| Subject | Russian | English |
| nano | архитектура типа КМОП-структуры на основе УНТ | CNT-based CMOS-like architecture |
| nano | архитектура типа комплементарной МОП-структуры на основе УНТ | CNT-based CMOS-like architecture |
| nano | архитектура типа комплементарной структуры металл-оксид-полупроводник на основе УНТ | CNT-based CMOS-like architecture |
| progr. | Горизонтальные структуры пакетов типа изображённых на рис. 9.3 называются сегментами. Когда циклические зависимости между пакетами сегмента устраняются путём добавления новых пакетов, как объяснено в разделе 9.1.2, структура зависимостей сегмента становится иерархической | the horizontal structures of packages as in Figure 9-3 are called partitions. When circular dependencies between partition packages are broken, by adding new packages as explained in Section 9.1.2, the dependency structure within a partition becomes a hierarchy (а не линейной горизонтальной структурой; rather than a linear horizontal structure; см. Maciaszek L.A. and Liong B.L. (2005): Practical Software Engineering) |
| media. | дефект типа «постоянно включённый затвор» на входе МОП-структуры | stuck-on fault (не сводящийся к константной неисправности) |
| media. | дефект типа «постоянно отключённый затвор» на входе МОП-структуры | stuck-open fault (сводящийся к константной неисправности на соответствующем входе) |
| el. | дисплей на структуре типа "жидкий кристалл на кремнии" | liquid-crystal-on-silicon display |
| el. | дисплей на структуре типа "жидкий кристалл на кремнии" | LCoS display |
| el. | ИС на структурах типа кремний на диэлектрике | silicon-on-insulating substrate device |
| progr. | как и всё производство ПО, структурное проектирование – непрерывная, итерационная и пошаговая работа. Первоначально структурные решения принимаются на основе широкого взгляда на структуру ПО. Одно из первых принятых решений касается структурирования системы на уровни модулей и установления принципов связи между модулями. это тема данной главы. Более детальные структурные решения, типа связи внутри модуля, рассматриваются позже в соответствующих местах книги | Like all software production, architectural design is a continuing, iterative and incremental, effort. Early architectural decisions take a broad view on the software architecture. One of the first decisions to be taken relates to structuring the system into layers of modules and establishing principles of inter-module communication. This is the concern of this chapter. More detailed architectural solutions, such as intra-module communication, are discussed in relevant places later in the book (см. Maciaszek L.A. and Liong B.L. 2005: Practical Software Engineering) |
| el. | КМОП-структура типа "кремний на сапфире" | CMOS-on-sapphire |
| tech. | КМОП-структура типа кремний на сапфире | silicon-on-sapphire CMOS |
| tech. | КМОП-структура типа "кремний на сапфире" | complementary metal-oxide-semiconductor/silicon-on-sapphire |
| tech. | КМОП-структура типа "кремний на сапфире" | silicon-on-sapphire complementary MOS |
| tech. | МОП-структура типа "кремний на сапфире" | metal-oxide-semiconductor/silicon-on-sapphire |
| tech. | МОП-структура типа "кремний на сапфире" | MOS silicon-on-sapphire |
| house. | основанный на комбинации структур типа p-i-n и Шотки | merged p-i-n/schottky |
| el. | ПЗС типа пожарная цепочка на мдп-структурах | metal-oxide-semiconductor bucket brigade |
| Makarov. | ПЗС типа "пожарная цепочка" на МОП-структурах | MOS bucket brigade |
| microel. | подложка со структурой типа кремний на диэлектрике | soi substrate |
| microel. | подложка со структурой типа кремний на сапфире | sos substrate |
| Makarov. | прибор на структуре типа "кремний на диэлектрике" | silicon-on-insulating substrate device |
| el. | прибор на структуре типа "кремний на сапфире" | SOS device |
| Makarov. | прибор на структуре типа "кремний на сапфире" | SOS device (прибор на КНС структуре) |
| el. | структура типа "жидкий кристалл на кремнии" | LCoS |
| el. | структура типа "кремний на диэлектрике" | silicon-on-insulated substrate structure |
| el. | структура типа "кремний на диэлектрике" | silicon-on-insulator |
| semicond. | структура типа "кремний на диэлектрике" | silicon-on-insulator (кремниевая интегральная схема на диэлектрической подложке) |
| Gruzovik, scient. | структура типа "кремний на диэлектрике" | SII (silicon insulator) |
| Gruzovik, scient. | структура типа "кремний на диэлектрике" | SOI (silicon on insulator) |
| el. | структура типа "кремний на диэлектрике" | silicon-on-insulator structure |
| el. | структура типа кремний на диэлектрике | silicon-on-insulated substrate structure |
| microel. | структура типа кремний на диэлектрике | silicon-on-insulator structure |
| microel. | структура типа кремний на диэлектрике | silicon-insulator structure |
| microel. | структура типа кремний на диэлектрике | insulated substrate structure |
| nano | структура типа "кремний на изоляторе" | silicon-on-insulator structure |
| microel. | структура типа кремний на оксиде | silicon-over oxide-semiconductor structure |
| microel. | структура типа кремний на оксидном диэлектрике | silicon-over oxide-semiconductor structure |
| microel. | структура типа кремний на сапфире | silicon-on-sapphire |
| microel. | структура типа кремний на сапфире | silicon-on-sapphire structure |
| tech. | структура типа "кремний на сапфире" | silicon on sapphire |
| el. | структура типа "кремний на шпинели" | silicon-on-spinel structure |
| microel. | структура типа кремний на шпинели | silicon-on-spinel structure |
| el. | структура типа "n на p" | n on p substrate structure (слой n-типа на подложке p-типа) |
| el. | структура типа "p на n" | p on n substrate structure (слой p-типа на подложке n-типа) |
| el. | структура типа "n на p" | n on p structure (слой n-типа на подложке p-типа ssn) |
| progr. | структура типа "p на n" | p on n substrate structure (см. p on n structure ssn) |
| progr. | структура типа "p на n" | p on n structure (слой p-типа на подложке n-типа ssn) |
| microel. | структура типа n на р | n on p substrate structure |
| nano | структура типа "полупроводник на диэлектрике" | semiconductor-on-insulator structure |
| Gruzovik, scient. | структура типа "силикон на сапфире" | SOS (silicon on sapphire) |
| Gruzovik, scient. | структура типа "силикон на шпинеле" | SOSL (silicon on spinel) |
| microel. | структура типа силицид на поликремнии | silicide-on-polysilicon structure |
| el. | технология изготовления дисплеев на структурах типа "жидкий кристалл на кремнии" | LCoS |
| el. | технология изготовления микродисплеев на структурах типа "жидкий кристалл на кремнии" | LCoS |
| microel. | технология ИС со структурой типа кремний на диэлектрике | silicon-on-insulator technology |
| microel. | технология ИС со структурой типа кремний на сапфире | silicon-on-sapphire technology |
| media. | тип пятна на изображении, формируемом с помощью ортикона или видикона с электродом в виде сетки мишени, в определённых условиях воспроизводится видимая структура сетки | mesh effect |
| microel. | транзистор со структурой типа кремний на сапфире | silicon-on-sapphire transistor |
