betrieb |
| режим прямого доступа к памяти | DMA-Betrieb |
| с возможностью подключения к шине | busfähig |
| свободный доступ к общей шине | zufälliger Buszugriff |
| слой с хорошей адгезией к подложке | Haftschicht |
| случайный доступ к общей шине | zufälliger Buszugriff |
| способ записи без возвращения к нулю | NRZ-Verfahren |
| способность к запиранию | Sperrfähigkeit |
| сродство к водороду | Wasserstoffaffinität |
| стойкий к одиночным отказам | fehlertolerant |
| стойкий к травителю | ätzfest |
| стойкий к травителю | ätzbeständing |
| стойкий к травлению | ätzfest |
| стойкий к травлению | ätzbeständing |
| стойкость к одиночным отказам | Fehlertoleranz |
| стойкость к травителю | Ätzfestigkeit |
| стойкость к травлению | Ätzfestigkeit |
| стойкость к царапанию | Kratzfestigkeit |
| технология присоединения кристаллов к паучковым выводам кристаллодержателя на гибком ленточном носителе | Spinnenbondtechnik |
| ток переноса носителей к коллектору | Transferstrom am Kollektor |
| ток переноса носителей к коллектору | Kollektortransferstrom |
| ток переноса носителей к эмиттеру | Transferstrom am Emitter |
| ток переноса носителей к эмиттеру | Emittertransferstrom |
| транзистор, чувствительный к уровню влажности | CFT |
| транзистор, чувствительный к уровню влажности | Charge Flow Transistor |
| MS-триггер с блокировкой входов J и К | Master-Slave-Flipflop mit Data-lockout |
| управление доступом к общей шине | Busarbitrierung |
| управление доступом к общей шине | Busverwaltung |
| управление доступом к общей шине | Busarbitration |
| управление доступом к общему ресурсу | Arbitrierung (напр., к общей шине) |
| управление доступом к общему ресурсу | Arbitration (напр., к общей шине) |
| управление доступом к общей шине | Buszugriffssteuerung |
| управление доступом к общей шине | Busvergabesteuerung |
| управляемый доступ к общей шине | kontrollierter Buszugriff |
| управляющие J и К-входы | JK-Eingange |
| установка для присоединения внутренних концов выводов к контактным площадкам кристалла | Innenbonder |
| установка для присоединения внутренних концов выводов к контактным площадкам кристалла | Innenbondanlage |
| устойчивость к большим сигналам | Großsignalfestigkeit |
| устойчивость к действию влаги | Feuchtigkeitsbeständigkeit |
| устойчивость к короткому замыканию | Kurzschlussfestigkeit |
| устойчивость к перевозбуждению | Übersteuerungsfestigkeit |
| устойчивость к тепловым ударам | Wärmeschockbeständigkeit |
| устойчивость к тепловым ударам | Temperaturwechselbeständigkeit |
| устойчивость к термическим ударам | Wärmeschockbeständigkeit |
| устойчивость к термоударам | Wärmeschockbeständigkeit |
| устойчивость к термоциклированию | Wärmewechselbeständigkeit |
| устойчивый к высокому уровню напряжения | spannungsfest |
| устойчивый к импульсным помехам | glitchfrei |
| устойчивый к короткому замыканию | kurzschlussfest |
| устойчивый к повышенному уровню напряжения | spannungsfest |
| цикл обращения процессора к магистрали | Buszyklus |
| цикл обращения к шине | Buszyklus |
| чувствительность к влажности | Feuchtigkeitsempfindlichkeit |
| чувствительность к травителю | Ätzempfindlichkeit |
| чувствительный к кислоте | säureempfindlich |
| чувствительный к концентрации ионов | ionenempfindlicher Feldeffekttransistor |
| чувствительный к концентрации ионов | Ion Sensitive Field Effect Transistor |
| чувствительный к сотрясениям | stoßempfindlich |
| чувствительный к сотрясениям | schüttelempfindlich |
| чувствительный к УФ-излучению | UV-empfindlich |
| элемент, чувствительный к излучению | strahlungsempfindliches Bauelement |
| энергия сродства к электрону | Energie der Elektronenaffinität |
| эффект генерации переменного СВЧ-тока в элементе Джозефсона под воздействием приложенного к нему постоянного напряжения | Wechselstromeffekt |
| эффект генерации переменного СВЧ-тока в элементе Джозефсона под воздействием приложенного к нему постоянного напряжения | Wechselstrom-Josephson-Effekt |
| эффект генерации переменного тока в элементе Джозефсона под воздействием приложенного к нему постоянного напряжения | Wechselstromeffekt |
| эффект генерации переменного тока в элементе Джозефсона под воздействием приложенного к нему постоянного напряжения | Wechselstrom-Josephson-Effekt |
