DictionaryForumContacts

   Russian
Terms for subject Programming containing разряд | all forms | exact matches only
RussianEnglish
адресация с инвертированием разрядов адресаbitreversed addressing (ssn)
адресация с инвертированием разрядов адресаbit reversed addressing (ssn)
адресация с обратным порядком следования разрядов адресаbit-reversed addressing (применяется для ускорения работы некоторых алгоритмов, напр., преобразования Фурье (Fourier transform) ssn)
адресация с обращением разрядов адресаbit-reversed addressing (т.ж. адресация с инвертированием разрядов адреса ssn)
бит старшего разрядаmost significant byte (Alex_Odeychuk)
биты 4-7 содержат десятичный знак разряда десятковthe ten decimal place is stored in the bits 4-7 (число десятков – первая цифра байта, представленного в формате BCD ssn)
ввод одного разрядаsingle bit input (из порта ввода ssn)
вероятность ошибки в двоичном разрядеbiterror probability (ssn)
двоичный разряд достоверностиvalid bit (ssn)
десятичный знак разряда десятковten decimal place (ssn)
если команды условной пересылки нет, то понадобится выполнить десять команд с использованием знакомой конструкции создания маски с помощью знакового сдвига вправо на 31 разряд для устранения нежелательного распространения знака в одном из членовif the conditional move instructions are not available, the operation can be done in ten instructions by using the familiar device of constructing a mask with the shift right signed 31 instruction to mask the unwanted sign propagating term (см. Hacker's delight / Henry S. Warren, Jr. – 2nd ed. 2013 ssn)
зарезервированный разрядpreserved bit (ssn)
защита от электростатических разрядовelectrostatic discharge protection (в современных компьютерах и другом электронном оборудовании обычно принимаются меры для поглощения энергии удара, связанного с электростатическим разрядом ssn)
защита от электростатических разрядовESD protection (в современных компьютерах и другом электронном оборудовании обычно принимаются меры для поглощения энергии удара, связанного с электростатическим разрядом ssn)
знаковый разрядsign (ssn)
знаковый сдвиг вправо на 31 разрядshift right signed 31 instruction (ssn)
знаковый сдвиг вправо на 31 разрядshift right signed 31 (ssn)
знаковый сдвиг двойного слова вправо реализовать сложнее из-за нежелательного распространения знакового разряда в одном из членовshift right double signed is more difficult, because of an unwanted sign propagation in one of the terms (ssn)
знакомая конструкция создания маски с помощью знакового сдвига вправо на 31 разряд для устранения нежелательного распространения знака в одном из членовfamiliar device of constructing a mask with the shift right signed 31 instruction to mask the unwanted sign propagating term (ssn)
интервал двоичного разрядаbit interval (передачи или обработки ssn)
команда знакового сдвига вправо на 31 разрядshift right signed 31 instruction (ssn)
младший значащий разрядleast significant position (ssn)
младший разрядjunior bit (ssn)
назначение разрядовbit assignments (ssn)
нежелательное распространение знакового разрядаunwanted sign propagation (ssn)
нежелательное распространение знакового разряда в одном из членовunwanted sign propagation in one of the terms (ssn)
нулевой разрядoffbit (ssn)
одиночный разрядsingle bit (ssn)
ошибка в двоичном разрядеbit error (такие ошибки делятся на одиночные, двойные и многократные ssn)
перекодировка пар разрядовbit-pair recoding (множителя ssn)
перекодировка пар разрядов множителяbit-pair recoding of multiplier (ssn)
перенос из знакового разрядаcarry out of the sign position (ssn)
перенос из старшего двоичного разрядаcarry beyond the most significant bit (ssn)
перенос из старшего двоичного разрядаcarry beyond the MSB (ssn)
перенос из старшего разрядаcarry beyond the most significant bit (ssn)
перенос из старшего разрядаcarry beyond the MSB (ssn)
перенос, получающийся в результате сложения в младшем разрядеcarry that results from the addition to the sum in the low-order position (ssn)
поиск с параллельным просмотром разрядовbitparallel search (ssn)
поиск с последовательным просмотром разрядовbitsequential search (ssn)
появление вклинивающихся ложных разрядовbit drop-in (ssn)
появление ложных разрядовbit drop-in (ssn)
прибавление переноса, получающегося в результате сложения в младшем разрядеadding the carry that results from the addition to the sum in the low-order position (ssn)
пустой разрядblank display (индикатора ssn)
разряд вспомогательного переносаhalf-carry bit (ssn)
разряд десятичной коррекцииdecimal adjusting bit (ssn)
разряд десятковten (ssn)
разряд дополнительного переносаhalf-carry bit (ssn)
разряд задания направления передачи данныхdata-direction bit (ssn)
разряд защитыguard bit (ssn)
разряд маскиmask bit (напр., для ввода RST 7.5 микропроцессора 8085 ssn)
разряд направления передачи данныхdata direction bit (ssn)
разряд самоконтроляself-checking digit (ssn)
разряд синхронизацииbit clocking (напр., в интерфейсах EIA-232C и D – поле, определяющее, какой аппаратный компонент – модем (DCE) или компьютер (DTE) – отправляет сигнал для синхронизации операций с данными ssn)
разряды защитыguard bits (ssn)
разряды защиты и усечениеguard bits and truncation (ssn)
разряды справа от двоичной точкиdigits to the right of the binary point (ssn)
двоичные разряды управления доступомaccess control bits (ssn)
распространение знакового разрядаsign propagation (ssn)
расширение знакового разрядаsign propagation (ssn)
расширение знакового разрядаsign extension (операция заполнения знаком операнда следующих за ним и не занятых этим операндом разрядов регистра. Является подготовительной перед выполнением процессором арифметической команды ssn)
сдвиг влево на два разрядаleft-shifting by 2 (ssn)
сдвиг вправо на один разрядright-shifting by 1 (ssn)
сдвиг разрядаbitshift (ssn)
символ разделения разрядов числаdigit grouping symbol (harser)
символы разделения разрядов между цифрамиa comma between the digits (ssn)
скорость передачи разрядовbitrate (ssn)
создание маски с помощью знакового сдвига вправо на 31 разрядconstructing a mask with the shift right signed 31 instruction (ssn)
создание маски с помощью знакового сдвига вправо на 31 разряд для устранения нежелательного распространения знака в одном из членовconstructing a mask with the shift right signed 31 instruction to mask the unwanted sign propagating term (ssn)
старший разрядsenior bit (ssn)
старший разрядmeta bit (ssn)
"сторожевой " разрядguardbit (ssn)
схема защиты от электростатических разрядовESD device (ssn)
схема защиты от электростатических разрядовESD protection device (ssn)
схема защиты от электростатических разрядовelectrostatic discharge device (ssn)
схема защиты от электростатических разрядовelectrostatic discharge protection device (ssn)
считывание одиночного разрядаsingle bit input (из порта ввода ssn)
устройство защиты от электростатических разрядовelectrostatic discharge protection device (электронные схемы и системы требуют осторожного обращения, в частности, для них опасны электростатические разряды (ЭСР), скачки электрического тока и/или напряжения (EFT), наведённые электромагнитные помехи (EMI) и т.п. Каждый из этих факторов риска требует разных средств защиты. Многие ИС содержат ограниченные встроенные схемы защиты от ЭСР, позволяющие выдерживать импульсы напряжения с амплитудами от 1 до 2 кВ, а некоторые ИС могут сгореть при воздействии всего 100 B. Встроенные схемы защиты должны, в частности, обеспечивать фиксацию уровня напряжения (напряжение отсечки) – и при этом сохранять работоспособность на весь расчётный срок службы ИС или системы. Тестирование ИС на устойчивость к ЭСР производится по двум стандартам – HBM (создан на основе U.S. MIL-STD-883) и более строгому IEC 61000-4-2 (созданному в Европе, но применяемому сейчас во всём мире) ssn)
устройство защиты от электростатических разрядовelectrostatic discharge device (электронные схемы и системы требуют осторожного обращения, в частности, для них опасны электростатические разряды (ЭСР), скачки электрического тока и/или напряжения (EFT), наведённые электромагнитные помехи (EMI) и т.п. Каждый из этих факторов риска требует разных средств защиты. Многие ИС содержат ограниченные встроенные схемы защиты от ЭСР, позволяющие выдерживать импульсы напряжения с амплитудами от 1 до 2 кВ, а некоторые ИС могут сгореть при воздействии всего 100 B. Встроенные схемы защиты должны, в частности, обеспечивать фиксацию уровня напряжения (напряжение отсечки) – и при этом сохранять работоспособность на весь расчётный срок службы ИС или системы. Тестирование ИС на устойчивость к ЭСР производится по двум стандартам – HBM (создан на основе U.S. MIL-STD-883) и более строгому IEC 61000-4-2 (созданному в Европе, но применяемому сейчас во всём мире ssn)
устройство защиты от электростатических разрядовESD device (электронные схемы и системы требуют осторожного обращения, в частности, для них опасны электростатические разряды (ЭСР), скачки электрического тока и/или напряжения (EFT), наведённые электромагнитные помехи (EMI) и т.п. Каждый из этих факторов риска требует разных средств защиты. Многие ИС содержат ограниченные встроенные схемы защиты от ЭСР, позволяющие выдерживать импульсы напряжения с амплитудами от 1 до 2 кВ, а некоторые ИС могут сгореть при воздействии всего 100 B. Встроенные схемы защиты должны, в частности, обеспечивать фиксацию уровня напряжения (напряжение отсечки) – и при этом сохранять работоспособность на весь расчётный срок службы ИС или системы. Тестирование ИС на устойчивость к ЭСР производится по двум стандартам – HBM (создан на основе U.S. MIL-STD-883) и более строгому IEC 61000-4-2 (созданному в Европе, но применяемому сейчас во всём мире) ssn)
устройство защиты от электростатических разрядовESD protection device (электронные схемы и системы требуют осторожного обращения, в частности, для них опасны электростатические разряды (ЭСР), скачки электрического тока и/или напряжения (EFT), наведённые электромагнитные помехи (EMI) и т.п. Каждый из этих факторов риска требует разных средств защиты. Многие ИС содержат ограниченные встроенные схемы защиты от ЭСР, позволяющие выдерживать импульсы напряжения с амплитудами от 1 до 2 кВ, а некоторые ИС могут сгореть при воздействии всего 100 B. Встроенные схемы защиты должны, в частности, обеспечивать фиксацию уровня напряжения (напряжение отсечки) – и при этом сохранять работоспособность на весь расчётный срок службы ИС или системы. Тестирование ИС на устойчивость к ЭСР производится по двум стандартам – HBM (создан на основе U.S. MIL-STD-883) и более строгому IEC 61000-4-2 (созданному в Европе, но применяемому сейчас во всём мире ssn)
число разрядовnumber of bits (ssn)