Контекст:
TiAlN films were deposited on SKH51 HSS substrates through a four-target closed-field unbalanced-magnetron sputtering technique.

Мой перевод:
Покрытие TiAlN наносится на подложку из быстрорежущей стали SKH51 с использованием методики напыления в замкнутом поле четырех-мишенного дисбалансного магнетрона.