| Russian | German |
| МДП-транзистор со встроенным каналом n-типа, работающий в режиме обеднения | n-Kanal-Depletion-MIS-FET |
| МДП-транзистор со встроенным каналом n-типа, работающий в режиме обеднения | n-Kanal-Depletion-MISFET |
| МДП-транзистор со встроенным каналом n-типа, работающий в режиме обеднения | n-Kanal-Verarmungstyp |
| МДП-транзистор со встроенным каналом n-типа, работающий в режиме обеднения | n-Kanal-Verarmungs-MISFET |
| МДП-транзистор со встроенным каналом n-типа, работающий в режиме обеднения | n-Kanal-Verarmungs-IFET |
| МДП-транзистор со встроенным каналом n-типа, работающий в режиме обеднения | n-Kanal-Depletion-FET |
| n-МОП-транзистор со встроенным каналом | selbstleitender NMOS-Transistor |
| МОП-транзистор со встроенным каналом | selbstleitender |
| МОП-транзистор со встроенным каналом | selbstleitender FET |
| МОП-транзистор со встроенным каналом, используемым в качестве нагрузки | Depletion Load Transistor |
| МОП-транзистор со встроенным каналом, используемым в качестве нагрузки | Verarmungslast-MOSFET |
| МОП-транзистор со встроенным каналом, используемым в качестве нагрузки | Depletionlasttransistor |
| полевой МОП-транзистор со встроенным каналом | MOSFET vom Verarmungstyp |
| полевой МОП-транзистор со встроенным каналом | MOS-Feldeffekttransistor vom Verarmungstyp |
| полевой МОП-транзистор со встроенным каналом | MOS-Feldeffekttransistor vom Entblößungstyp |
| полевой транзистор с обеднением канала, полевой транзистор со встроенным каналом | Depletion FET |
| технология МОП-схем с использованием транзисторов с индуцированным каналом в качестве активных элементов и транзисторов со встроенным каналом в качестве нагрузок | Depletion-Load-Technik |
| транзистор со встроенным каналом | Normally-On-Transistor |
| транзистор со встроенным каналом, используемым в качестве нагрузки | Depletion Load Transistor |
| транзистор со встроенным каналом, используемым в качестве нагрузки | Depletionlasttransistor |
