| Subject | Russian | German |
| microel. | Би-МОП-технология | BIMOS-Technik |
| microel. | Би-МОП-технология | MOSBi |
| microel. | Би-МОП-технология | BIMOS |
| microel. | двухдиффузионная самосовмещённая МОП-технология | DSA-MOS-Technik |
| microel. | двухдиффузионная самосовмещённая МОП-технология | Double-Diffusion Self-Aligned MOS |
| microel. | двухдиффузионная самосовмещённая МОП-технология | Diffusion Self-Aligned MOS |
| microel. | двухдиффузионная самосовмещённая МОП-технология | DSA MOS |
| comp. | n-канальная МОП-технология | n-Kanal-MOS-Technologie |
| comp. | n-канальная МОП-технология | nMOS-Technologie |
| comp. | n-канальная МОП-технология | n-Kanal-MOS |
| comp. | p-канальная МОП-технология | p-Kanal-Metalloxidhalbleitertechnologie |
| comp. | p-канальная МОП-технология | pMOS-Technologie |
| comp. | p-канальная МОП-технология | pMOS |
| comp. | p-канальная МОП-технология | p-Kanal-MOS |
| comp. | p-канальная МОП-технология | p-Kanal-MOS-Technologie |
| comp. | n-канальная МОП-технология | nMOS |
| comp. | n-канальная МОП-технология | n-Kanal-Metalloxidhalbleitertechnologie |
| microel. | комбинированная технология ИС на биполярных и МОП-транзисторах | Cache-Technik |
| comp. | комплементарная МОП-технология | Komplementär-MOS-Technik |
| comp. | комплементарная МОП-технология | CMOS CMOS-Technik |
| comp. | V-МОП технология | Vertikal-MOS |
| comp. | V-МОП технология | V-Graben-MOS-Technologie |
| comp. | V-МОП технология | VMOS |
| comp. | n-МОП технология | nMOS-Technologie |
| comp. | n-МОП технология | n-Kanal-MOS |
| comp. | p-МОП технология | p-Kanal-Metalloxidhalbleitertechnologie |
| comp. | p-МОП технология | p-Kanal-MOS-Technologie |
| comp. | p-МОП технология | pMOS-Technologie |
| comp. | p-МОП технология | pMOS |
| el. | МОП технология | MOS-Technik |
| comp. | p-МОП технология | p-Kanal-MOS |
| comp. | n-МОП технология | nMOS |
| comp. | n-МОП технология | n-Kanal-MOS-Technologie |
| comp. | n-МОП технология | n-Kanal-Metalloxidhalbleitertechnologie |
| IT | МОП-технология | MOS-Technologie |
| microel. | V-МОП-технология | Vertical MOS |
| microel. | V-МОП-технология | V-groove MOS |
| comp. | МОП-технология | Metalloxidhalbleitertechnologie |
| el. | МОП-технология | MOS-Technik |
| el. | V-МОП-технология | V-MOS |
| el. | V-МОП-технология | V-Graben-MOS-Technik |
| microel. | V-МОП-технология | V-Graben-MOS-Technologie |
| microel. | V-МОП-технология | VMOS-Technik |
| microel. | V-МОП-технология | VMOS-Technologie |
| microel. | n-МОП-технология | n-MOS-Technik NMOS-Technik |
| microel. | V-МОП-технология | VMOS |
| el. | n-МОП-технология | n-MOS |
| el. | p-МОП-технология | p-MOS-Technik |
| el. | p-МОП-технология | p-MOS |
| el. | p-МОП-технология | p-Kanal-MOS-Technik |
| el. | n-МОП-технология | n-MOS-Technik |
| el. | n-МОП-технология | n-Kanal-MOS-Technik |
| comp. | МОП-технология | MOS |
| microel. | МОП-технология с двойной диффузией | MOS-Technologie mit Doppeldiffusion |
| microel. | МОП-технология с двойной диффузией | D/MOS-Technologie |
| comp. | МОП-технология с изоляцией V-канавками | V-Graben-MOS-Technologie |
| comp. | МОП-технология с изоляцией V-канавками | Vertikal-MOS |
| comp. | МОП-технология с изоляцией V-канавками | VMOS |
| comp. | МОП-технология с обогащением активных элементов и обеднением нагрузок | ED-MOS-Technik (MOSÉET-Schaltungstechnik mit Anreicherungstyp-Schalttransistor und Verarmungstyp-Lasttransistor) |
| comp. | МОП-технология с обогащением активных элементов и обеднением нагрузок | ED-MOS |
| comp. | МОП-транзистор, изготовленный по планарной технологии | MOSFET mit Oberflächenstruktur |
| comp. | МОП-транзистор, изготовленный по планарной технологии | Planar-MOS-Feldeffekttransistor |
| comp. | МОП-транзистор, изготовленный по планарной технологии | Planar-MOSFET |
| microel. | р-МОП-технология | p-MOS-Technik PMOS-Technik |
| microel. | технология получения вертикальных V-МОП-структур | Vertikal-MOS |
| microel. | технология получения вертикальных V-МОП-структур | Vertikal-MOS-Technik |
| el. | технология вертикальных V-МОП-структур | Vertikal-MOS-Technik |
| el. | технология вертикальных V-МОП-структур | Vertikal-MOS |
| microel. | технология получения вертикальных V-МОП-структур | Vertikal-MOS-Technologie |
| microel. | технология изготовления вертикальных МОП-транзисторов | Vertikal-MOS-Technologie |
| microel. | технология изготовления вертикальных МОП-транзисторов | Vertikal-MOS-Technik |
| comp. | технология высоко производительных МОП-структур | HMOS-Technologie |
| microel. | технология высоковольтных МОП-транзисторов | Hochvolt-MOS-Technik |
| microel. | технология высоковольтных р-канальных МОП-транзисторов | PMOS-Hochvolttechnik |
| microel. | технология высококачественных МОП ИС | HMOS-Technik |
| microel. | технология высококачественных МОП ИС | HMOS-Technologie |
| microel. | технология высококачественных МОП ИС | Hochleistungs-MOS-Technik |
| microel. | технология высококачественных МОП ИС | Hochleistungs-MOS |
| microel., BrE | технология высококачественных МОП ИС | High-Performance MOS |
| microel. | технология высококачественных МОП ИС | HMOS |
| comp. | технология высокопроизводительных n-канальных МОП-схем | Hochleistungsn-Kanal-MOS-Technologie |
| comp. | технология высокопроизводительных n-канальных МОП-схем | Hochleistungs-MOS |
| comp. | технология высокопроизводительных n-канальных МОП-схем | HMOS |
| microel. | технология изготовления двухдиффузионных МОП-транзисторов | DMOS-Technik |
| microel. | технология изготовления двухдиффузионных МОП-транзисторов | DMOS-Verfahren |
| el. | технология двухдиффузионных МОП-транзисторов | DMOS-Technik |
| microel. | технология изготовления двухдиффузионных МОП-транзисторов | D-MOS |
| comp. | технология изготовления n-канальных МОП-схем с кремниевыми затворами | n-SG-MOS |
| comp. | технология изготовления n-канальных МОП-схем с кремниевыми затворами | n-SGT |
| comp. | технология изготовления n-канальных МОП-схем с кремниевыми затворами | n-Kanal-Siliziumgate-MOS-Technologie |
| microel., BrE | технология изготовления МОП ЗУ с плавающим затвором и тонким слоем туннельного оксида | Flotox |
| microel. | технология изготовления МОП ЗУ с плавающим затвором и тонким слоем туннельного оксида | Floating-Gate Tunnel Oxide |
| microel. | технология изготовления МОП ИС методом ионной имплантации | Ion-Implanted MOS |
| microel. | технология изготовления МОП ИС методом ионной имплантации | IIMOS |
| microel. | технология изготовления МОП ИС с применением метода двойной диффузии | Doppeldiffusions-MOS-Technologie |
| comp. | технология изготовления МОП-структур методом двойной диффузии | Doppeldiffusions-MOS-Technologie |
| comp. | технология изготовления МОП-структур методом двойной диффузии | D-MOS |
| comp. | технология изготовления МОП-схем | MOS-Technologie |
| comp. | технология изготовления МОП-схем | MOS-Technik |
| microel. | технология ИС на биполярных и МОП-транзисторах | MOSBi |
| microel. | технология изготовления ИС на биполярных и МОП-транзисторах | BIMOS-Technik |
| microel. | технология изготовления ИС на биполярных и МОП-транзисторах | BIMOS |
| microel. | комбинированная технология ИС на биполярных и МОП-транзисторах с поликремниевыми затворами | SIGBIP |
| microel. | комбинированная технология ИС на биполярных транзисторах и МОП-транзисторах с поликремниевыми затворами | Silicon Gate MOS Bipolar Technology |
| el. | технология ИС на лавинно-инжекционных МОП-транзисторах с многоуровневым затвором | SIMOS-Technik |
| microel. | технология ИС на лавинно-инжекционных МОП-транзисторах с многоуровневым затвором | SIMOS |
| microel. | технология ИС на лавинно-инжекционных МОП-транзисторах с многоуровневым затвором | Stacked-gate Injection MOS |
| microel., BrE | технология ИС на лавинно-инжекционных МОП-транзисторах с составным | Stacked-gate Injection MOS |
| microel. | технология ИС на лавинно-инжекционных МОП-транзисторах с составным затвором | SIMOS |
| microel. | технология ИС на лавинно-инжекционных МОП-транзисторах с составным затвором | Stacked-gate Injection MOS |
| microel. | технология p-канальных МОП ИС | p-MOS-Technik |
| microel. | технология p-канальных МОП ИС | PMOS-Technik |
| microel. | технология n-канальных МОП ИС | n-MOS-Technik |
| microel. | технология n-канальных МОП ИС | NMOS-Technik |
| microel. | технология p-канальных МОП ИС с алюминиевыми затворами | p-Alg-MOS |
| microel. | технология n-канальных МОП ИС с самосовмещёнными поликремниевыми затворами | n-Kanal-Silicongate-Technologie |
| microel. | технология n-канальных МОП ИС с самосовмещёнными поликремниевыми затворами | n-Kanal-Silizium-Gate-Technologie |
| microel. | технология n-канальных МОП ИС с самосовмещёнными поликремниевыми затворами | n-Kanal-Si-Gate-Technik |
| el. | технология n-канальных МОП-приборов | n-MOS |
| microel. | технология n-канальных МОП-приборов | n-Kanal-MOS-Technologie |
| microel. | технология n-канальных МОП-приборов | n-MOS-Technik NMOS-Technik |
| microel. | технология p-канальных МОП-приборов | p-Kanal-Technologie |
| el. | технология n-канальных МОП-приборов | n-MOS-Technik |
| el. | технология p-канальных МОП-приборов | p-MOS-Technik |
| el. | технология p-канальных МОП-приборов | p-MOS |
| el. | технология p-канальных МОП-приборов | p-Kanal-Technik |
| el. | технология p-канальных МОП-приборов | p-Kanal-MOS-Technik |
| microel. | технология n-канальных МОП-приборов | n-Kanal-MOS-Technik |
| microel. | технология p-канальных МОП-транзисторных ИС с самосовмещёнными поликремниевыми затворами | p-Kanal-Silicongate-Technologie |
| microel. | технология p-канальных МОП-транзисторных ИС с самосовмещёнными поликремниевыми затворами | p-Kanal-Si-Gate-Technik |
| microel. | технология n-канальных МОП-транзисторов | n-Kanal-MOS-Technologie |
| microel. | технология p-канальных МОП-транзисторов | p-Kanal-Technologie |
| el. | технология p-канальных МОП-транзисторов | p-Kanal-Technik |
| el. | технология p-канальных МОП-транзисторов | p-MOS-Technik |
| el. | технология p-канальных МОП-транзисторов | p-MOS |
| el. | технология p-канальных МОП-транзисторов | p-Kanal-MOS-Technik |
| microel. | технология n-канальных МОП-транзисторов | n-Kanal-MOS-Technik |
| IT | технология изготовления комплементарных симметричных МОП-структур | COS-MOS-Technik |
| el. | технология кремниевых МОП ИС | Silizium-MOS-Technik |
| microel. | технология кремниевых МОП-транзисторов | Silizium-MOS Technik |
| el. | технология лавинно-инжекционных МОП ИС с многоуровневыми затворами | SAMOS-Technik |
| el. | технология лавинно-инжекционных МОП ИС с многоуровневыми затворами | Stacked gate Avalanche injection MOS |
| microel. | технология лавинно-инжекционных МОП-структур с многоуровневыми затворами | Stacked-Gate Avalanche Injection MOS |
| microel. | технология получения лавинно-инжекционных МОП-структур с многоуровневыми затворами | SAMOS |
| el. | технология лавинно-инжекционных МОП-транзисторов с плавающим затвором | FAMOS-Technik |
| microel., BrE | технология масштабированных МОП ИС с самосовмещёнными затворами и каналами субмикронной длины | Small MOS |
| microel. | технология масштабированных МОП ИС с самосовмещёнными затворами и каналами субмикронной длины | Scaled-down MOS |
| microel. | технология МОП БИС с высокоомными стоками и истоками, сформированными двойной ионной имплантацией | Double-Implanted Lightly-Doped Drain/source process |
| microel. | технология МОП БИС с каналом р-типа | p-Kanal-MOS-LSI-Technik |
| microel. | технология МОП БИС с плавающим затвором и двумя инжекторами | Dual Injection Floating Gate MOS |
| microel. | технология МОП БИС с плавающим затвором и двумя инжекторами | DIFMOS |
| el. | технология МОП ЗУ с V-образными изолирующими канавками | VMOS-Technik |
| el. | технология МОП ЗУ с поликремниевыми затворами | Siliziumgatetechnik |
| el. | технология МОП ЗУ со скрытым слоем изолирующего оксида | Buried Oxide MOS. |
| el. | технология МОП ЗУ со скрытым слоем изолирующего оксида | BOMOS |
| microel., BrE | технология МОП ИС | Bipolar-enhanced MOS |
| microel. | технология МОП ИС | BeMOS |
| el. | технология МОП ИС с двухуровневыми поликремниевыми затворами | Zweiebenen-Polysiliziumtechnik |
| microel., BrE | технология МОП ИС с инжекционным плавающим затвором | GIMOS |
| microel. | технология МОП ИС с инжекционным плавающим затвором | GIMOS-Technik |
| microel. | технология МОП ИС с молибденовыми затворами | Molybdäntortechnik |
| microel. | технология МОП ИС с молибденовыми самосовмещёнными затворами | Molybdan-Gate-SAG |
| microel. | технология МОП ИС с обогащением активных транзисторов и обеднением нагрузок | ED-MOS |
| microel. | технология МОП ИС с обогащением активных транзисторов и обеднением нагрузок | ED-MOS-Technik |
| microel. | технология МОП ИС с обогащением активных транзисторов и обеднением нагрузок | Enhancement-Depletion-Technik |
| microel. | технология МОП ИС с обогащением активных транзисторов и обеднением нагрузок | ED-Technik |
| el. | технология МОП ИС с обогащением активных транзисторов и обеднением нагрузок | Enhancement-Depletion-MOS |
| microel. | технология МОП ИС с обогащением активных транзисторов и обеднением нагрузок | E/D-Technik |
| microel. | технология МОП ИС с обогащением активных транзисторов и обеднением нагрузок | Depletion-Load-Technik |
| microel. | технология МОП ИС с V-образными изолирующими канавками | V-groove MOS |
| microel. | технология МОП ИС с V-образными изолирующими канавками | Vertical MOS |
| microel. | технология МОП ИС с V-образными изолирующими канавками | VMIS-Technik |
| microel. | технология МОП ИС с V-образными изолирующими канавками | VMOS |
| microel. | технология МОП ИС с V-образными изолирующими канавками | VMOS-Technik |
| el. | технология МОП ИС с V-образными изолирующими канавками | V-Graben-MOS-Technik |
| el. | технология МОП ИС с V-образными изолирующими канавками | V-MOS |
| microel. | технология МОП ИС с V-образными изолирующими канавками | VMOS-Technologie |
| microel. | технология МОП ИС с V-образными изолирующими канавками | V-Graben-MOS-Technologie |
| microel. | технология МОП ИС с однослойным поликремниевым затвором | Single-Poly-Si-Gate-Technik |
| microel., BrE | технология МОП ИС с поликремниевыми затворами | Silicon Gate Technology |
| microel. | технология МОП ИС с поликремниевыми затворами | Siliziumgatetechnologie |
| microel. | технология МОП ИС с поликремниевыми затворами | SGT-MOS |
| microel. | технология МОП ИС с поликремниевыми затворами | Si-Gate-Technik |
| microel. | технология МОП ИС с поликремниевыми затворами | Silicon-Gate-Technik |
| microel. | технология МОП ИС с поликремниевыми затворами | SGT |
| microel. | технология МОП ИС с применением метода двойной диффузии | DMOS-Technik |
| microel. | технология МОП ИС с применением метода двойной диффузии | DMOS-Verfahren |
| microel. | технология МОП ИС с применением метода двойной диффузии | D-MOS |
| el. | технология МОП ИС с самосовмещёнными затворами | Self-Registered Gate-Technik |
| el. | технология МОП ИС с самосовмещёнными затворами | SAMOS-Technik |
| brit. | технология МОП ИС с самосовмещёнными затворами | Self-Aligned Gate MOS |
| microel. | технология изготовления МОП ИС с самосовмещёнными затворами и толстым оксидным слоем | SATO-Technik |
| microel. | технология МОП ИС с самосовмещёнными поликремниевыми затворами | Poly-Si-Gate-SAG |
| microel. | технология МОП ИС с толстым слоем оксидной изоляции | Local Oxydation of Silicon |
| microel. | технология МОП ИС с толстым слоем оксидной изоляции | LOCOS-Verfahren |
| microel. | технология МОП ИС с толстым слоем оксидной изоляции | LOCOS |
| microel. | технология МОП ИС с удвоенной плотностью упаковки | High-performance Double-density MOS |
| microel. | технология МОП ИС с удвоенной плотностью упаковки | HDMOS |
| microel. | технология МОП ИС со скрытым оксидом | BOMOS |
| microel. | технология МОП ИС со скрытым оксидом | BOMOS-Technik |
| brit. | технология МОП ИС со скрытым оксидом | Buried Oxide MOS |
| microel. | технология МОП ИС со скрытым слоем изолирующего оксида | BOMOS-Technik |
| microel. | технология МОП ИС со скрытым слоем изолирующего оксида | Buried Oxide MOS |
| microel. | технология МОП ИС со скрытым слоем изолирующего оксида | BOMOS |
| microel. | технология МОП ИС, усиленных биполярными элементами | Bipolar-enhanced MOS |
| microel. | технология изготовления МОП СБИС | MOS-VLSI-Technik |
| comp. | технология n-МОП схем с кремниевыми затворами и высокой плотностью упаковки | hochdichte n-Kanal-Siliziumgate-MOS-Technologie |
| comp. | технология n-МОП схем с кремниевыми затворами и высокой плотностью упаковки | HMOS-Technologie |
| microel. | технология МОП-структур с кремниевым затвором | Silicon Gate Oxide Semiconductor |
| microel. | технология МОП-структур с кремниевым затвором | SGOS |
| microel. | технология МОП-структур с самосовмещёнными затворами | SRG-Technik |
| microel. | технология МОП-структур с самосовмещёнными затворами | Self-Aligned Gate MOS |
| microel. | технология получения МОП-структур с самосовмещёнными затворами | SAMOS |
| microel. | технология МОП-структур с самосовмещёнными затворами | SAGMOS |
| microel. | технология МОП-схем с использованием транзисторов с индуцированным каналом в качестве активных элементов и транзисторов со встроенным каналом в качестве нагрузок | Depletion-Load-Technik |
| el. | технология МОП-транзисторных ЗУ с самосовмещёнными поликремниевыми затворами | selbstjustierende Siliziumtortechnik |
| microel. | технология МОП-транзисторных ИС с металлическим затвором | Metalltortechnik |
| microel. | технология МОП-транзисторных ИС с металлическим затвором | Metall-Tor-Technologie |
| microel. | технология МОП-транзисторных ИС с плавающим затвором | Floating-Gate-Technik |
| microel. | технология n-МОП-транзисторных ИС с самосовмещёнными поликремниевыми затворами | nSGT |
| microel. | технология n-МОП-транзисторных ИС с самосовмещёнными поликремниевыми затворами | nMOS-Siliziumgate-Technik nSGT |
| microel. | технология p-МОП-транзисторных ИС с самосовмещёнными поликремниевыми затворами | p-SG-MOS |
| microel. | технология n-МОП-транзисторных ИС с самосовмещёнными поликремниевыми затворами | nMOS-Silizumgate-Technik |
| microel. | технология p-МОП-транзисторных ИС с самосовмещёнными поликремниевыми затворами | pMOS-Siliziumgate-Technik pSGT |
| microel. | технология n-МОП-транзисторных ИС с самосовмещёнными поликремниевыми затворами | NMOS-Siliziumgate-Technik |
| microel. | технология МОП-транзисторных ИС с поликремниевыми затворами | Siliziumtortechnik |
| microel. | технология МОП-транзисторных ИС с поликремниевыми затворами | Siliziumtortechnologie |
| el. | технология n-МОП-транзисторных ИС с самосовмещёнными поликремниевыми затворами | n-MOS-Silizium-Gate-Technik |
| el. | технология p-МОП-транзисторных ИС с самосовмещёнными поликремниевыми затворами | p-MOS-SGT |
| el. | технология p-МОП-транзисторных ИС с самосовмещёнными поликремниевыми затворами | p-MOS-Siliziumgate-Technik |
| microel. | технология n-МОП-транзисторных ИС с самосовмещёнными поликремниевыми затворами | n-SG-MOS |
| microel. | технология n-МОП-транзисторных ИС с самосовмещёнными поликремниевыми затворами | nMOS-SGT |
| microel. | технология p-МОП-транзисторных ИС с самосовмещёнными поликремниевыми затворами | pMOS-SGT |
| microel. | технология изготовления МОП-транзисторных ИС с самосовмещёнными затворами | selbstjustierendes Verfahren |
| microel. | технология МОП-транзисторов с | selbstjustierende Siliziumtortechnik |
| microel. | технология изготовления МОП-транзисторов с коротким каналом | Kurzkanaltechnik |
| microel. | технология изготовления МОП-транзисторов с металлическим затвором | Metall-Gate-Technik |
| microel. | технология изготовления МОП-транзисторов с металлическим затвором | MGT |
| microel. | технология МОП-транзисторов с плавающим затвором | Floating-Gate-Technik |
| microel. | технология МОП-транзисторов с поликремниевыми затворами | Siliziumtortechnologie |
| microel. | технология МОП-транзисторов с поликремниевыми затворами | Siliumtortechnologie |
| microel. | технология МОП-транзисторов с поликремниевыми затворами | Siliziumtortechnik |
| microel. | технология МОП-транзисторов с самосовмещёнными поликремниевыми затворами | selbstjustierende Siliziumtortechnik |
| microel. | технология МОП-транзисторов с самосовмещёнными поликремниевыми затворами | selbstjustierende Siliziumtor |
| microel. | технология изготовления МОП-транзисторов с укороченным каналом | Kurzkanaltechnik |
| microel. | технология мощных МОП ИС фирмы "Сименс" | SIPMOS |
| microel. | технология низковольтных МОП-транзисторов | Niedervolt-MOS-Technik |
| microel. | технология низковольтных р-канальных МОП-транзисторов | PMOS-Niedervolttechnik |
| microel. | технология получения лавинно-инжекционных МОП-структур с плавающим затвором | FAMOS-Technik |
| microel. | технология получения МОП-структур методом двойной диффузии | Double-Diffused MOS |
| microel. | технология получения МОП-структур методом двойной диффузии | Doppeldiffusions-MOS-Technologie |
| microel. | технология получения МОП-структур методом двойной диффузии с самосовмещением | Double-Diffusion Self-Aligned MOS |
| microel. | технология получения МОП-структур методом двойной диффузии с самосовмещением | DSA-MOS-Technik |
| microel. | технология получения МОП-структур методом двойной диффузии с самосовмещением | Diffusion Self-Aligned MOS |
| microel. | технология получения МОП-структур методом двойной диффузии с самосовмещением | DSA MOS |
| microel. | технология получения МОП-структур методом диффузии с самосовмещением | Diffusion Self-Aligned MOS |
| microel. | технология получения МОП-структур методом диффузии с самосовмещением | Double-Diffusion Self-Aligned MOS |
| microel. | технология получения МОП-структур методом диффузии с самосовмещением | DSA-MOS-Technik |
| microel. | технология получения МОП-структур методом диффузии с самосовмещением | DSA MOS |
| microel. | технология получения МОП-структур с диффундированной платиной | platindiffundierte MOS-Struktur |
| microel., BrE | технология получения МОП-структур с диффундированной платиной | Platinum-Diffused MOS |
| microel. | технология получения МОП-структур с диффундированной платиной | PLATMOS |
| microel. | технология получения МОП-структур с плавающим затвором | MOS-Floating-Gate-Technik |
| microel. | технология получения МОП-структур с четырёхкратным самосовмещением | Quadrupled Self-Aligned MOS |
| microel. | технология получения МОП-структур с четырёхкратным самосовмещением | QSAMOS |
| microel. | технология р-канальных МОП ИС | p-MOS-Technik PMOS-Technik |
| microel. | технология р-канальных МОП ИС с алюминиевыми затворами | p-Kanal-Aluminium-Gate-MOS-Technologie |
| microel. | технология р-канальных МОП ИС с алюминиевыми затворами | p-Alg-MOS |
| microel. | технология р-канальных МОП-приборов | p-MOS-Technik PMOS-Technik |
| microel. | технология р-канальных МОП-приборов | p-Kanal-Technik |
| microel. | технология р-канальных МОП-приборов с металлическими затворами | p-Kanal-Metall-Gate-Technologie |
| microel. | технология р-канальных МОП-транзисторных ИС с самосовмещёнными поликремниевыми затворами | p-Kanal-Silicongate-Technologie |
| microel. | технология р-канальных МОП-транзисторных ИС с самосовмещёнными поликремниевыми затворами | p-Kanal-Si-Gate-Technik |
| microel. | технология р-канальных МОП-транзисторов | p-Kanal-Technik |
| microel. | технология р-МОП-транзисторных ИС с самосовмещёнными поликремниевыми затворами | pSGT |
| microel. | технология р-МОП-транзисторных ИС с самосовмещёнными поликремниевыми затворами | pMOS-SGT |
| microel. | технология р-МОП-транзисторных ИС с самосовмещёнными поликремниевыми затворами | pMOS-Siliziumgate-Technik |
| microel. | технология р-МОП-транзисторных ИС с самосовмещёнными поликремниевыми затворами | p-SG-MOS |
| microel. | технология усовершенствованных МОП ИС из нескольких МОП-транзисторов на одном кристалле | MOSAIC-Technik |
| microel. | усовершенствованная технология МОП ИС с самосовмещённым поликремниевым затвором | Advanced Polysilicon Self-Aligned |
| microel. | усовершенствованная технология МОП ИС с самосовмещённым поликремниевым затвором | APSA |
