| Russian | German |
| инвертор на двух МОП-транзисторах с обогащением канала | EE-Inverter |
| ИС на МОП-транзисторах с обогащением и обеднением канала | ED-MOSFET |
| n-канальный МДП-транзистор, работающий в режиме обогащения | n-Kanal-Anreicherungstyp |
| n-канальный МДП-транзистор, работающий в режиме обогащения | n-Kanal Anreicherungs-MISFET |
| n-канальный МДП-транзистор, работающий в режиме обогащения | n-Kanal-Anreicherungs-MISFET |
| n-канальный МДП-транзистор, работающий в режиме обогащения | n-Kanal-Anreicherungstransistor |
| n-канальный МОП-транзистор, работающий в режиме обогащения | n-Kanal-Anreicherungs-MOSFET |
| МДП-транзистор, работающий в режиме обогащения | Enhancement-MIS-Transistor |
| МДП-транзистор, работающий в режиме обогащения | Transistor vom Anreicherungstyp |
| МДП-транзистор, работающий в режиме обогащения | Anreicherungstyp |
| МДП-транзистор, работающий в режиме обогащения | Feldeffekttransistor des Anreicherungstyps |
| МДП-транзистор, работающий в режиме обогащения | Enhancement-MISFET |
| МДП-транзистор, работающий в режиме обогащения | Anreicherungs-MISFET |
| МДП-транзистор, работающий в режиме обогащения | Anreicherungs-IFET |
| МДП-транзистор, работающий в режиме обогащения | Enhancement-FET |
| МДП-транзистор с каналом р-типа, работающий в режиме обогащения | p-Kanal-Anreicherungstyp |
| МДП-транзистор с каналом р-типа, работающий в режиме обогащения | p-Kanal-Anreicherungs-MISFET |
| МДП-транзистор с каналом р-типа, работающий в режиме обогащения | p-Kanal-Anreicherungstransistor |
| МДП-транзистор с каналом p-типа, работающий в режиме обогащения | p-Kanal-Anreicherungs-MISFET |
| МДП-транзистор с каналом p-типа, работающий в режиме обогащения | p-Kanal-Anreicherungstransistor |
| МДП-транзистор с обогащением канала | Enhancement-FET |
| МДП-транзистор с обогащением канала | Anreicherungs-MISFET |
| МДП-транзистор с обогащением канала | Enhancement-MISFET |
| МДП-транзистор с обогащением канала | Transistor vom Anreicherungstyp |
| МДП-транзистор с обогащением канала | Anreicherungstyp |
| МДП-транзистор с обогащением канала | Feldeffekttransistor des Anreicherungstyps |
| МДП-транзистор с обогащением канала | Enhancement-MIS-Transistor |
| МДП-транзистор с обогащением канала | Anreicherungs-IFET |
| МОП-прибор в режиме обогащения | MOS-Bauelement in Verstärkungsmode |
| МОП-прибор в режиме обогащения | MOS-Bauelement in Anreicherungsmode |
| МОП-транзистор, работающий в режиме обогащения | MOSFET vom Anreicherungstyp |
| МОП-транзистор, работающий в режиме обогащения | MOS-Transistor vom Anreicherungstyp |
| МОП-транзистор, работающий в режиме обогащения | Enhancement-MOSFET |
| МОП-транзистор с каналом р-типа, работающий в режиме обогащения | p-Kanal-MOS-Anreicherungs-IFET |
| МОП-транзистор с каналом р-типа, работающий в режиме обогащения | p-Kanal-Anreicherungs-MOSFET |
| МОП-транзистор с каналом p-типа, работающий в режиме обогащения | p-Anreicherungs-MOS-Transistor |
| МОП-транзистор с обогащением канала | MOS-Transistor vom Anreicherungstyp |
| МОП-транзистор с обогащением канала | MOSFET vom Anreicherungstyp |
| МОП-транзистор с обогащением канала | selbstsperrender FET |
| МОП-транзистор с обогащением канала | selbstsperrender |
| МОП-транзистор с обогащением канала | Enhancement-MOSFET |
| обогащение электронами | Elektronenanreicherung |
| полевой транзистор Шоттки, работающий в режиме обогащения | ENFET |
| полевой транзистор Шоттки, работающий в режиме обогащения | Enhancement mode MESFET |
| полевой транзистор с затвором Шоттки, работающий в режиме обогащения | Enhancement-MESFET |
| режим обогащения | Enhancement-Mode |
| режим обогащения | Anreicherungsmode |
| режим обогащения | Verstärkungsmode |
| режим обогащения | Betrieb im Anreicherungsmodus |
| режим обогащения | Enhancement-Betrieb |
| самосовмещённая технология полевых транзисторов Шоттки на арсениде галлия, работающих в режиме обогащения-обеднения | selbstjustierende Enhancement-Depletion-Technik |
| самосовмещённая технология полевых транзисторов Шоттки на арсениде галлия, работающих в режиме обогащения обеднения | selbstjustierende Enhancement-Depletion-Technik |
| технология МОП ИС с обогащением активных транзисторов и обеднением нагрузок | ED-MOS |
| технология МОП ИС с обогащением активных транзисторов и обеднением нагрузок | ED-MOS-Technik |
| технология МОП ИС с обогащением активных транзисторов и обеднением нагрузок | ED-Technik |
| технология МОП ИС с обогащением активных транзисторов и обеднением нагрузок | Enhancement-Depletion-Technik |
| технология МОП ИС с обогащением активных транзисторов и обеднением нагрузок | E/D-Technik |
| технология МОП ИС с обогащением активных транзисторов и обеднением нагрузок | Depletion-Load-Technik |
| транзистор, работающий в режиме обогащения | Enhancement-Transistor |
| транзистор, работающий в режиме обогащения | Transistor vom Anreicherungstyp |
| транзистор, работающий в режиме обогащения | Anreicherungstransistor |
| транзистор с обогащением канала | Transistor vom Anreicherungstyp |
| транзистор с обогащением канала | Enhancement-Transistor |
| транзистор с обогащением канала | Anreicherungstransistor |
| электрическое обогащение | elektrische Aufbereitung |
