| Subject | German | Russian |
| microel. | Al-Gate | алюминиевый затвор |
| microel. | Al-Gate-MOS-Bauelement | МОП-прибор с алюминиевым затвором |
| microel., BrE | Alterable Gate Array | вентильная матрица с изменяемой структурой |
| microel., BrE | Alterable Gate Array | вентильная матрица с перестраиваемой структурой |
| comp. | Aluminium-Gate | алюминиевый затвор |
| brit. | AND-Gate | вентиль И |
| brit. | AND-Gate | логический элемент И |
| microel. | anwenderspezifisches Gate-Array | специализированная матрица |
| microel. | anwenderspezifisches Gate-Array | заказная матричная БИС |
| microel. | aufgestocktes Gate | составной затвор |
| microel. | Avalancheinjektions-MOS-Bauelement mit isoliertem Gate | лавинно-инжекционный МОП-прибор с изолированным затвором |
| microel. | Avalancheinjektions-MOS-Struktur mit isoliertem Gate | лавинно-инжекционная МОП-структура с изолированным затвором |
| microel. | Back-Gate | нижний затвор |
| microel. | Back-Gate | задний затвор |
| microel. | Back-Gate | второй затвор |
| microel. | Back-gate-FET | МОП-транзистор с нижним затвором |
| microel. | Bauelement mit Si-Gate | прибор с кремниевым затвором |
| microel. | BI-CMOS-Gate-Array | матричная БИС на биполярных и КМОП-транзисторах |
| microel. | BI-CMOS-Gate-Array | вентильная Би-КМОП-матрица |
| microel. | BI-CMOS-Gate-Array-Familie | серия матричных БИС на биполярных и КМОП-транзисторах |
| brit. | Bipolar Insulated-Gate FET | ИС на биполярных транзисторах и полевых транзисторах с изолированным затвором |
| microel., BrE | Bipolar Insulated-Gate Field-Effect Transistor | ИС на биполярных транзисторах и полевых транзисторах с изолированным затвором |
| microel. | CML-Gate-Array | матричная ИС на переключателях тока |
| microel. | CML-Gate-Array | вентильная матрица на переключателях тока |
| microel. | CML-Gate-Array | матричная ПТЛ ИС |
| microel. | CML-Gate-Array | вентильная ПТЛ-матрица |
| microel. | CMOS-Gate-Array | вентильная матричная КМОП ИС |
| microel. | CMOS-Gate-Array | вентильная КМОП-матрица |
| microel. | CMOS-Transmissions-Gate | передающий КМОП-вентиль (аналоговый ключ на КМОП-транзисторах) |
| microel. | Complementary Insulated-Gate FETT | комплементарный полевой транзистор с изолированным затвором |
| microel. | Continuous-Gate-Array | матричная ВИС с распределённым затвором |
| microel. | Continuous-Gate-Technologie | технология ИС с распределённым затвором |
| rel., christ. | die Gaben des Heiligen Geistes | Дары Святого Духа (wikipedia.org Andrey Truhachev) |
| gen. | die Gaben flossen reichlich | пожертвования поступали обильно |
| gen. | die russischen Gutsbesitzer gaben ihren Leibeigenen oft Beinamen | русские помещики часто давали своим крепостным прозвища |
| gen. | die Schüler gaben ihm den Spitznamen "Philosoph" | ученики дали ему кличку Философ |
| microel. | Distributed Floating-Gate Amplifier | распределённый усилитель с плавающим затвором |
| microel. | Distributed Floating-Gate Amplifier | РУПЗ |
| microel. | Doppel-Gate-MOSFET | двухзатворный МОП-транзистор |
| microel. | Doppel-Poly-Si-Gate-MOS-Struktur | МОП-структура с двойным поликремниевым затвором |
| microel. | Doppel-Poly-Si-Gate-Schaltkreis | МОП ИС с двухуровневым поликремниевым затвором |
| microel. | Drain-Gate-Kapazität | ёмкость сток затвор |
| el. | Drain-Gate-Kapazität | ёмкость затвор-сток |
| el. | Drain-Gate-Kapazität | ёмкость сток-затвор |
| comp. | Drain-Gate-Kapazität | ёмкость сток-затвор (Kapazität zwischen Drain- und Gateelektrode eines FET) |
| el. | Drain-Gate-Spannung | напряжение сток-затвор |
| microel. | Drain-Gate-Spannung | напряжение сток затвор |
| microel. | Dual-Gate-Feldeffekttraneistor | двухзатворный полевой транзистор |
| meas.inst. | Dual-Gate-Feldeffekttransistor | двухзатворный полевой транзистор (ssn) |
| microel. | Dual-Gate-FET | двухзатворный полевой транзистор |
| microel. | Dual-Gate-MOSFET | двухзатворный МОП-транзистор |
| microel. | Dual Injection Floating Gate MOS | технология МОП БИС с плавающим затвором и двумя инжекторами |
| microel. | ECL-Gate-Array | вентильная матричная ЭСЛ ИС |
| microel. | ECL-Gate-Array | вентильная ЭСЛ-матрица |
| microel. | Feldeffekttransistor mit isoliertem Gate | полевой транзистор с изолированным затвором |
| microel. | Feldeffekttransistor mit isoliertem Gate | МДП-транзистор |
| microel. | feldprogrammierbares Gate-Array | вентильная матрица, программируемая пользователем |
| microel. | FET mit isoliertem Gate | полевой транзистор с изолированным затвором |
| microel., BrE | Field-Programmable Gate-Array | вентильная матрица, программируемая пользователем |
| microel. | floatendes Gate | плавающий затвор |
| microel. | Floating Gate | плавающий затвор (МОП-транзистора) |
| microel. | Floating gate Avalanche injection MOS | лавинно-инжекционная МОП-структура с плавающим затвором |
| microel. | Floating-Gate-Elektrode | плавающий затвор (МОП-транзистора) |
| microel. | Floating-gate Ionization-Injection MOS | ионизационно-инжекционная МОП-структура с плавающим затвором |
| el. | Floating Gate MOS | лавинно-инжекционная МОП-структура с плавающим затвором |
| microel. | Floating-Gate-Technik | технология МОП-транзисторов с плавающим затвором |
| microel. | Floating-Gate-Technik | технология МОП-транзисторных ИС с плавающим затвором |
| microel. | Floating-Gate-Transistor | МОП-транзистор с плавающим затвором |
| microel. | Floating-Gate Tunnel Oxide | технология изготовления МОП ЗУ с плавающим затвором и тонким слоем туннельного оксида |
| microel. | Floating-Gate Tunnel Oxide | процесс "Флотокс" |
| microel. | Floating-Gate-Verstärker | ИС усилителя с плавающим затвором |
| avia. | Flux-gate-Magnetometer | индукционный магнитометр |
| comp., MS | Frage-Antwort-Gate | контрольный вентиль |
| microel. | Front-Gate | входной затвор |
| microel. | Front-Gate | передний затвор |
| microel. | Front-Gate | верхний затвор |
| ed. | Fröbels Gaben | дары Фрёбеля |
| comp. | Gate-Anschluß | контакт затвора |
| brit. | Gate-Array | логическая матрица |
| brit. | Gate-Array | матричная БИС |
| microel., BrE | Gate-Array | матрица логических элементов |
| microel., BrE | Gate-Array | вентильная матрица |
| brit. | Gate-Array | матрица логических вентилей |
| tech. | Gate Array | управляющий массив |
| brit. | Gate-Array | МаБИС |
| microel. | Gate-Array kundenspezifisches | специализированная матрица |
| microel. | Gate-Array kundenspezifisches | заказная матричная БИС |
| el. | Gate-Array-Design | проектирование топологии матричных БИС |
| microel. | Gate-Array-Design | проектирование матричных БИС |
| el. | Gate-Array-Entwurf | проектирование топологии матричных БИС |
| microel. | Gate-Array-Entwurf | проектирование матричных БИС |
| microel. | Gate-Array-Familie | серия матричных БИС |
| el. | Gate-Array-Logik | матричные БИС на основе БМК |
| microel. | Gate-Array-Makro | макроэлемент матричной БИС |
| microel. | Gate-Array-Makro | макроячейка вентильной матрицы |
| microel. | Gate-Array-Makro | макроячейка матричной БИС |
| el. | Gate-Array-Makro | макроячейка БМК |
| microel. | Gate-Array-Makro | макроэлемент вентильной матрицы |
| microel. | Gate-Array-Master | базовый кристалл матрицы |
| el. | Gate-Array-Master | базовый кристалл вентильной матрицы |
| microel. | Gate-Array-Master | базовый матричный кристалл |
| microel. | Gate-Array-Master | БМК |
| el. | Gate-Array-Schaltkreis | МаБИС |
| microel. | Gate-Array-Schaltkreis | матричная БИС |
| microel. | Gate-Array-Technik | технология матричных БИС |
| el. | Gate-Array-Technik | метод БМК |
| microel. | Gate-Array-Technik | метод вентильных матриц |
| el. | Gate-Array-Technik | метод проектирования матричных БИС на основе БМК |
| el. | Gate-Array-Technik | метод базового матричного кристалла |
| microel. | Gate-Array-Technik | метод проектирования матричных БИС |
| microel. | Gate-Array-Technologie | метод вентильных матриц |
| microel. | Gate-Array-Technologie | технология матричных БИС |
| microel. | Gate-Array-Technologie | метод проектирования матричных БИС |
| el. | Gate-Array-Verfahren | метод проектирования матричных БИС на основе БМК |
| el. | Gate-Array-Verfahren | технология матричных БИС |
| el. | Gate-Array-Verfahren | метод вентильных матриц |
| el. | Gate-Array-Verfahren | метод базового матричного кристалла |
| el. | Gate-Array-Verfahren | метод БМК |
| microel., BrE | Gate-Assisted Turnoff Thyristor | комбинированно-выключаемый тиристор |
| brit. | Gate-Assisted Turn-off Thyristor | комбинированно-выключаемый тиристор |
| microel. | Gate-Associated Transistor | полевой транзистор со связанным затвором |
| microel. | Gate-Breite | ширина затвора |
| microel. | gate controlled switch | полностью управляемый тиристор |
| microel. | Gate-Controlled Switch | триодный тиристор, не проводящий в обратном направлении |
| microel. | gate-controlled-switch | полностью управляемый полупроводниковый вентиль |
| med. | Gate-Control-Theory | воротная теория боли (marinik) |
| med. | Gate-Control-Theory | теория воротного контроля боли (marinik) |
| microel. | Gate-Drain-Kapazität | ёмкость затвор-сток |
| microel. | Gate-Drain-Kapazität | ёмкость затвор сток (при разомкнутом выводе) |
| microel. | Gate-Drain-Reststrom | остаточный ток в цепи затвор-сток |
| microel. | Gate-Drain-Reststrom | ток отсечки (тюлевого транзистора; ток отсечки состоит из обратного тока перехода затвор сток и тока утечки по поверхности пластины и через изоляторы выводов транзистора) |
| microel. | Gate-Drain-Reststrom | остаточный ток в цепи стока |
| microel. | Gate-Drain-Reststrom | остаточный ток в цепи затвор сток |
| el. | Gate-Drain-Spannung | напряжение затвор-сток |
| microel. | Gate-Drain-Spannung | напряжение затвор сток |
| microel. | Gate-Drain-Sperrstrom | обратный ток перехода затвор-сток (при разомкнутом выводе) |
| microel. | Gate-Drain-Sperrstrom | обратный ток перехода затвор сток (при разомкнутом выводе) |
| microel. | Gate-Elektrode | электрод затвора |
| comp. | Gate-Elektrode | электрод затвора (Steuerelektrode eines Feldeffekttransistors) |
| comp. | Gate-Extraktion | выделение вентилей |
| microel. | Gate-Injection MOS | МОП-структура с инжекционным плавающим затвором |
| microel. | Gate-Injection MOS | МОП ИС с инжекционным плавающим затвором |
| microel. | Gate-Injektions-MOS-Transistor | МОП-транзистор с инжекционным плавающим затвором |
| microel. | Gate-Isolation | изоляция затвора |
| microel. | Gate-Isolierschicht | оксидный слой затвора |
| microel. | Gate-Isolierschicht | подзатворный оксид |
| microel. | Gate-Isolierschicht | изолирующий слой затвора |
| microel. | Gate-Isolierung | изоляция затвора |
| microel. | Gate-Kanal-Kapazität | затворно-канальная ёмкость |
| microel. | Gate-Kanal-Übergang | переход затвор-канал |
| microel. | Gate-Kanal-Übergang | переход затвор канал |
| microel. | Gate-Kontakt | контакт затвора |
| microel. | Gate-Leitbahn | затворная токопроводящая дорожка |
| comp. | Gate-Oxiddicke | толщина окисла под затвором |
| microel. | Gate-Oxidierung | оксидирование для формирования подзатворного оксида |
| microel. | Gate-pn-Übergang | p-n-переход затвора |
| microel. | Gate-Reststrom | ток утечки затвора |
| microel. | Gate-Schaltung | схема с общим затвором |
| microel. | Gate-Source-Differenzspannung | разность напряжений затвор-исток |
| microel. | Gate-Source-Differenzspannung | разность напряжений затвор исток |
| microel. | Gate-Source-Kapazität | ёмкость затвор-исток (при разомкнутом выводе) |
| microel. | Gate-Source-Kapazität | ёмкость затвор исток (при разомкнутом выводе) |
| microel. | Gate-Source-pinch-off-Spannung | напряжение отсечки затвор-исток |
| microel. | Gate-Source-pinch-off-Spannung | напряжение отсечки затвор исток |
| microel. | Gate-Source-Schwellenspannung | максимально допустимое напряжение затвор-исток |
| microel. | Gate-Source-Schwellenspannung | максимально допустимое напряжение затвор исток |
| el. | Gate-Source-Spannung | напряжение затвор-исток |
| microel. | Gate-Source-Spannung | напряжение затвор исток |
| microel. | Gate-Source-Sperrstrom | обратный ток перехода затвор-исток (при разомкнутом выводе) |
| microel. | Gate-Source-Sperrstrom | обратный ток перехода затвор исток (при разомкнутом выводе) |
| microel. | Gate-Source-Steuerspannung | управляющее напряжение на затворе |
| microel. | Gate-Source-Steuerspannung | управляющее напряжение затвор-исток |
| microel. | Gate-Source-Steuerspannung | управляющее напряжение затвор исток |
| microel. | Gate-Spannung | напряжение затвора |
| microel. | Gate-Spannung | управляющее напряжение на затворе |
| comp. | Gate-Spannung | напряжение на затворе (Steuerelektrodenspannung) |
| microel. | Gate-Sperrspannung | запирающее напряжение на затворе |
| microel. | Gate-Sperrstrom | обратный ток затвора |
| microel. | Gate-Steuerspannung | управляющее напряжение на затворе |
| microel. | Gate-Strom | ток затвора |
| comp. | Gate-Strom | ток затвора (Steuerelektrodenstrom) |
| microel. | Gate-Substrat-Kapazität | ёмкость затвор-подложка |
| microel. | Gate-Substrat-Kapazität | ёмкость затвор подложка |
| el. | Gate-Substrat-Spannung | напряжение затвор-подложка |
| microel. | Gate-Substrat-Spannung | напряжение затвор подложка |
| el. | Gate-Turnedoff-Thyristor | запираемый тиристор |
| el. | Gate-Turnedoff-Thyristor | двухоперационный тиристор |
| microel. | Gate-Turn-Off-Thyristor | запираемый тиристор |
| microel. | Gate-Turn-Off-Thyristor | двухоперационный тиристор |
| el. | Gate-Vorspannung | смещение затвора |
| el. | Gate-Vorspannung | напряжение смещения затвора |
| comp. | Gate-Zuleitung | вывод затвора |
| comp. | geschichtetes Gate | составной затвор |
| microel. | HCMOS-Gate-Array | быстродействующая матричная КМОП ИС |
| microel. | 2-Input-NAND-Gate | двухвходовый элемент И-НЕ |
| microel. | 2-Input-NAND-Gate | двухвходовый элемент И НЕ |
| microel. | 2-Input-NAND-Gate | двухвходовый вентиль И-НЕ |
| microel. | 2-Input-NAND-Gate | двухвходовый вентиль И НЕ |
| gen. | Insulated Gate Bipolar Transistor | биполярный транзистор с изолированным затвором (биполярный транзистор, базовый ток которого управляется МОП-транзистором, с которым он работает в паре) |
| gen. | Insulated Gate FET | полевой транзистор с изолированным затвором |
| gen. | Insulated Gate FET | МДП-транзистор |
| microel. | Insulated Gate Field-Effect Transistor | полевой транзистор с изолированным затвором |
| microel. | Insulated Gate Field-Effect Transistor | МДП-транзистор |
| gen. | Insulated Gate MOS | МОП-структура с изолированным затвором |
| microel. | integrierte Schaltung mit Si-Gate | интегральная схема с кремниевыми затворами |
| microel. | integrierter Schaltkreis mit Si-Gate | интегральная схема с кремниевыми затворами |
| microel. | isoliertes Gate | изолированный затвор |
| microel. | isoliertes Si-Gate | изолированный кремниевый затвор |
| microel. | komplementäre MOS-Schaltung mit Si-Gate | комплементарная МОП-схема с кремниевым затвором |
| microel. | komplementärer MOS-IC mit Si-Gate | комплементарная МОП-схема с кремниевым затвором |
| microel. | komplementärer MOS-Schaltkreis mit Si-Gate | комплементарная МОП-схема с кремниевым затвором |
| microel. | komplementärer Si-Gate-MOS-Schaltkreis | комплементарная МОП-схема с кремниевым затвором |
| microel. | kundenspezifisches Gate-Array | специализированная матрица |
| microel. | kundenspezifisches Gate-Array | заказная матричная БИС |
| microel. | Lawineninjektions-MOS-Bauelement mit isoliertem Gate | лавинно-инжекционный МОП-прибор с изолированным затвором |
| microel. | Lawineninjektions-MOS-Struktur mit isoliertem Gate | лавинно-инжекционная МОП-структура с изолированным затвором |
| microel. | LSI-Gate-Array | матричная БИС |
| microel. | LSTTL-Gate | элемент маломощной ТТЛ с диодами Шоттки |
| microel. | LSTTL-Gate | логический элемент на маломощных ТТЛ ИС с диодами Шоттки |
| microel. | Macrocell-Gate-Array | макроэлементная вентильная матрица |
| microel. | Macrocell-Gate-Array | матричная БИС на основе БМК с макроячейками функциональных элементов |
| microel. | maskenprogrammierbares Gate-Array | вентильная матрица с масочным программированием |
| comp. | Metall-Gate | металлический затвор |
| microel. | Metall-Gate-Technik | технология изготовления МОП-транзисторов с металлическим затвором |
| gen. | Mit 233 Flugzeugen und Hubschraubern, von denen etwa 70 ihr Debüt gaben, war Le Bourget 77 der Salon mit den meisten Neuheiten Wp 27/1977 233 | самолёта и вертолёта, из которых приблизительно 70 выставлялись впервые, сделали Бурже-77 выставкой с наибольшим количеством новинок |
| microel. | Molybdan-Gate-SAG | технология МОП ИС с молибденовыми самосовмещёнными затворами |
| microel. | Molybdän-Gate | молибденовый затвор |
| microel. | MOS-Gate | логический элемент на МОП-транзисторах |
| el. | MOS-Gate | вентиль на МОП-транзисторах |
| microel., BrE | MOS-Gate | логический вентиль на МОП-транзисторах |
| microel. | MOS-Gate | вентиль МОПТЛ |
| microel. | MOS-Gate | элемент МОПТЛ |
| microel. | MOS-Gate | МОП-вентиль |
| microel. | MOS-Bauelement mit Al-Gate | МОП-прибор с алюминиевым затвором |
| microel. | MOS-Bauelement mit Si-Gate | МОП-прибор с кремниевым затвором |
| microel. | MOS-Feldeffekttransistor mit isoliertem Gate | МОП-транзистор с изолированным затвором |
| microel. | MOS-Feldeffekttransistor mit Molybdän-Gate | МОП-транзистор с молибденовым затвором |
| microel. | MOS-Floating-Gate-Technik | технология получения МОП-структур с плавающим затвором |
| microel. | MOS-IG mit Si-Gate | МОП-схема с кремниевым затвором |
| microel. | MOS-Schaltkreis mit Si-Gate | МОП-схема с кремниевым затвором |
| comp. | MOS-Speicherelektrodentechnik mit schwimmendem Gate | МОП-структура с лавинной инжекцией и плавающим затвором (z. B. für RePROM) |
| microel. | MOS-Struktur mit isoliertem Gate | МОП-структура с изолированным затвором |
| microel. | MOS-Struktur mit Si-Gate | МОП-структура с кремниевым затвором |
| microel. | MOS-Technik mit selbstjustierendem Gate | технология самосовмещённых затворов |
| microel. | n-Gate | управляющий электрод n-типа |
| microel. | n-Gate-Thyristor | тиристор с управляющим электродом n-типа |
| microel. | NEC-Gate-Array | матричная СБИС фирмы NEC (Япония) |
| microel. | n-Kanal-Si-Gate-Technik | технология n-канальных МОП ИС с самосовмещёнными поликремниевыми затворами |
| microel. | n-Kanal-Silizium-Gate-Technologie | технология n-канальных МОП ИС с самосовмещёнными поликремниевыми затворами |
| el. | n-MOS-Silizium-Gate-Technik | технология n-МОП-транзисторных ИС с самосовмещёнными поликремниевыми затворами |
| telecom. | Noise-Gate | пороговый шумоподавитель (art_fortius) |
| microel. | Not-Gate | элемент НЕ |
| microel. | Not-Gate | вентиль НЕ |
| brit. | NOT-Gate | логический элемент НЕ |
| microel. | Open-Collector-Gate | вентиль с открытым коллектором |
| comp. | Open-Kollektor-Gate | вентиль с открытым коллектором |
| microel. | OR-Gate | логический вентиль ИЛИ |
| microel. | OR-Gate | логический элемент ИЛИ |
| brit. | OR-Gate | вентиль ИЛИ |
| el. | p-Gate | управляющий электрод p-типа |
| microel. | p-Gate | управляющий электрод р-типа |
| microel. | p-Gate-Thyristor | тиристор с управляющим электродом р-типа |
| brit. | p-Gate-Thyristor | тиристор с управляющим электродом p-типа |
| microel. | p-Kanal-Aluminium-Gate-MOS-Technologie | технология р-канальных МОП ИС с алюминиевыми затворами |
| microel. | p-Kanal-Metall-Gate-Technologie | технология р-канальных МОП-приборов с металлическими затворами |
| el. | p-Kanal-Si-Gate-FET | p-канальный МОП-транзистор с поликремниевым затвором |
| microel. | p-Kanal-Si-Gate-FET | р-канальный МОП-транзистор с поликремниевым затвором |
| microel. | p-Kanal-Si-Gate-Technik | технология p-канальных МОП-транзисторных ИС с самосовмещёнными поликремниевыми затворами |
| microel. | p-Kanal-Si-Gate-Technik | технология р-канальных МОП-транзисторных ИС с самосовмещёнными поликремниевыми затворами |
| microel. | Poly-Si-Gate | поликремниевый затвор |
| microel. | Poly-Si-Gate-SAG | технология МОП ИС с самосовмещёнными поликремниевыми затворами |
| el. | Polysilizium-Gate | поликремниевый затвор |
| comp. | potentialmäßig freies Gate | плавающий затвор (Anwendung als Speicherelektrode) |
| microel. | potentialmäßig schwimmendes Gate | плавающий затвор |
| microel., BrE | Programmable Gate Array | программируемая вентильная матрица |
| microel., BrE | Programmable Gate Array | программируемая матрица логических элементов |
| gen. | Programmable Gate Array | программируемая логическая матрица |
| microel. | programmierbares Gate-Array | программируемая вентильная матрица |
| el. | programmierbares Gate-Array | программируемая логическая матрица |
| microel. | programmierbares Gate-Array | ПВМ |
| microel. | Quelle-Gate-Kapazität | ёмкость исток-затвор |
| microel. | Resistive-Gate-Sensor | фоторезисторный датчик |
| microel. | Resistive Insulabed Gate Field-Effect Transistor | полевой транзистор с резистивным изолированным затвором |
| microel. | schnelles ECL-Gate-Array | быстродействующая матричная ЭСЛ ИС |
| microel. | Schottky-Gate | затвор Шоттки |
| microel. | Schottky-Gate-Diode | диод Шоттки |
| microel. | Schottky-Gate-Feldeffekttransistor | полевой транзистор с затвором Шоттки |
| microel. | Schottky-Gate-Metallisierung | металлизация для формирования затвора Шоттки |
| el. | Schottky-Gate-Übergang | переход на основе барьера Шоттки |
| comp. | schwimmendes Gate | плавающий затвор (Anwendung als Speicherelektrode) |
| microel. | Sea-of-Gates | БМК типа "море вентилей" |
| microel. | Sea-of-Gates-Array | конструкция типа "море вентилей" |
| microel. | Sea-of-Gates-Array | бесканальная матрица (плотно скомпонованная вентильная матрица) |
| comp. | selbsteinstellendes Gate | самосовмещённый затвор |
| microel. | selbstjustierendes Gate | самосовмещённый затвор |
| microel. | selbstjustiertes Gate | самосовмещённый затвор |
| microel., BrE | Self-Aligned Gate | самосовмещённый затвор |
| microel. | Self-Aligned Gate MNOS | технология получения МНОП-структур с самосовмещёнными затворами |
| el. | Self-Aligned gate MNOS | МНОП ИС с самосовмещённым затвором |
| el. | Self-Aligned gate MNOS | МНОП-структура с самосовмещённым затвором |
| el. | Self-Aligned gate MNOS | технология МНОП ЗУ с самосовмещёнными затворами |
| microel. | Self-Aligned Gate MNOS | МНОП-структура с самосовмещёнными затворами |
| microel. | Self-Aligned Gate MOS | МОП-структура с самосовмещёнными затворами |
| microel. | Self-Aligned Gate MOS | технология МОП-структур с самосовмещёнными затворами |
| brit. | Self-Aligned Gate MOS | технология МОП ИС с самосовмещёнными затворами |
| brit. | Self-Aligned Gate MOS | МОП-структура с самосовмещённым затвором |
| brit. | Self-Aligned Gate MOS | МОП ИС с самосовмещённым затвором |
| el. | Self-Registered Gate-Technik | технология МОП ИС с самосовмещёнными затворами |
| microel. | Si-Gate | поликремниевый затвор |
| microel. | Si-Gate | кремниевый затвор |
| microel. | Si-Gate-MOS-Bauelement | МОП-прибор с кремниевым затвором |
| microel. | Si-Gate-MOS-Schaltkreis | МОП-схема с кремниевым затвором |
| microel. | Si-Gate-Struktur | структура с кремниевыми затворами |
| microel. | Si-Gate-Technik | технология МОП ИС с поликремниевыми затворами |
| el. | Si-Gate-Transistor | МОП-транзистор с поликремниевым затвором |
| microel. | Si-Gate-Transistor | транзистор с кремниевым затвором |
| microel. | Si-Gate-Transistor | транзистор с поликремниевым затвором |
| gen. | sie gaben die gebührende Antwort auf diese Provokation | они достойно ответили на эту провокацию |
| microel. | Silicon-Gate | поликремниевый затвор |
| microel. | Silicon-Gate | кремниевый затвор |
| microel. | Silicon Gate MOS Bipolar Technology | комбинированная технология ИС на биполярных транзисторах и МОП-транзисторах с поликремниевыми затворами |
| microel. | Silicon Gate Oxide Semiconductor | технология МОП-структур с кремниевым затвором |
| microel. | Silicon Gate Oxide Semiconductor | МОП-структура с кремниевым затвором |
| microel. | Silicon-Gate Self-Aligned Junction Insulation CMOS | технология КМОП ИС с самосовмещёнными поликремниевыми затворами и изоляцией p-n-переходами |
| microel. | Silicon-Gate Self-Aligned Junction Insulation CMOS | КМОП ИС с самосовмещёнными поликремниевыми затворами и изоляцией p-n-переходами |
| microel. | Silicon-Gate-Technik | технология МОП ИС с поликремниевыми затворами |
| microel., BrE | Silicon Gate Technology | технология МОП ИС с поликремниевыми затворами |
| el. | Silicon-Gate-Transistor | МОП-транзистор с поликремниевым затвором |
| el. | Silicon-Gate Transistor | МОП-транзистор с поликремниевым затвором |
| microel., BrE | Silicon Gate Transistor | МОП-транзистор с поликремниевым затвором |
| microel. | Silizium-Gate-Technologie | технология кремниевых затворов |
| comp. | Siliziumsteuerelektrode Si-Gate | поликремниевый затвор |
| microel. | Single-Poly-Si-Gate-Technik | технология МОП ИС с однослойным поликремниевым затвором |
| comp. | Source-Gate-Kapazität | ёмкость затвор-исток (Kapazität zwischen Quellen- und GateElektrode eines Feldeffekttransistors) |
| el. | Source-Gate-Spannung | напряжение затвор-исток |
| microel. | Source-Gate-Spannung | напряжение затвор исток |
| microel., BrE | stacked gate | составной затвор |
| microel., BrE | stacked gate | многоуровневый затвор |
| el. | Stacked gate Avalanche injection MOS | лавинно-инжекционная МОП-структура с многоуровневым затвором |
| el. | Stacked gate Avalanche injection MOS | технология лавинно-инжекционных МОП ИС с многоуровневыми затворами |
| microel. | Stacked-Gate Avalanche Injection MOS | технология лавинно-инжекционных МОП-структур с многоуровневыми затворами |
| el. | Stacked gate Avalanche injection MOS | лавинно-инжекционная МОП ИС с многоуровневым затвором |
| microel. | Stacked-Gate Avalanche Injection MOS | лавинно-инжекционная МОП-структура с многоуровневыми затворами |
| microel. | Stacked-gate Injection MOS | технология ИС на лавинно-инжекционных МОП-транзисторах с составным затвором |
| microel. | Stacked-gate Injection MOS | лавинно-инжекционные МОП-структуры с многоуровневым затвором |
| microel. | Stacked-gate Injection MOS | технология ИС на лавинно-инжекционных МОП-транзисторах с многоуровневым затвором |
| microel., BrE | Stacked-gate Injection MOS | технология ИС на лавинно-инжекционных МОП-транзисторах с составным |
| microel. | Stacked-gate Injection MOS | лавинно-инжекционные МОП-структуры с составным затвором |
| manag. | Stage-Gate-Prinzip | гейтовый принцип (janette) |
| microel. | Top-Gate | передний затвор |
| microel. | Top-Gate | входной затвор (двухзатворного полевого транзистора) |
| microel. | Top-Gate | верхний затвор |
| microel. | Transistor mit Si-Gate | транзистор с кремниевым затвором |
| microel. | Trigger-Gate | переключающий затвор (диода Ганна) |
| microel. | V-Gate-FET | полевой транзистор с V-образным затвором |
| microel. | VLSI-CMOS-Gate-Array | матричная КМОП СБИС |
| auto. | Waste-Gate | перепускной клапан ОГ в системе наддува (norbek rakhimov) |
| microel. | Zwei-Input-NAND-Gate | двухвходовый элемент И-НЕ |
| microel. | Zwei-Input-NAND-Gate | двухвходовый элемент И НЕ |
| microel. | Zwei-Input-NAND-Gate | двухвходовый вентиль И-НЕ |
| microel. | Zwei-Input-NAND-Gate | двухвходовый вентиль И НЕ |
