|
link 20.09.2007 19:42 |
Subject: bond breakage Подскажите пожалуста, что такое bond breakageЕсть три предложения: In the E-Model, the cause of low-field (< 10 MV/cm) TDDB is due to field-enhanced thermal bondbreakage at the silicon-silica interface. TDDB - это времязависимый пробой диэлектрика. Спасибо |
Это разрыв валентных связей между атомами на границе кремнии и окиси кремния |
|
link 21.09.2007 3:07 |
Спасибо! |
You need to be logged in to post in the forum |