| Russian | German |
| автоэпитаксиальный слой | autoepitaxiale Schicht |
| активный слой | aktive Schicht |
| аморфный слой | amorphe Schicht |
| антизапирающий слой | nichtsperrende Schicht |
| антизапирающий слой | Durchlassschicht |
| антизапорный слой | nichtsperrende Schicht |
| антизапорный слой | Durchlassschicht |
| атомарный слой | atomare Schicht |
| атомный слой | Atomlage |
| базовая технология ИС на биполярных транзисторах со скрытым коллекторным слоем | SBC-Technologie |
| базовая технология ИС на биполярных транзисторах со скрытым коллекторным слоем | SBC-Verfahren |
| базовая технология ИС на биполярных транзисторах со скрытым коллекторным слоем | Standard Buried Collector |
| базовая технология ИС на биполярных транзисторах со скрытым коллекторным слоем | SBC-Technik |
| базовый слой | Basiszone |
| базовый слой | Basis |
| биполярная ИС со скрытым коллекторным слоем, изготовленная по базовой технологии | SBC-Schaltkreis |
| биполярный транзистор со скрытым коллекторным слоем, изготовленный по базовой технологии | SBC-Transistor |
| буферный слой | Pufferschicht |
| вторичный пассивирующий слой | Sekundärpassivierungsschicht |
| выпрямление на запирающем слое | Gleichrichtung an der Sperrschicht |
| выращенный слой | aufgewachsene Schicht |
| выращивание эпитаксиального слоя | Züchtung einer Epitaxieschicht |
| выращивание эпитаксиального слоя | Epitaxialwachstum |
| высокоомный слой | hochohmige Schicht |
| высокоомный слой | Hochohmschicht |
| гадолиниево-кобальтовый слой | GdCo-Schicht |
| гельмгольцевский слой | Helmholtz-Schicht |
| герметизация в псевдоожиженном слое | Fließbettverkappung |
| герметизирующий слой | Verkappungsschicht |
| граница запирающего слоя | Sperrschichtgrenze |
| граница запорного слоя | Sperrschichtgrenze |
| граничный междуфазовой слой | Zwischenphasenschicht |
| граничный междуфазовой слой | Zwischenphasengrenzschicht |
| граничный слой | Randzone |
| граничный слой | Kontaktschicht |
| граничный слой коллекторной области | Kollektorrandschicht |
| граничный слой коллекторной области | Kollektorgrenzschicht |
| граничный слой обеднения | Verarmungsrandschicht |
| двойной граничный слой | Doppelrandschicht |
| двойной диффузионный слой | doppeltdiffundierte Schicht |
| двойной диффузионный слой | doppeldiffundierte Schicht |
| двойной диффузионный слой | diffuse Doppelschicht |
| двойной запирающий слой | Doppelschicht |
| двойной запирающий слой | Doppelsperrschicht |
| дефекты оксидного слоя | Oxiddefekte |
| дефекты SiO2-слоя | Oxiddefekte |
| диффузионная слой | Diffusionsschicht |
| диффузионный обеднённый слой | Diffusionssperrschicht |
| диффузионный слой | eindiffundierte Schicht |
| диффузионный слой | diffundierte Schicht |
| диффузия из поверхностного слоя | Diffusion aus einer Oberflächenschicht |
| диффузия из поверхностного слоя | Deckschichtdiffusion |
| диффузия из рекристаллизованного слоя | Diffusion aus der Rekristallisationsschicht |
| диффузия скрытого слоя | Diffusion der vergrabenen Schicht |
| диэлектрическая подложка со слоем кремния | SOI-Substrat |
| диэлектрический слой | Isolationsschicht in 1С |
| жидкокристаллический слой | Flüssigkristallschicht |
| запирающий слой эмиттера | Emittersperrschicht |
| запорный слой | Sperrschicht |
| запорный слой | Randzone |
| запорный слой | Randschicht |
| запорный слой Шоттки | Schottkysche Randschicht |
| заряд обеднённого слоя | Sperrschichtladung |
| заряженный слой | elektrisch geladene Schicht |
| заряженный слой | Ladungsschicht |
| захоронённый слой | vergrabene Schicht |
| защита оксидным слоем | Oxidmaskierung |
| защитный оксидный слой | Feldoxid (для обеспечения стабильных свойств кристалла при воздействии электрического поля) |
| защитный слой SiO2 | Felddioxid |
| защитный слой SiO2 | Feldoxid |
| защитный слой | Deckschicht |
| измерение толщины слоя или плёнки | Schichtdickenmessung |
| изображение в слое фоторезиста | Resistbild |
| изображение в слое фоторезиста | Fotoresistbild |
| изображение, получаемое в слое негативного фоторезиста | Negativresistbild |
| изображение, получаемое в слое позитивного фоторезиста | Positivresistbild |
| изолирующий диффузионный слой | Trenndiffusionsschicht |
| изолирующий диффузионный слой | Isolationsdiffusionsschicht |
| изолирующий оксидный слой | Oxidisolationsschicht |
| изолирующий промежуточный слой | Sperrschicht |
| изолирующий промежуточный слой | Isolationszwischenschicht |
| изолирующий р-слой | p-Isolationsschicht |
| изолирующий слой | Oxidisolationsschicht |
| изолирующий слой SiO2 | SiO2-Isolatorschicht |
| изолирующий слой SiO2 | SiO2-Isolation |
| изолирующий слой | Isolatorschicht |
| изолирующий слой диоксида кремния | SiO2-Isolatorschicht |
| изолирующий слой диоксида кремния | SiO2-Isolation |
| изолирующий слой затвора | Gateisolator |
| изолирующий слой затвора | Tordielektrikum |
| изолирующий слой затвора | Torisolator |
| изолирующий слой затвора | Gate-Isolierschicht |
| изоляция слоем SiO3 | SiO2-Isolation |
| изоляция слоем SiO2 | dielektrische Isolation mit SiO2-Schicht |
| изоляция слоем диоксида кремния | SiO2-Isolation |
| имплантированный слой | implantierte Schicht |
| p-инверсионный слой | p-Inversionsschicht |
| инверсионный слой бокового канала | Seitenkanalinversionsschicht |
| ионновнедрённый слой | ionenimplantierte Schicht |
| ионно-имплантированный слой | Ionenimplantationsschicht |
| ИС на сверхрешётке с напряжёнными слоями | SLS-Chip |
| n-канальный МОП-транзистор с глубокообеднённым слоем, работающий в режиме обеднения | n-Deep-Depletion-Verarmungs-MOS-Transistor |
| КМОП-инвертор с МОП-транзистором с индуцированным каналом p-типа в качестве активного элемента и с работающим в режиме обеднения n-канальным транзистором с глубокообеднённым слоем в качестве нагрузки | komplementärer Depletion-Load-Inverter |
| КМОП-инвертор с МОП-транзистором с каналом p-типа в качестве активного элемента и с n-канальным транзистором с глубокообеднённым слоем в качестве нагрузки | komplementärer Depletion-Load-Inverter |
| коллекторный эпитаксиальный n-слой | n-Kollektorepitaxieschicht |
| коммутационный слой | Zwischenverbindungsschicht |
| коммутационный слой | Verbindungsschicht |
| контакт без запорного слоя | sperrschichtfreier Kontakt |
| конфигурация скрытого слоя коллектора | Subkollektorumgrenzung |
| концентрация неосновных носителей в приграничном слое | Minoritätsträgerrandkonzentration (обедненной области) |
| концентрация носителей в приграничном слое | Randkonzentration (p-n-перехода) |
| концентрация носителей в приграничном слое | Bandkonzentration (р-n-перехода) |
| концентрация носителей заряда в приграничном слое коллекторного перехода | Kollektorrandkonzentration |
| коэффициент преломления слоя или плёнки | Schichtbrechzahl |
| край изолирующего оксидного слоя | Oxidisolationskante |
| край обеднённого слоя | Sperrschichtrand |
| край слоя фоторезиста | Strukturkante |
| легированный слой | legierte Schicht |
| легированный слой | Legierungsschicht |
| ленгмюровский слой | Langmuir-Schicht |
| литографический слой | lithografische Ebene |
| люминофорный слой | Leuchtbelag |
| маскирование слоем диоксида кремния | Siliziumdioxidmaskierung |
| маскирующий слой | Maskenschicht |
| маскирующий слой | Abdeckschicht (напр., фоторезиста) |
| маскирующий оксидный слой при проведении диффузии | Diffusionsmaske |
| материал вышележащего слоя | Überdeckungsmaterial |
| МДП-транзистор с изолирующим подзатворным слоем А12О3 | Metal Alumina Silicon FET |
| МДП-транзистор с изолирующим подзатворным слоем Al2О3 | MASFET |
| металлический слой | Metallschicht |
| метод защиты подложки оксидным слоем | Oxidmaskenmethode |
| метод снятия слоя | Schichtabtragungsverfahren |
| метод формирования диэлектрического слоя SiO2 или | Separation by Implanted Oxygen |
| метод формирования диэлектрического слоя SiO2 или Si3N4 в монокристалле кремния имплантацией ионов кислорода или азота с последующим термическим отжигом | Separation by Implanted Oxygen |
| МНОП-структура с толстым слоем нитрида кремния | Metal-Thick Nitride Semiconductor |
| МНОП-структура с толстым слоем нитрида кремния | MTNS-Struktur |
| монокристаллический слой | einkristalline Schicht |
| МОП-транзистор в режиме обеднения с глубокообеднённым слоем в качестве нагрузки | Verarmungslast-MOSFET |
| МОП-транзистор с анодно-оксидированным изолирующим слоем | Anodized Metal-Oxide-Semiconductor FET |
| МОП-транзистор с анодно-оксидированным изолирующим слоем | AMOSFET |
| МОП-транзистор с анодно-оксидированным изолирующим слоем | AMOS-Feldeffekttransistor |
| МОП-транзистор с глубокообеднённым слоем | Deep-Depletion-MOS-Transistor |
| МОП-транзистор с глубокообеднённым слоем в качестве нагрузки, работающий в режиме обеднения | Depletion Load Transistor |
| МОП-транзистор с изолирующим оксидом, стабилизированным слоем фосфоросиликатного стекла | MPOS |
| МОП-транзистор с изолирующим оксидом, стабилизированным слоем фосфоросиликатного стекла | Metal Phosphorsilicate Glass Oxide Semiconductor |
| МОП-транзистор с плавающим затвором и тонким слоем туннельного оксида | FLOTOX-Transistor |
| наведение заряда в приповерхностном слое полупроводника | Ladungstragerinfluenz (под действием электрического поля или поверхностных состояний) |
| наведение заряда в приповерхностном слое полупроводника | Ladungsinfluenz (под действием электрического поля или поверхностных состояний) |
| нависающий край оксидного слоя | Oxidüberhang |
| накопительный слой | Speicherschicht |
| нанесение маскирующего слоя | Aufbringen der Maske |
| нанесение маскирующего слоя | Auftragen der Maske |
| нанесение слоя диоксида кремния | Siliziumdioxidbeschichtung |
| нанесённый слой | aufgetragene Schicht |
| нанесённый слой | Beschichtung |
| нанесённый слой | Belag |
| напряжённость электрического поля в приграничном слое | Randfeldstärke |
| наращивание оксидного слоя | Oxidwachstum |
| наращивание слоя SiO2 | Aufwachsen einer SiO2-Schicht |
| наращивание слоя SiO2 | Aufwachsen einer Planarschicht |
| наращённый слой | aufgewachsene Schicht |
| нарушенный слой | gestörte Schicht |
| низкоомный контактный слой | niederohmige Kontaktschicht |
| низкоомный скрытый слой | niederohmiges begrabenes Gebiet |
| низкоомный слой | niederohmige Schicht |
| низкоомный слой | Niederohmschicht |
| нитридный слой затвора | Gatenitrid |
| обедненный слой | ladungsträgerverarmte Schicht |
| обедненный слой | Verarmungsrandschicht |
| обеднённый граничный слой | Verarmungsrandschicht |
| обеднённый приграничный слой | Verarmungsrandschicht |
| обеднённый приконтактный слой барьера Шоттки | Schottky-Sperrschichtzone |
| обеднённый приповерхностный слой | Verarmungsrandschicht |
| обеднённый слой | Verarmungsbereich |
| обеднённый слой | Sperrschichtbereich |
| обеднённый слой | Sperrschichtzone |
| обеднённый слой | Verarmungsgebiet |
| обеднённый слой | Verarmungszone |
| обеднённый слой | verarmte Sperrschicht |
| обеднённый слой | Verarmungsschicht |
| обеднённый слой | Entblößungsschicht |
| обеднённый слой коллекторного перехода | Kollektor-Basis-Sperrschicht |
| обеднённый слой коллекторного перехода | Kollektorsperrschicht |
| обеднённый слой коллекторного перехода | Basis-Kollektor-Sperrschicht |
| обеднённый слой p-n-перехода | Übergangssperrschicht |
| обеднённый слой p-n-перехода | pn-Sperrschicht |
| обеднённый слой эмиттерного перехода | Emittersperrschicht |
| обеднённый слой эмиттерного перехода | Emitterraumladungszone |
| обеднённый слой эмиттерного перехода | Emitter-Basis-Sperrschicht |
| обеднённый слой эмиттерного перехода | Basis-Emitter-Sperrschicht |
| область объёмного заряда в приграничном слое эмиттерного перехода | Emitterraumladungszone |
| область пространственного заряда в приграничном слое эмиттерного перехода | Emitterraumladungszone |
| обогащённый граничный слой | Anreicherungsrandschicht |
| обогащённый приграничный слой | Anreicherungsrandschicht |
| обогащённый приповерхностный слой | Anreicherungsrandschicht |
| обогащённый слой | Anreicherungsrandschicht |
| обогащённый слой | Anreicherungszone |
| обогащённый слой | Akkumulationsschicht |
| обогащённый слой | Akkumulationebereich |
| окисный слой | Planarschicht |
| окно в оксидном слое | Oxidfenster |
| оксидно-нитридно-оксидный слой | ONO-Schicht |
| оксидный слой | Planarschicht |
| оксидный слой затвора | Gateisolator |
| оксидный слой затвора | Gateoxidschicht |
| оксидный слой затвора | Gateoxid |
| оксидный слой затвора | Toroxid |
| оксидный слой затвора | Gate-Isolierschicht |
| оксидный слой на боковой стенке | Seitenwandoxid (канавки) |
| ОНО-слой | ONO-Schicht |
| осаждение слоя | Schichtabscheidung |
| осаждённый слой | Deposit |
| падение напряжения на обеднённом слое | Spannungsabfall über der Sperrschicht |
| пассивация слоем оксида | Oxidpassivierung |
| пассивирующий слой | Passivierungsschicht |
| пассивирующий слой | Passivierschicht |
| пассивирующий слой окисла | oxidische Passivierungsschicht |
| первичный пассивирующий слой | Primärpassivierungsschicht |
| перетравливание оксидного слоя | Oxidüberätzung |
| переходный слой | Übergangszone |
| ПЗС с глубокообеднённым слоем | Deep-Depletion-CCD |
| планаризующий слой | Planarisierungsschicht |
| плоскость проводящего слоя | Leiterebene (печатной платы) |
| плотность дефектов оксидного слоя | Oxiddefektdichte |
| плотность дефектов SiO2-слоя | Oxiddefektdichte |
| плотность носителей заряда в инверсионном слое | Inversionsdichte |
| поверхностный диффузионный слой | Oberflächendiffusionsschicht |
| поверхностный запирающий слой | Oberflächensperrschicht |
| поверхностный примесный слой | Oberflächenfremdstoffschicht |
| поверхность запирающего слоя | Sperrschichtfläche |
| повреждённый слой | gestörte Schicht |
| повреждённый слой | Schicht mit Defekten |
| подзатворный изолирующий слой | Tordielektrikum |
| подзатворный изолирующий слой | Torisolator |
| подзатворный оксидный слой | Toroxid |
| подложка с эпитаксиальным слоем | Epitaxiesubstrat |
| полевой транзистор с сегнетоэлектрическим изолирующим слоем затвора | Ferroelectric FET |
| полевой транзистор с сегнетоэлектрическим изолирующим слоем затвора | FEFET |
| полиимидный слой | Polyimidschicht |
| поликремниевый слой | polykristalline Siliziumschicht |
| поликристаллический слой | polykristalline Schicht |
| полупроводниковая пластина с эпитаксиальным слоем, выращенным из газовой фазы | VPE-Wafer |
| полупроводниковая пластина с эпитаксиальным слоем, выращенным из паровой фазы | VPE-Wafer |
| полупроводящий слой | halbleitende Schicht |
| последовательность слоев с p-n-переходом | pn-Folge |
| приграничный слой | Randschicht |
| приграничный слой коллекторной области | Kollektorrandschicht |
| приграничный слой коллекторной области | Kollektorgrenzschicht |
| приграничный слой обеднённой области | Sperrschichtrand |
| приконтактный слой | Kontaktschicht |
| приконтактный слой | Kontaktgrenzschicht |
| примесь в приповерхностном слое | flache Störstelle |
| приповерхностный слой | oberflächennaher Bereich |
| приповерхностный слой | Randschicht |
| пробой оксидного слоя | Oxiddurchbruch |
| проводящий слой | Leiterzugebene (печатной платы) |
| проводящий слой | Leiterschicht (печатной платы) |
| промежуточный изоляционный слой | Isolierlage (напр., между проводящими слоями многослойной печатной платы) |
| противоотражающий слой | reflexionsmindernde Schicht |
| противоотражающий слой | Reflexionsschutzschicht |
| р-слой | p-leitende Schicht |
| р+-слой | p+-Schicht |
| радиационно-нарушенный слой | Strahlungsgeschädigte Schicht |
| радиационно-нарушенный слой | Schicht mit Strahlungsschäden |
| разделительный слой | Isolierschicht |
| разделительный слой | Isolatorschicht |
| разделительный слой | Isolationsschicht |
| разделительный слой | Abstandsschicht |
| рассасывание неосновных носителей в обеднённом слое | Ausräumen der Ladungsträger in der Sperrschicht (p-n-перехода) |
| раствор для выращивания эпитаксиального слоя | Wachstumslösung |
| реактор кипящего слоя | Wirbelschichtreaktor |
| реактор с кипящим слоем | Wirbelschichtreaktor |
| реактор с псевдоожиженным слоем | Wirbelschichtreaktor |
| рекомбинация в слое объёмного заряда | Rekombination in der Raumladungsschicht |
| рекристаллизационный слой | Rekristallisationsschicht |
| рекристаллизованный слой | Rekristallisationsschicht |
| рисунок в слое | Schichtmuster |
| рисунок слоя | Schichtmuster (напр., плёночной ИС) |
| рисунок слоя резиста | Resiststruktur |
| рисунок слоя фоторезиста | Resiststruktur |
| рисунок слоя фоторезиста | Lackbild |
| рисунок, сформированный на слое хрома | Chromschichtstruktur |
| рост слоя | Schichtwachstum |
| сапфировая лента со слоем кремния | SOS-Band |
| сапфировая пластина со слоем кремния | SOS-Wafer |
| сапфировая подложка со слоем кремния | SOS-Substrat |
| сверхрешётка с напряжёнными слоями | Strained-Layer Superlattice |
| светочувствительный слой | fotoempfindliche Schicht |
| светочувствительный слой | fotoaktive Schicht |
| скрытый коллекторный n+-слой | begrabene n+-Kollektorschicht |
| скрытый коллекторный n+-слой | n+-Kollektorschicht begrabene |
| скрытый слой | buried layer |
| скрытый n+-слой | verdeckte n+-Schicht |
| скрытый n+-слой | vergrabene Schicht |
| скрытый n+-слой | vergrabene n+-Schicht |
| скрытый слой | vergrabene Schicht |
| скрытый слой | begrabenes Gebiet |
| скрытый n+-слой | begrabene Schicht |
| скрытый n+-слой | begrabene n+-Schicht |
| скрытый слой | begrabene Schicht |
| скрытый слой | begraben Befehlszykluse Schicht |
| скрытый слой коллектора | vergrabener Kollektor |
| скрытый слой коллектора | Subkollektor |
| слаболегированный слой кремния между p и n-областями | PSN |
| слой SiO2 | Oxidschicht |
| слой SiO2 | SiO2-Schicht |
| слой SiO2 | Siliziumdioxidschicht |
| слой SiO2-Si3N4-Si02 | ONO-Schicht |
| слой Si3N4 | Siliziumnitridschicht |
| слой Si3N4 | Si3N4-Schicht |
| слой SiO2 | Oxidisolationsschicht |
| слой арсенида галлия | GaAs-Schicht |
| слой арсенида галлия р-типа | p-Ga-As-Gebiet |
| слой арсенида галлия p-типа | p-Ga-As-Gebiet p-GaAs-слой |
| слой арсенида галлия n-типа | n-GaAs-Gebiet n-GaAs-слой |
| слой арсенида галлия n-типа | n-GaAs-Gebiet |
| слой базы | Basisschicht |
| слой диоксида кремния | Siliziumdioxidschicht |
| слой диоксида кремния | SiO2-Schicht |
| слой диэлектрика | Isolatorschicht |
| слой для выравнивания поверхности | Planarisierungsschicht |
| слой затвора | Torschicht |
| слой кремния | Siliziumschicht |
| слой кремния | Si-Schicht |
| слой кремния n-типа | n-Si-Schicht |
| слой материала | Schichtmaterial |
| слой межсоединений | Leitbahnebene |
| слой межсоединений | Verbindungsschicht |
| слой межсоединений | Verbindungsebene |
| слой металлизации | Metallisierungsschicht |
| слой металлизации | Metallisierungsebene |
| слой металлизации | Metallfilm |
| слой нитрида кремния | Si3N4-Schicht |
| слой нитрида кремния | Siliziumnitridschicht |
| слой объёмного заряда | Raumladungsschicht |
| слой оксида | Oxidschicht |
| слой покрытия | Deckschicht |
| слой поликристаллического кремния | polykristalline Siliziumschicht |
| слой полиметилметакрилата | Polymethylmethakrilatschicht (слой структуры фоторезиста) |
| слой полиметилметакрилата | PMMA-Schicht (слой структуры фоторезиста) |
| слой, полученный ионной имплантацией | Ionenimplantationsschicht |
| слой, полученный ионной имплантацией | implantierte Schicht |
| слой, препятствующий взаимной диффузии | Interdiffusionsbarriere |
| слой, препятствующий диффузии | diffusionshemmende Schicht |
| слой, препятствующий диффузии | Diffusionshemmschicht |
| слой, препятствующий проникновению диффузанта | diffusionshemmende Schicht |
| слой примеси | Verunreinigungsschicht |
| слой пространственного заряда | Raumladungszone |
| слой пространственного заряда | Raumladungsschicht |
| слой разводки | Verdrahtungsschicht |
| слой резиста | Resistschicht |
| слой с проводимостью р-типа | p-leitende Schicht |
| слой с проводимостью р-типа | p-Schicht |
| слой с пониженным уровнем легирования | Spacer (в модуляционно легированном полевом транзисторе) |
| слой с собственной проводимостью | Intrinsicschicht |
| слой с собственной проводимостью | Eigenleitungsschicht |
| слой с собственной проводимостью | i-Schicht |
| слой с хорошей адгезией к подложке | Haftschicht |
| слой с ЦМД | Magnetblasenschicht |
| слой с ЦМД | Blasenschicht |
| слой селенида германия | GeSe-Schicht |
| слой, служащий маской против нежелательной диффузии | Diffusionsmaske |
| слой со структурой типа "кремний на сапфире" | SOS-Schicht |
| слой со структурой типа с КНС-структурой | SOS-Schicht |
| слой собственной проводимости | i-Schicht |
| слой собственной проводимости | Intrinsic-Schicht |
| слой собственной проводимости | eigenleitende Schicht |
| слой собственной проводимости | Eigenleitungsschicht |
| слой структуры | Strukturebene |
| слой твердого раствора | Mischkristallschicht |
| слой с проводимостью n-типа | n-leitende Schicht |
| слой с проводимостью n-типа | n-Schicht |
| слой умножения | Multiplikationsschicht |
| слой формирования изображения | abbildende Schicht |
| слой фоторезиста | Lackschicht |
| слой фоторезиста | Resistschicht |
| слой фоторезиста | Fotoresistschicht |
| слой фоторезиста | Fotolackschicht |
| слой фоторезиста с проявленным изображением | Resistbildschicht |
| слой фотошаблона | Maskenebene |
| снятие слоя | Schichtabtragung |
| сопротивление запирающего слоя | Sperrwiderstand |
| сопротивление запирающего слоя | Sperrschientwiderstand |
| сопротивление запорного слоя | Sperrwiderstand |
| сопротивление запорного слоя | Sperrschientwiderstand |
| сопротивление обеднённого слоя | Sperrschichtwiderstand |
| сопротивление промежуточного слоя | Zwischenschichtwiderstand |
| удельное электрическое сопротивление слоя | Schichtwideretand |
| удельное сопротивление слоя | Filmwiderstand |
| стравливание до заданной толщины тонкого слоя | Dünnätzen (химическим методом) |
| структура с несколькими эпитаксиальными слоями | Mehrfach-Epitaxie-Struktur |
| структура, сформированная в слое резиста | Resiststruktur |
| структура, сформированная в слое фоторезиста | Resiststruktur |
| ступенька в оксидном слое | Oxidstufe |
| схема межсоединений слоя | Schichtverbindungsnetzwerk |
| температура запирающего слоя коллектора | Kollektorsperrschichttemperatur |
| температура обеднённого слоя | Sperrschichttemperatur |
| тепловое наращивание слоя окиси | thermisches Aufwachsen der Oxidschicht |
| тепловое наращивание слоя окиси | thermische Oxydation |
| термически наращённый слой | thermisch aufgewachsene Schicht |
| технология изготовления МОП ЗУ с плавающим затвором и тонким слоем туннельного оксида | Flotox |
| технология изготовления МОП ЗУ с плавающим затвором и тонким слоем туннельного оксида | Floating-Gate Tunnel Oxide |
| технология МОП ИС с одним поликремниевым слоем | Einschichtpolysiliziumtechnik (затвора) |
| технология МДП ИС с защитным оксидным слоем на поверхности подложки | PLANOX-Verfahren |
| технология МДП ИС с защитным оксидным слоем на поверхности подложки | PLANOX-Maskentechnologie |
| технология МНОП-структур с толстым слоем нитрида кремния | Metal-Thick Nitride Semiconductor |
| технология изготовления МОП ИС с самосовмещёнными затворами и толстым оксидным слоем | SATO-Technik |
| технология МОП ИС с толстым слоем оксидной изоляции | LOCOS-Verfahren |
| технология МОП ИС с толстым слоем оксидной изоляции | Local Oxydation of Silicon |
| технология МОП ИС с толстым слоем оксидной изоляции | LOCOS |
| технология МОП ИС со скрытым слоем изолирующего оксида | BOMOS-Technik |
| технология МОП ИС со скрытым слоем изолирующего оксида | Buried Oxide MOS |
| технология МОП ИС со скрытым слоем изолирующего оксида | BOMOS |
| технология изготовления полупроводниковых ИС с изолирующим оксидным слоем | OXIM-Technik |
| ток насыщения запирающего слоя | Sperrschichtsättigungsstrom |
| токопроводящий слой | stromleitende Schicht |
| толстый оксидный слой | dickes Oxid |
| толщина базового слоя | Basisschichtdicke |
| толщина запирающего слоя | Sperrschichtweite |
| толщина запирающего слоя | Sperrschichtdicke |
| толщина запорного слоя | Sperrschichtweite |
| толщина запорного слоя | Sperrschichtdicke |
| толщина оксидного слоя | Oxidschichtdicke |
| толщина оксидного слоя | Oxidschichtstärke |
| толщина оксидного слоя | Oxiddicke |
| толщина оксидного слоя затвора | Gateoxiddicke |
| толщина слоя SiO2 | Oxiddicke |
| толщина слоя или плёнки | Schichtdicke |
| толщина слоя половинного ослабления | Halbwertschichtdicke |
| тонкий оксидный слой | dünnes Oxid |
| топологический слой структуры ИС, получаемый при экспонировании через шаблон в процессе литографирования | lithografische Ebene |
| травление до заданной толщины тонкого слоя | Dünnätzen (химическим методом) |
| травление островок в маскирующем слое | Freiätzen der Inseln in der Maske |
| транзистор с глубокообеднённым слоем | Deep-Depletion-Transistor |
| транзистор с глубокообеднённым слоем в качестве нагрузки, работающий в режиме обеднения | Depletion Load Transistor |
| транзистор с несколькими эпитаксиальными слоями | Multiepitaxietransistor |
| удаление слоя | Schichtabtragung |
| удельное сопротивление слоя | Flächenwiderstand |
| усовершенствованная базовая технология ИС со скрытым коллекторным слоем | ASBC |
| усовершенствованная базовая технология ИС со скрытым коллекторным слоем | Advanced Standard Buried-Collector |
| усовершенствованная базовая технология ИС со скрытым коллекторным слоем | ASBC-Technik |
| усовершенствованная ИС со скрытым коллекторным слоем, выполненная по базовой технологии ASBC | ASBC-Schaltkreis |
| установка для нанесения слоя фоторезиста центрифугированием | Schleuderbeschichtungsanlage |
| формирование рисунка в слое резиста | Resiststrukturierung |
| формирование рисунка в слое фоторезиста | Resiststrukturierung |
| формирование структур в слое резиста | Resiststrukturierung |
| формирование структур в слое фоторезиста | Resiststrukturierung |
| фосфорсиликатный слой | Phosphorsilikatschicht |
| фотодиодный слой | Fotodiodenschicht |
| фотозапирающий слой | Fotosperrschicht |
| фотозапорный слой | Fotosperrschicht |
| фотолитография с усиливающим контраст слоем | Contrast Enhancement Layer |
| фотопроводящий слой | fotoleitende Schicht |
| фоторезистивный слой | Fotowiderstandsschicht |
| фоточувствительный слой | fotoaktive Schicht |
| фоточувствительный слой | fotoempfindliche Schicht |
| фоточувствительный слой | Fotoschicht |
| фотоэмульсионный слой | Fotoemulsionsschicht |
| химически осаждённый слой | chemisch abgeschiedene Schicht |
| ширина базового слоя | Basisdicke |
| ширина базового слоя | Basisweite |
| ширина базового слоя | Basisbreite |
| ширина запирающего слоя | Sperrschichtdicke |
| ширина обеднённого слоя | Sperrschichtweite |
| ширина обеднённого слоя | Verarmungsschichtbreite |
| ширина обеднённого слоя | Sperrschichtbreite |
| ширина слоя объёмного заряда | Breite der Raumladungszone |
| ширина слоя объёмного заряда | Breite der Raumladungsschicht |
| ширина слоя пространственного заряда | Breite der Raumladungszone |
| ширина слоя пространственного заряда | Breite der Raumladungsschicht |
| экранирующий слой | Abschirmungslage |
| экранирующий слой | Abschirmschicht |
| электролюминесцентный слой | Elektrolumineszenzschicht |
| элемент памяти на полевом транзисторе с двумя слоями диэлектрика | DDC |
| элемент памяти на полевом транзисторе с двумя слоями диэлектрика | Feldeffekttransistor mit dielektrischer Doppelschicht |
| элемент памяти на полевом транзисторе с двумя слоями диэлектрика | Dual Dielectric Charge storage |
| эмиссионный слой | emittierende Schicht |
| эмиттерный слой | Emitterschicht |
| эпитаксиально выращенный коллекторный слой | epitaxierte Kollektorschicht |
| эпитаксиальное наращивание полупроводниковых слоев | Halbleiterepitaxie |
| эпитаксиальный р-слой | p-Epitaxieschicht |
| эпитаксиальный слой | epitaktische Schicht |
| эпитаксиальный n+-слой | n+-Epitaxieschicht |
| эпитаксиальный слой | Epitaxialschicht |
| эпитаксиальный слой с проводимостью р-типа | p-Epitaxieschicht |
| эпитаксиальный слой n+-типа | n+-Epitaxieschicht |
| ёмкость граничного слоя | Sperrschichtkapazität |
| ёмкость запирающего слоя коллектора | Kollektorsperrschichtkapazität |
| ёмкость инверсионного слоя | Inversionskapazitat |
| ёмкость обедненного слоя эмиттерного перехода | Emittersperrschichtkapazität |
| ёмкость обеднённого слоя коллекторного перехода | Kollektorsperrschichtkapazitat |
| ёмкость оксидного слоя | Oxidschichtkapazität |
