Sign in
|
English
|
Terms of Use
Dictionary
Forum
Contacts
Russian
⇄
Chinese
English
French
German
Terms
for subject
Microelectronics
containing
МОП технология
|
all forms
|
in specified order only
Russian
German
Би-
МОП-технология
BIMOS-Technik
Би-
МОП-технология
MOSBi
Би-
МОП-технология
BIMOS
двухдиффузионная самосовмещённая
МОП-технология
DSA-MOS-Technik
двухдиффузионная самосовмещённая
МОП-технология
Diffusion Self-Aligned MOS
двухдиффузионная самосовмещённая
МОП-технология
Double-Diffusion Self-Aligned MOS
двухдиффузионная самосовмещённая
МОП-технология
DSA MOS
комбинированная технология ИС на биполярных и МОП-транзисторах
Cache-Technik
V-
МОП-технология
Vertical MOS
V-
МОП-технология
VMOS
V-
МОП-технология
VMOS-Technik
V-
МОП-технология
VMOS-Technologie
V-
МОП-технология
V-groove MOS
n-
МОП-технология
n-MOS-Technik NMOS-Technik
V-
МОП-технология
V-Graben-MOS-Technologie
МОП-технология
с двойной диффузией
MOS-Technologie mit Doppeldiffusion
МОП-технология
с двойной диффузией
D/MOS-Technologie
р-
МОП-технология
p-MOS-Technik PMOS-Technik
технология
получения
вертикальных V-МОП-структур
Vertikal-MOS-Technik
технология
получения
вертикальных V-МОП-структур
Vertikal-MOS
технология
получения
вертикальных V-МОП-структур
Vertikal-MOS-Technologie
технология
изготовления
вертикальных МОП-транзисторов
Vertikal-MOS-Technologie
технология
изготовления
вертикальных МОП-транзисторов
Vertikal-MOS-Technik
технология высоковольтных МОП-транзисторов
Hochvolt-MOS-Technik
технология высоковольтных р-канальных МОП-транзисторов
PMOS-Hochvolttechnik
технология высококачественных МОП ИС
Hochleistungs-MOS
технология высококачественных МОП ИС
High-Performance MOS
технология высококачественных МОП ИС
Hochleistungs-MOS-Technik
технология высококачественных МОП ИС
HMOS-Technik
технология высококачественных МОП ИС
HMOS-Technologie
технология высококачественных МОП ИС
HMOS
технология
изготовления
двухдиффузионных МОП-транзисторов
DMOS-Verfahren
технология
изготовления
двухдиффузионных МОП-транзисторов
DMOS-Technik
технология
изготовления
двухдиффузионных МОП-транзисторов
D-MOS
технология изготовления МОП ЗУ с плавающим затвором и тонким слоем туннельного оксида
Flotox
технология изготовления МОП ЗУ с плавающим затвором и тонким слоем туннельного оксида
Floating-Gate Tunnel Oxide
технология изготовления МОП ИС методом ионной имплантации
Ion-Implanted MOS
технология изготовления МОП ИС методом ионной имплантации
IIMOS
технология изготовления МОП ИС с применением метода двойной диффузии
Doppeldiffusions-MOS-Technologie
технология ИС на биполярных и МОП-транзисторах
MOSBi
технология
изготовления
ИС на биполярных и МОП-транзисторах
BIMOS-Technik
технология
изготовления
ИС на биполярных и МОП-транзисторах
BIMOS
комбинированная
технология ИС на биполярных и МОП-транзисторах с поликремниевыми затворами
SIGBIP
комбинированная
технология ИС на биполярных транзисторах и МОП-транзисторах с поликремниевыми затворами
Silicon Gate
MOS
Bipolar Technology
технология ИС на лавинно-инжекционных МОП-транзисторах с многоуровневым затвором
SIMOS
технология ИС на лавинно-инжекционных МОП-транзисторах с многоуровневым затвором
Stacked-gate Injection MOS
технология ИС на лавинно-инжекционных МОП-транзисторах с составным
Stacked-gate Injection MOS
технология ИС на лавинно-инжекционных МОП-транзисторах с составным затвором
SIMOS
технология ИС на лавинно-инжекционных МОП-транзисторах с составным затвором
Stacked-gate Injection MOS
технология p-канальных МОП ИС
PMOS-Technik
технология p-канальных МОП ИС
p-MOS-Technik
технология n-канальных МОП ИС
n-MOS-Technik
технология n-канальных МОП ИС
NMOS-Technik
технология p-канальных МОП ИС с алюминиевыми затворами
p-Alg-MOS
технология n-канальных МОП ИС с
самосовмещёнными
поликремниевыми затворами
n-Kanal-Silicongate-Technologie
технология n-канальных МОП ИС с
самосовмещёнными
поликремниевыми затворами
n-Kanal-Silizium-Gate-Technologie
технология n-канальных МОП ИС с
самосовмещёнными
поликремниевыми затворами
n-Kanal-Si-Gate-Technik
технология n-канальных МОП-приборов
n-MOS-Technik NMOS-Technik
технология p-канальных МОП-приборов
p-Kanal-Technologie
технология n-канальных МОП-приборов
n-Kanal-MOS-Technologie
технология n-канальных МОП-приборов
n-Kanal-MOS-Technik
технология p-канальных МОП-транзисторных ИС с
самосовмещёнными
поликремниевыми затворами
p-Kanal-Silicongate-Technologie
технология p-канальных МОП-транзисторных ИС с
самосовмещёнными
поликремниевыми затворами
p-Kanal-Si-Gate-Technik
технология n-канальных МОП-транзисторов
n-Kanal-MOS-Technologie
технология p-канальных МОП-транзисторов
p-Kanal-Technologie
технология n-канальных МОП-транзисторов
n-Kanal-MOS-Technik
технология кремниевых МОП-транзисторов
Silizium-MOS Technik
технология лавинно-инжекционных МОП-структур с многоуровневыми затворами
Stacked-Gate Avalanche Injection MOS
технология
получения
лавинно-инжекционных МОП-структур с многоуровневыми затворами
SAMOS
технология масштабированных МОП ИС с самосовмещёнными затворами и каналами субмикронной длины
Small MOS
технология масштабированных МОП ИС с самосовмещёнными затворами и каналами субмикронной длины
Scaled-down MOS
технология МОП БИС с высокоомными стоками и истоками, сформированными двойной ионной имплантацией
Double-Implanted Lightly-Doped Drain/source
process
технология МОП БИС с каналом р-типа
p-Kanal-MOS-LSI-Technik
технология МОП БИС с плавающим затвором и двумя инжекторами
Dual Injection Floating Gate MOS
технология МОП БИС с плавающим затвором и двумя инжекторами
DIFMOS
технология МОП ИС
Bipolar-enhanced MOS
технология МОП ИС
BeMOS
технология МОП ИС с инжекционным
плавающим
затвором
GIMOS
технология МОП ИС с инжекционным
плавающим
затвором
GIMOS-Technik
технология МОП ИС с молибденовыми затворами
Molybdäntortechnik
технология МОП ИС с молибденовыми самосовмещёнными затворами
Molybdan-Gate-SAG
технология МОП ИС с обогащением активных транзисторов и обеднением нагрузок
E/D-Technik
технология МОП ИС с обогащением активных транзисторов и обеднением нагрузок
ED-MOS
технология МОП ИС с обогащением активных транзисторов и обеднением нагрузок
ED-Technik
технология МОП ИС с обогащением активных транзисторов и обеднением нагрузок
Enhancement-Depletion-Technik
технология МОП ИС с обогащением активных транзисторов и обеднением нагрузок
ED-MOS-Technik
технология МОП ИС с обогащением активных транзисторов и обеднением нагрузок
Depletion-Load-Technik
технология МОП ИС с V-образными изолирующими канавками
VMOS-Technik
технология МОП ИС с V-образными изолирующими канавками
VMOS-Technologie
технология МОП ИС с V-образными изолирующими канавками
V-groove MOS
технология МОП ИС с V-образными изолирующими канавками
Vertical MOS
технология МОП ИС с V-образными изолирующими канавками
VMIS-Technik
технология МОП ИС с V-образными изолирующими канавками
VMOS
технология МОП ИС с V-образными изолирующими канавками
V-Graben-MOS-Technologie
технология МОП ИС с однослойным поликремниевым затвором
Single-Poly-Si-Gate-Technik
технология МОП ИС с поликремниевыми затворами
Silicon-Gate-Technik
технология МОП ИС с поликремниевыми затворами
Silicon Gate Technology
технология МОП ИС с поликремниевыми затворами
Siliziumgatetechnologie
технология МОП ИС с поликремниевыми затворами
SGT-MOS
технология МОП ИС с поликремниевыми затворами
Si-Gate-Technik
технология МОП ИС с поликремниевыми затворами
SGT
технология МОП ИС с применением метода двойной диффузии
DMOS-Technik
технология МОП ИС с применением метода двойной диффузии
DMOS-Verfahren
технология МОП ИС с применением метода двойной диффузии
D-MOS
технология
изготовления
МОП ИС с самосовмещёнными затворами и толстым оксидным слоем
SATO-Technik
технология МОП ИС с самосовмещёнными поликремниевыми затворами
Poly-Si-Gate-SAG
технология МОП ИС с толстым слоем оксидной изоляции
LOCOS-Verfahren
технология МОП ИС с толстым слоем оксидной изоляции
Local Oxydation of Silicon
технология МОП ИС с толстым слоем оксидной изоляции
LOCOS
технология МОП ИС с удвоенной плотностью упаковки
High-performance Double-density MOS
технология МОП ИС с удвоенной плотностью упаковки
HDMOS
технология МОП ИС со скрытым оксидом
BOMOS-Technik
технология МОП ИС со скрытым оксидом
BOMOS
технология МОП ИС со скрытым слоем изолирующего оксида
BOMOS-Technik
технология МОП ИС со скрытым слоем изолирующего оксида
Buried Oxide MOS
технология МОП ИС со скрытым слоем изолирующего оксида
BOMOS
технология МОП ИС, усиленных биполярными элементами
Bipolar-enhanced MOS
технология
изготовления
МОП СБИС
MOS-VLSI-Technik
технология МОП-структур с кремниевым затвором
Silicon Gate Oxide Semiconductor
технология МОП-структур с кремниевым затвором
SGOS
технология МОП-структур с самосовмещёнными затворами
SRG-Technik
технология
получения
МОП-структур с самосовмещёнными затворами
SAMOS
технология МОП-структур с самосовмещёнными затворами
Self-Aligned Gate MOS
технология МОП-структур с самосовмещёнными затворами
SAGMOS
технология МОП-схем с использованием транзисторов с индуцированным каналом в качестве активных элементов и транзисторов со встроенным каналом в качестве нагрузок
Depletion-Load-Technik
технология МОП-транзисторных ИС с металлическим затвором
Metalltortechnik
технология МОП-транзисторных ИС с металлическим затвором
Metall-Tor-Technologie
технология МОП-транзисторных ИС с плавающим затвором
Floating-Gate-Technik
технология n-МОП-транзисторных ИС с
самосовмещёнными
поликремниевыми затворами
NMOS-Siliziumgate-Technik
технология МОП-транзисторных ИС с поликремниевыми затворами
Siliziumtortechnik
технология p-МОП-транзисторных ИС с
самосовмещёнными
поликремниевыми затворами
pMOS-Siliziumgate-Technik pSGT
технология МОП-транзисторных ИС с поликремниевыми затворами
Siliziumtortechnologie
технология n-МОП-транзисторных ИС с
самосовмещёнными
поликремниевыми затворами
n-SG-MOS
технология n-МОП-транзисторных ИС с
самосовмещёнными
поликремниевыми затворами
nMOS-SGT
технология n-МОП-транзисторных ИС с
самосовмещёнными
поликремниевыми затворами
nSGT
технология n-МОП-транзисторных ИС с
самосовмещёнными
поликремниевыми затворами
nMOS-Silizumgate-Technik
технология n-МОП-транзисторных ИС с
самосовмещёнными
поликремниевыми затворами
nMOS-Siliziumgate-Technik nSGT
технология p-МОП-транзисторных ИС с
самосовмещёнными
поликремниевыми затворами
p-SG-MOS
технология p-МОП-транзисторных ИС с
самосовмещёнными
поликремниевыми затворами
pMOS-SGT
технология
изготовления
МОП-транзисторных ИС с самосовмещёнными затворами
selbstjustierendes Verfahren
технология МОП-транзисторов с
selbstjustierende Siliziumtortechnik
технология
изготовления
МОП-транзисторов с коротким каналом
Kurzkanaltechnik
технология
изготовления
МОП-транзисторов с металлическим затвором
Metall-Gate-Technik
технология
изготовления
МОП-транзисторов с металлическим затвором
MGT
технология МОП-транзисторов с плавающим затвором
Floating-Gate-Technik
технология МОП-транзисторов с поликремниевыми затворами
Siliumtortechnologie
технология МОП-транзисторов с поликремниевыми затворами
Siliziumtortechnologie
технология МОП-транзисторов с поликремниевыми затворами
Siliziumtortechnik
технология МОП-транзисторов с самосовмещёнными поликремниевыми затворами
selbstjustierende Siliziumtortechnik
технология МОП-транзисторов с самосовмещёнными поликремниевыми затворами
selbstjustierende Siliziumtor
технология
изготовления
МОП-транзисторов с укороченным каналом
Kurzkanaltechnik
технология мощных МОП ИС фирмы "Сименс"
SIPMOS
технология низковольтных МОП-транзисторов
Niedervolt-MOS-Technik
технология низковольтных р-канальных МОП-транзисторов
PMOS-Niedervolttechnik
технология получения лавинно-инжекционных МОП-структур с плавающим затвором
FAMOS-Technik
технология получения МОП-структур методом двойной диффузии
Double-Diffused MOS
технология получения МОП-структур методом двойной диффузии
Doppeldiffusions-MOS-Technologie
технология получения МОП-структур методом двойной диффузии с самосовмещением
DSA-MOS-Technik
технология получения МОП-структур методом двойной диффузии с самосовмещением
Diffusion Self-Aligned MOS
технология получения МОП-структур методом двойной диффузии с самосовмещением
Double-Diffusion Self-Aligned MOS
технология получения МОП-структур методом двойной диффузии с самосовмещением
DSA MOS
технология получения МОП-структур методом диффузии с самосовмещением
Diffusion Self-Aligned MOS
технология получения МОП-структур методом диффузии с самосовмещением
Double-Diffusion Self-Aligned MOS
технология получения МОП-структур методом диффузии с самосовмещением
DSA-MOS-Technik
технология получения МОП-структур методом диффузии с самосовмещением
DSA MOS
технология получения МОП-структур с диффундированной платиной
platindiffundierte MOS-Struktur
технология получения МОП-структур с диффундированной платиной
Platinum-Diffused MOS
технология получения МОП-структур с диффундированной платиной
PLATMOS
технология получения МОП-структур с плавающим затвором
MOS-Floating-Gate-Technik
технология получения МОП-структур с четырёхкратным самосовмещением
Quadrupled Self-Aligned MOS
технология получения МОП-структур с четырёхкратным самосовмещением
QSAMOS
технология р-канальных МОП ИС
p-MOS-Technik PMOS-Technik
технология р-канальных МОП ИС с алюминиевыми затворами
p-Kanal-Aluminium-Gate-MOS-Technologie
технология р-канальных МОП ИС с алюминиевыми затворами
p-Alg-MOS
технология р-канальных МОП-приборов
p-MOS-Technik PMOS-Technik
технология р-канальных МОП-приборов
p-Kanal-Technik
технология р-канальных МОП-приборов с металлическими затворами
p-Kanal-Metall-Gate-Technologie
технология р-канальных МОП-транзисторных ИС с
самосовмещёнными
поликремниевыми затворами
p-Kanal-Silicongate-Technologie
технология р-канальных МОП-транзисторных ИС с
самосовмещёнными
поликремниевыми затворами
p-Kanal-Si-Gate-Technik
технология р-канальных МОП-транзисторов
p-Kanal-Technik
технология р-МОП-транзисторных ИС с
самосовмещёнными
поликремниевыми затворами
pMOS-Siliziumgate-Technik
технология р-МОП-транзисторных ИС с
самосовмещёнными
поликремниевыми затворами
pSGT
технология р-МОП-транзисторных ИС с
самосовмещёнными
поликремниевыми затворами
pMOS-SGT
технология р-МОП-транзисторных ИС с
самосовмещёнными
поликремниевыми затворами
p-SG-MOS
технология усовершенствованных МОП ИС из нескольких МОП-транзисторов на одном кристалле
MOSAIC-Technik
усовершенствованная технология МОП ИС с самосовмещённым поликремниевым затвором
Advanced Polysilicon Self-Aligned
усовершенствованная технология МОП ИС с самосовмещённым поликремниевым затвором
APSA
Get short URL
