DictionaryForumContacts

   Russian
Terms for subject Electronics containing с которым | all forms | in specified order only
RussianEnglish
быстродействие, которого можно добиться с использованием обычных методов проектированияperformance that can be achieved using a conventional design methodology (ssn)
в машинном проектировании ПП: метод размещения компонентов на ПП, по которому все компоненты с требуемыми соединениями высвечиваются на ЭЛТ произвольно расположенными на матрице, после чего проектировщик начинает их передвигать, стремясь оптимизировать их расположение, а линии соединений "тянутся" за компонентами, растягиваясьrat's nest
в машинном проектировании ПП: метод размещения компонентов на ПП, по которому все компоненты с требуемыми соединениями высвечиваются на ЭЛТ произвольно расположенными на матрице, после чего проектировщик начинает их передвигать, стремясь оптимизировать их расположение, а линии соединений "тянутся" за компонентами, сокращаясьrat's nest
диффузионный резистор, толщину которого уменьшают созданием в нём второй диффузионной области с противоположным типом проводимостиsqueeze resistor
метод внутрисхемной проверки, при котором с помощью контактирующего приспособления с измерительными иглами обеспечивается доступ к любой точке любого компонента на ППbed-of-nails technique
метод внутрисхемной проверки, при котором с помощью контактирующего приспособления с измерительными штифтами обеспечивается доступ к любой точке любого компонента на ППbed-of-nails technique
метод изготовления ГИС, при котором на подложку с обеих сторон наносится плёнкаback-to-back
метод изготовления МОП-структур, в котором длина канала регулируется с помощью процесса "дифференциальной диффузии" примесейdiffusion self-alignment
метод ультразвуковой пайки, при котором применяется противень, плавающий в вибрирующей ванне с припоемboat-in-solder
МОП структура, на которой регистрация и считывание информации осуществляется с помощью электронного лучаbeam addressed MOS
МОП-структура, в которой затвор располагается с обратной стороны кристаллаback-gate MOS
ограничение, которое связывает изменения входных переменных в течение перехода с некоторым интервалом времениrestriction that input changes associated with an input transition occur within a specified interval (ssn)
относящийся к электронным устройствам, которые пыле-и водонепроницаемы, выдерживают падение с определённой высоты, устойчивый к электромагнитной интерференции и соответствуют кодам IPRrugged (qwarty)
JK-триггер с асинхронными входами, которые управляются низким уровнем напряженияJ-K flip-flop with active-low asynchronous inputs (ssn)
устройство напр. магнитный диск, с которого производится копирование данныхsource
устройство напр. магнитный диск, с которого производится копирование данныхS
штыревой контакт, плотное сочленение которого с гнездовым обеспечивается за счёт особой конструкции штыряactive pin (расщеплённый штырь, штырь С-образного сечения)
эти колебания фундаментально ограничивают быстродействие, которого можно добиться с использованием обычных методов проектированияthese variations fundamentally limit the performance that can be achieved using a conventional design methodology (см. Digital Integrated Circuits – A Design Perspective 2/e by Jan M. Rabaey, Anantha Chandrakasan, Borivoje Nikolić 2003)