| progr. |
ESD protection device (электронные схемы и системы требуют осторожного обращения, в частности, для них опасны электростатические разряды (ЭСР), скачки электрического тока и/или напряжения (EFT), наведённые электромагнитные помехи (EMI) и т.п. Каждый из этих факторов риска требует разных средств защиты. Многие ИС содержат ограниченные встроенные схемы защиты от ЭСР, позволяющие выдерживать импульсы напряжения с амплитудами от 1 до 2 кВ, а некоторые ИС могут сгореть при воздействии всего 100 B. Встроенные схемы защиты должны, в частности, обеспечивать фиксацию уровня напряжения (напряжение отсечки) – и при этом сохранять работоспособность на весь расчётный срок службы ИС или системы. Тестирование ИС на устойчивость к ЭСР производится по двум стандартам – HBM (создан на основе U.S. MIL-STD-883) и более строгому IEC 61000-4-2 (созданному в Европе, но применяемому сейчас во всём мире ssn); ESD device (электронные схемы и системы требуют осторожного обращения, в частности, для них опасны электростатические разряды (ЭСР), скачки электрического тока и/или напряжения (EFT), наведённые электромагнитные помехи (EMI) и т.п. Каждый из этих факторов риска требует разных средств защиты. Многие ИС содержат ограниченные встроенные схемы защиты от ЭСР, позволяющие выдерживать импульсы напряжения с амплитудами от 1 до 2 кВ, а некоторые ИС могут сгореть при воздействии всего 100 B. Встроенные схемы защиты должны, в частности, обеспечивать фиксацию уровня напряжения (напряжение отсечки) – и при этом сохранять работоспособность на весь расчётный срок службы ИС или системы. Тестирование ИС на устойчивость к ЭСР производится по двум стандартам – HBM (создан на основе U.S. MIL-STD-883) и более строгому IEC 61000-4-2 (созданному в Европе, но применяемому сейчас во всём мире) ssn); electrostatic discharge protection device (электронные схемы и системы требуют осторожного обращения, в частности, для них опасны электростатические разряды (ЭСР), скачки электрического тока и/или напряжения (EFT), наведённые электромагнитные помехи (EMI) и т.п. Каждый из этих факторов риска требует разных средств защиты. Многие ИС содержат ограниченные встроенные схемы защиты от ЭСР, позволяющие выдерживать импульсы напряжения с амплитудами от 1 до 2 кВ, а некоторые ИС могут сгореть при воздействии всего 100 B. Встроенные схемы защиты должны, в частности, обеспечивать фиксацию уровня напряжения (напряжение отсечки) – и при этом сохранять работоспособность на весь расчётный срок службы ИС или системы. Тестирование ИС на устойчивость к ЭСР производится по двум стандартам – HBM (создан на основе U.S. MIL-STD-883) и более строгому IEC 61000-4-2 (созданному в Европе, но применяемому сейчас во всём мире) ssn); electrostatic discharge device (электронные схемы и системы требуют осторожного обращения, в частности, для них опасны электростатические разряды (ЭСР), скачки электрического тока и/или напряжения (EFT), наведённые электромагнитные помехи (EMI) и т.п. Каждый из этих факторов риска требует разных средств защиты. Многие ИС содержат ограниченные встроенные схемы защиты от ЭСР, позволяющие выдерживать импульсы напряжения с амплитудами от 1 до 2 кВ, а некоторые ИС могут сгореть при воздействии всего 100 B. Встроенные схемы защиты должны, в частности, обеспечивать фиксацию уровня напряжения (напряжение отсечки) – и при этом сохранять работоспособность на весь расчётный срок службы ИС или системы. Тестирование ИС на устойчивость к ЭСР производится по двум стандартам – HBM (создан на основе U.S. MIL-STD-883) и более строгому IEC 61000-4-2 (созданному в Европе, но применяемому сейчас во всём мире ssn) |
