| German | Russian |
| Anodized Metal-Oxide-Semiconductor FET | МОП-транзистор с анодно-оксидированным изолирующим слоем |
| ATMOS-FET | МОП-транзистор с регулируемым пороговым напряжением |
| Back-gate-FET | МОП-транзистор с нижним затвором |
| Bipolar inversion-channel FET | биполярно-полевой транзистор с инверсионным каналом |
| Bipolar inversionchannel FET | биполярно-полевой транзистор с инверсионным каналом |
| Bloch-FET | полевой транзистор с блоховскими осцилляциями |
| BMOS-FET | МОП-транзистор с нижним затвором |
| Buffered FET Logic | логические схемы на буферных полевых транзисторах |
| Buffered FET Logic | логика на буферных полевых транзисторах |
| Chemical FET | полевой транзистор, чувствительный к концентрации ионов |
| Chemical FET | датчик концентрации ионов |
| Conductivity Modulated FET | полевой транзистор с модулированной проводимостью |
| Depletion FET | работающий в режиме обеднения |
| Depletion FET | полевой транзистор с обеднением канала |
| Depletion-FET | МДП-транзистор со встроенным каналом, работающий в режиме обеднения |
| Depletion-FET | МДП-транзистор с обеднением канала |
| Depletion FET | полевой транзистор с обеднением канала, полевой транзистор со встроенным каналом |
| Direct-Coupled FET Logic | логические схемы на полевых транзисторах с непосредственными связями |
| Direct-Coupled FET Logic | логика на полевых транзисторах с непосредственными связями |
| direkt gekoppelte FET-Logik | логические схемы на полевых транзисторах с непосредственными связями |
| direkt gekoppelte FET-Logik | логика на полевых транзисторах с непосредственными связями |
| direktgekoppelte FET-Logik | логические схемы на полевых транзисторах с непосредственными связями |
| direktgekoppelte FET-Logik | логика на полевых транзисторах с непосредственными связями |
| Doppelgate-FET | полевой транзистор с двойным затвором |
| Doppelgate-FET | двухзатворный полевой транзистор |
| Dual-Gate-FET | двухзатворный полевой транзистор |
| Dünnschicht-FET | тонко-плёночный полевой транзистор |
| Dünnschicht-FET | тонкоплёночный полевой транзистор |
| Enhancement-FET | МДП-транзистор с обогащением канала |
| Enhancement-FET | МДП-транзистор, работающий в режиме обогащения |
| Enhancement-FET | МДП-транзистор с индуцированным каналом |
| FAMOS-FET | лавинно-инжекционный МОП-транзистор с плавающим затвором |
| Ferroelectric FET | сегнетоэлектрический полевой транзистор |
| Ferroelectric FET | полевой транзистор с сегнетоэлектрическим изолирующим слоем затвора |
| FET-Logik | логические схемы на полевых транзисторах |
| FET-Logik | логика на полевых транзисторах |
| FET-Mischer | смеситель на полевых транзисторах |
| FET mit isoliertem Gate | полевой транзистор с изолированным затвором |
| FET mit MES-Struktur | полевой МЕП-транзистор |
| FET mit MES-Struktur | МЕП-транзистор полевой |
| FET mit zweidimensionalem Elektronengas | полевой транзистор на двумерном электронном газе |
| FET-Op | ИС операционного усилителя на полевых транзисторах |
| FET-Operationsverstärker | ИС операционного усилителя на полевых транзисторах |
| FET-Oszillator | гетеродин на полевых транзисторах с барьером Шоттки (входного устройства приёмной установки спутникового телевидения) |
| FET-Schalter | переключатель на полевых транзисторах |
| Foto-FET | канальный фототранзистор |
| Foto-FET | полевой фоточувствительный транзистор |
| Foto-FET | полевой фототранзистор |
| GaAs-FET | полевой транзистор Шоттки на арсениде галлия |
| GaAs-FET | полевой транзистор Шоттки на GaAs |
| GaAs-Heterostruktur-FET | гетероструктурный металл-полупроводниковый полевой транзистор на арсениде галлия |
| GaAs-Heterostruktur-FET | полевой транзистор на арсениде галлия с барьером Шоттки и гетеропереходом |
| GaAs-Heterostruktur-FET | гетероструктурный МЕП-транзистор на арсениде галлия |
| GaAs-Höchstfrequenz-MES-FET | полевой СВЧ-транзистор Шоттки на арсениде галлия |
| GaAs-Höchstfrequenz-MES-FET | полевой СВЧ-транзистор Шоттки на GaAs |
| GaAs-Leistungs-FET | мощный полевой транзистор Шоттки на арсениде галлия |
| GaAs-Leistungs-FET | мощный полевой транзистор Шоттки на GaAs |
| GaAs-Mikrowellen-FET | полевой СВЧ-транзистор на арсениде галлия |
| GaAs-Mikrowellen-FET | полевой СВЧ-транзистор на GaAs |
| GaAs-Schottky-FET | полевой транзистор с затвором Шоттки на арсениде галлия |
| GaAs-Schottky-FET | полевой транзистор с затвором Шоттки на GaAs |
| Galliumarsenid-FET | полевой транзистор Шоттки на арсениде галлия |
| Galliumarsenid-FET | полевой транзистор Шоттки на GaAs |
| gepufferte FET-Logik | логические схемы на буферных полевых транзисторах |
| gepufferte FET-Logik | логические схемы на полевых транзисторах с буферным каскадом |
| gepufferte FET-Logik | логика на буферных полевых транзисторах |
| Heterojunction-FET | полевой транзистор с гетеропереходом |
| Heterostruktur-FET | полевой транзистор на арсениде галлия с барьером Шоттки и гетеропереходом |
| Heterostruktur-FET | гетероструктурный металл-полупроводниковый полевой транзистор (на арсениде галлия) |
| Hexagonal FET | полевой транзистор с гексагональными р-областями |
| Hexagonal FET | полевой транзистор с гексагональными p-областями |
| Hexagonal FET | гексагональный полевой транзистор |
| HiPer-FET | высококачественный полевой транзистор |
| IMOS-FET-Widerstand | нагрузочный МОП-транзистор |
| Infrared FET | полевой транзистор, чувствительный к ИК-излучению |
| Infrared FET | ИК-датчик |
| Injektions-FET | инжекционно-полевой транзистор |
| Injektions-FET-Logik | инжекционно-полевая логика |
| Injektions-FET-Logik | ИПЛ |
| Isolierschicht-FET | МДП-транзистор |
| Isolierschicht-FET | полевой транзистор с изолированным затвором |
| J-FET-OP | ИС операционного усилителя на полевых транзисторах с p-n-переходом |
| Kleinsignal-FET | малосигнальный полевой транзистор |
| L2-FET | полевой транзистор логического уровня |
| L2FET | полевой транзистор логического уровня |
| L2FET | L2-FET-прибор |
| L2-FET | L2-FET-прибор |
| L2FET L2-FET | полевой транзистор логического уровня |
| Leistungs-FET | мощный полевой транзистор |
| leitfähigkeitsgesteuerter FET | полевой транзистор с модулированной проводимостью |
| Logik-Level-FET | L2-FET-прибор |
| Logik-Level-FET | полевой транзистор логического уровня |
| magnetfeldabhängiger FET | полевой транзистор, чувствительный к магнитному полю |
| magnetfeldabhängiger FET | датчик магнитного поля |
| MAOS-FET | транзистор с МАОП-структурой |
| MAOS-FET | МАОП-транзистор |
| MES-FET | полевой МЕП-транзистор |
| MES-FET | МЕП-транзистор полевой |
| Metal Alumina Silicon FET | МДП-транзистор с изолирующим подзатворным слоем А12О3 |
| Metall-Oxid-Silizium-FET | МОП-транзистор |
| militärischer FET | полевой транзистор для военно-технических целей |
| MLS-FET | полевой транзистор со структурой металл плёнка Ленгмюра полупроводник |
| MLS-FET | МЛП-транзистор |
| MNOS-FET | МНОП-транзистор |
| Modulation-Doped FET | полевой транзистор с регулируемым уровнем легирования |
| Modulation-Doped FET | полевой транзистор с модулируемым уровнем легирования |
| Modulation-Doped FET | модуляционно-легированный полевой транзистор |
| MTOS-FET | полевой транзистор на МТОП-структуре |
| MTOS-FET | МТОП-транзистор |
| n-Kanal-FET | полевой транзистор с каналом n-типа |
| n-Kanal-FET | n-канальный полевой транзистор |
| n-Kanal-Depletion-FET | МДП-транзистор со встроенным каналом n-типа, работающий в режиме обеднения |
| n-Kanal-Depletion-MIS-FET | МДП-транзистор со встроенным каналом n-типа, работающий в режиме обеднения |
| n-Kanal-Sperrschicht-FET | n-канальный полевой транзистор с p-n-переходом |
| Oberflächen-FET | полевой транзистор с приповерхностным каналом |
| Oberflächensperrschicht-FET | поверхностно-барьерный транзистор |
| Piezo-FET | полевой пьезо-транзистор |
| Piezo-FET | полевой пьезотранзистор |
| Piezoelectric Oxide Semiconductor FET | полевой пьезотранзистор |
| p-Kanal-FET | р-канальный полевой транзистор |
| p-Kanal-FET | полевой транзистор с каналом p-типа |
| p-Kanal-FET | p-канальный полевой транзистор |
| p-Kanal-FET | полевой транзистор с каналом р-типа |
| p-Kanal-Isolierschicht-FET | МДП-транзистор с каналом p-типа |
| p-Kanal-Isolierschicht-FET | p-канальный МДП-транзистор |
| p-Kanal-Isolierschicht-FET | МДП-транзистор с каналом р-типа |
| p-Kanal-Isolierschicht-FET | р-канальный МДП-транзистор |
| p-Kanal-Si-Gate-FET | р-канальный МОП-транзистор с поликремниевым затвором |
| p-Kanal-Verarmung-MOS-FET | МОП-транзистор с каналом р-типа, работающий в режиме обеднения |
| Puffer-FET-Technik | логические схемы на полевых транзисторах с буферными каскадами |
| SAMOS-FET | лавинно-инжекционный МОП-транзистор с многоуровневым затвором |
| Schottky Diode FET Logic | логические схемы на полевых транзисторах и диодах Шоттки |
| Schottky Diode FET Logic | логика на полевых транзисторах и диодах Шоттки |
| Schottky-FET | полевой транзистор с диодом Шоттки |
| Schottky-FET | полевой транзистор с затвором в виде диода Шоттки |
| Schottky-FET | полевой транзистор с затвором Шоттки |
| Schottky-FET | полевой транзистор Шоттки |
| Schottky-FET | ПТШ |
| Schottky-FET-Mischer | смеситель на арсенид-галлиевых полевых транзисторах с диодом Шоттки |
| Schottky-FET-Oszillator | гетеродин на арсенидгаллиевых полевых транзисторах с диодом Шоттки |
| Schottky-Barrieren-FET | полевой транзистор с затвором Шоттки |
| Schottky-Barrieren-FET | полевой транзистор с затвором в виде диода Шоттки |
| Schottky-Barrieren-FET | полевой транзистор Шоттки |
| Schottky-Barrieren-FET | полевой транзистор с диодом Шоттки |
| Schottky-Barrieren-FET | ПТШ |
| Schottky-Dioden-FET-Logik | логические схемы на полевых транзисторах и диодах Шоттки |
| Schottky-Dioden-FET-Logik | логика на полевых транзисторах и диодах Шоттки |
| selbstjustierter Schottky-FET | полевой транзистор с самосовмещённым затвором Шоттки |
| selbstleitender FET | МОП-транзистор со встроенным каналом |
| selbstsperrender FET | МОП-транзистор с обогащением канала |
| selbstsperrender FET | МОП-транзистор с индуцированным каналом |
| Self-Aligned Schottky FET | полевой транзистор Шоттки с самосовмещённым затвором |
| Si-FET | кремниевый полевой транзистор |
| Siliziumkarbid-FET | полевой транзистор на основе карбида кремния |
| SIMOS-FET | лавинно-инжекционный МОП-транзистор с составным затвором |
| SIMOS-FET | лавинно-инжекционный МОП-транзистор с многоуровневым затвором |
| Sperrschicht-FET | полевой транзистор с p-n-переходом |
| Sperrschicht-FET | полевой транзистор (с p-n-переходом, с затвором Шоттки) |
| Sub-μm-FET | полевой транзистор с субмикронным каналом |
| TED-FET-IS | ИС на приборах с переносом электронов и полевых транзисторах (на арсениде галлия) |
| Thin-film FET | тонко-плёночный полевой транзистор |
| Thin-film FET | тонкоплёночный полевой транзистор |
| Two-dimensional Electron Gas FET | полевой транзистор на двумерном электронном газе |
| Unipolarer FET | полевой транзистор |
| Unipolarer FET | униполярный транзистор |
| Verarmungs-FET | полевой транзистор с обеднением канала |
| Verarmungs-FET | полевой транзистор со встроенным каналом, работающий в режиме обеднения |
| Vertical-Junction FET | полевой транзистор с вертикальным p-n-переходом |
| Vertikalübergang-FET | полевой транзистор с вертикальным p-n-переходом |
| V-Gate-FET | полевой транзистор с V-образным затвором |
