| Russian | German |
| активная область базы | aktives Basisgebiet |
| активная область базы | aktive Basiszone |
| активная область базы | aktiver Basisbereich |
| активное сопротивление базы | Basiswirkwiderstand |
| база диода | Diodenbasis |
| база знаний | Knowledge Base |
| база с проводимостью р-типа | p-Basis (биполярного транзистора с n-p-n-структурой) |
| база транзистора | Transistorbasis |
| база фактов | Faktenbasis |
| база фактуальных знаний | Faktenbasis |
| ввод базы | Basiselektrode |
| включающий ток базы | Einschaltbasisstrom |
| включающий ток базы | Basiseinschaltstrom |
| включение по схеме с общей базой | Schaltung mit geerdeter Basis |
| включение по схеме с общей базой | Basisschaltung |
| внутреннее сопротивление базы | innerer Basiswiderstand |
| время пролёта носителей через базу | Laufzeit der Ladungstrager durch die Basis (транзистора) |
| время пролёта носителей через базу | Basislaufzeit |
| входной ток базы | Basiseingangsstrom |
| вывод базы | Basiszuleitung |
| выключающий ток базы | Basisausschaltstrom |
| высокочастотное сопротивление базы | Hochfrequenzbasiswiderstand |
| глубина залегания базы | Basiseindringtiefe |
| градационная база | Basis mit inhomogener Störstellenverteilung |
| градационная база | Basis mit inhomogener Fremdstoffverteilung |
| градационная база | inhomogene Basis |
| градационная база | abgestufte Basis |
| градационная база | Basis mit Störstellengradienten |
| граничная частота коэффициента передачи тока базы | f1-Grenzfrequenz |
| граничная частота коэффициента передачи эмиттерного тока в схеме с общей базой | a-Grenzfrequenz |
| граничная частота коэффициента передачи эмиттерного тока в схеме с общей базой | α-Grenzfrequenz |
| граничная частота усиления по току в схеме с общей базой | a-Grenzfrequenz |
| граничная частота усиления по току в схеме с общей базой | α-Grenzfrequenz |
| делитель напряжения базы | Basisspannungsteiler |
| диод база-коллектор | B-C-Diode |
| диод база-коллектор | Basis-Kollektor-Diodenstrecke |
| диод база коллектор | Basiskollektordiode |
| диод база коллектор | Basis-Kollektor-Diodenstrecke |
| диод база-коллектор | Kollektordiode |
| диод база-коллектор | Basiskollektordiode |
| диод база коллектор | B-C-Diode |
| диод база эмиттер | Basis-Emitter-Diode |
| диод коллектор-база | Kollektor-Basis-Diode |
| диод коллектор база | Kollektordiode |
| диод коллектор-база | Kollektordiode |
| диод коллектор база | Kollektor-Basis-Diode |
| диод, образованный эмиттером, базой и коллектором | Diodenstrecke |
| диод, образованный эмиттером и базой или базой и коллектором | Diodenstrecke |
| диод с длинной базой | Diode mit langer Basis |
| диод с тонкой базой | Diode mit geringem Bahnwiderstand |
| диод с тонкой базой | Diode mit dünner Basis |
| диод эмиттер база | Emitterdiode |
| диод эмиттер-база | Emitter-Basis-Diodenstrecke |
| диод эмиттер-база | E-B-Diode |
| диод эмиттер база | Emitter-Basis-Diodenstrecke |
| диод эмиттер база | Emitter-Basis-Diode |
| диод эмиттер база | E-B-Diode |
| диффузионная база | eindiffundierte Basis |
| диффузионная база | diffundierte Basis |
| диффузионная ёмкость базы | Basisdiffusionskapazität |
| диффузионное сопротивление базы | Basisdiffusionswiderstand |
| диффузия для формирования базы | Basisdiffusion |
| диффузия для формирования базы р-типа | p-Basisdiffusion |
| диффузия для формирования базы p-типа | p-Basisdiffusion |
| диффузия для формирования стандартной базы и стандартных резисторов | SBC-Diffusion |
| добавочное сопротивление базы | Basisvorwiderstand |
| добавочный резистор в цепи базы | Basisvorwiderstand |
| заряд базы | Basisladung |
| заряд, накопленный в базе | Basisspeicherladung |
| избыточный заряд в базе | Basisspeicherladung |
| избыточный ток базы | Überschussbasisstrom |
| каскад с общей базой | Stufe in Basisschaltung |
| кольцевая база | Ringbasis |
| кольцеобразная база | Ringbasis |
| контакт к области базы | Basiskontakt |
| контактирование базы | Basiskontaktierung |
| контактная полоска базы | Basiskontaktstreifen |
| контактный лепесток вывода базы | Basisanschlussfahne |
| коэффициент передачи тока в схеме с общей базой в режиме малого сигнала | Kleinsignalstromverstärkungs-faktor in Basisschaltung |
| коэффициент передачи тока в схеме с общей базой в режиме малого сигнала | Kleinsignalstromverstarkungsfaktor in Basisschaltung |
| максимально-допустимое напряжение между эмиттером и базой | Ueb max |
| максимально-допустимое напряжение между эмиттером и базой | maximal zulässige Emitter-Basis-Spannung |
| микросплавной транзистор с диффузионной базой | Mikrolegierungsdiffusionstransistor |
| микросплавной транзистор с диффузионной базой | MicroAlloy Diffused Base Transistor |
| микросплавной транзистор с диффузионной базой | MADT-Transistor |
| модуль коэффициента передачи тока базы | Betrag des Stromverstärkungsfaktors in Emitterschalting |
| модуляция постоянного напряжения по базе | Gleichspannungsaussteuerung über die Basis |
| модуляция проводимости базы | Basisleitfähigkeitsmodulation |
| модуляция сопротивления базы | Basiswiderstandemodulation |
| модуляция толщины базы | Modulation der elektronischen Basisweite |
| модуляция толщины базы | Basisdickenmodulation |
| модуляция толщины базы | Modulation der Basisdicke |
| модуляция ширины базы | Basisdickenmodulation |
| модуляция ширины базы | Modulation der elektronischen Basisweite |
| модуляция ширины базы | Modulation der Basisdicke |
| модуляция ширины базы | Basisbreitenmodulation (эффект Эрли) |
| мощность, рассеиваемая базой | Basisverlustleistung |
| мощность, рассеиваемая на переходе база-эмиттер | Basis-Emitter-Verlustleistung |
| мощность, рассеиваемая на переходе база эмиттер | Basis-Emitter-Verlustleistung |
| напряжение база коллектор | Basis-Kollektor-Spannung |
| напряжение база эмиттер | Basis-Emitter-Spannung |
| напряжение коллектор база | Kollektor-Basis-Spannung |
| напряжение коллектор-база при отключённом эмиттере | Kollektor-Basis-Spannung bei offenem Emitteranschluss |
| напряжение коллектор-база при разомкнутом эмиттере | Kollektor-Basis-Spannung bei offenem Emitteranschluss |
| напряжение коллектор-эмиттер при отключённой базе | Kollektor-Emitter-Spannung bei offenem Basisanschluss |
| напряжение коллектор-эмиттер при разомкнутой базе | Kollektor-Emitter-Spannung bei offenem Basisanschluss |
| напряжение коллектор-эмиттер при сопротивлении в цепи эмиттер-база | Kollektor-Emitter-Spannung bei Anschluss eines Widerstandes zwischen Basis und Emitter |
| напряжение между базой и коллектором | Basis-Kollektor-Spannung |
| напряжение между коллектором и базой | Kollektor-Basis-Spannung |
| напряжение между коллектором и эмиттером при коротком замыкании между эмиттером и базой | Kollektor-Emitter-Spannung bei Kurzschluss zwischen Basis und Emitter |
| напряжение между эмиттером и базой в режиме насыщения | Ueb sat |
| напряжение между эмиттером и базой в режиме насыщения | Emitter-Basis-Spannung im Sättigungsbetrieb |
| напряжение насыщения перехода база-эмиттер | Basisemittersättigungsspannung |
| напряжение насыщения перехода база эмиттер | Basisemittersättigungsspannung |
| напряжение прокола базы | punch-through-Spannung |
| напряжение прокола базы | Durchgreifspannung |
| напряжение смещения на базе | Basisvorspannung |
| напряжение эмиттер база | Emitter-Basis-Spannung |
| напряжение эмиттер-база при отключённом коллекторе | Emitter-Basis-Spannung bei offenem Kollektoranschluss |
| напряжение эмиттер-база при разомкнутом коллекторе | Emitter-Basis-Spannung bei offenem Kollektoranschluss |
| ненасыщенная база | ungesättigte Basis |
| область базы | Basisgebiet |
| область распределённого сопротивления базы | Basisbahngebiet |
| обратный ток коллекторного перехода при закороченном переходе эмиттер-база | Kollektorkurzschluss-Reststrom |
| обратный ток коллекторного перехода при закороченном переходе эмиттер база | Kollektorkurzschluss-Reststrom |
| обратный ток коллекторного перехода при коротком замыкании между эмиттером и базой | Kollektorreststrom bei Kurzschluss zwischen Basis und Emitter |
| обратный ток коллекторного перехода при разомкнутой базе | Kollektorstrom bei offenem Basisanschluss |
| обратный ток утечки через коллекторный переход при коротком замыкании эмиттер-база | Kollektorkurzschluss-Reststrom |
| обратный ток утечки через коллекторный переход при коротком замыкании эмиттер база | Kollektorkurzschluss-Reststrom |
| обратный ток эмиттер-база | Emitterbasisreststrom |
| общая база | gemeinsame Basis |
| объём базы | Basisgebiet |
| объём базы | Basisraum |
| объём базы | Basisbereich |
| объёмное сопротивление базы | Basiswiderstand |
| объёмное сопротивление базы | Basisbahnwiderstand |
| однородная база | Basis mit homogener Störstellenverteilung |
| однородная база | homogene Basis |
| однородная база | Basis mit homogener Fremdstoffverteilung |
| омическое сопротивление базы | Basisbahnwiderstand |
| падение напряжения на участке эмиттер-база | Spannungsabfall an der Basis-Emitterstrecke |
| паразитная ёмкость база-эмиттер | Basis-Emitter-Streukapazität |
| паразитная ёмкость база эмиттер | Basis-Emitter-Streukapazität |
| паразитная ёмкость коллектор-база | Kollektor-Basis-Streukapazität |
| паразитная ёмкость коллектор база | Kollektor-Basis-Streukapazitat |
| перенасыщение базы неосновными носителями | Basisübersteuerung mit Minoritätsladungsträgern (при модуляции её проводимости) |
| p-n-переход база-коллектор | Kollektor-pn-Übergang |
| переход база коллектор | Basis-Kollektor-Übergang |
| переход база коллектор | B-C-Übergang |
| переход база эмиттер | Basis-Emitter-Übergang |
| p-n-переход коллектор база | Kollektor-pn-Übergang |
| переход с толстой базой | Übergang mit dicker Basis |
| переход с тонкой базой | Übergang mit dünner Basis |
| p-n-переход эмиттер база | Emitter-Basis-pn-Übergang |
| пленарный транзистор с ионно-имплантированной базой | ionenimplantierter Planartransistor |
| полоска базы | Basisstreifen |
| постоянное напряжение коллектор-база | Kollektorgleichspannung |
| постоянное напряжение коллектор база | Kollektorgleichspannung |
| постоянный ток базы | Basisgleichstrom |
| постоянный ток базы | konstanter Basisstrom |
| постоянный ток базы | Basis-Dauerstrom |
| построение базы знаний | Wissensgewinnung |
| предельная частота коэффициента передачи тока базы | f1-Grenzfrequenz |
| предельная частота коэффициента передачи эмиттерного тока в схеме с общей базой | a-Grenzfrequenz |
| предельная частота коэффициента передачи эмиттерного тока в схеме с общей базой | α-Grenzfrequenz |
| предельная частота усиления по току в схеме с общей базой | a-Grenzfrequenz |
| предельная частота усиления по току в схеме с общей базой | α-Grenzfrequenz |
| предельная частота усиления по току в схеме с общей базой | Alphagrenzfrequenz |
| предохранительное сопротивление базы | Basisschutzwiderstand |
| пробивное напряжение коллектор-база | Kollektor-Basis-Durchbruchspannung |
| пробивное напряжение коллектор база | Kollektor-Basis-Durchbruchspannung |
| пробивное напряжение эмиттер-база | Emitter-Basis-Durchbruchspannung |
| пробивное напряжение эмиттер база | Emitter-Basis-Durchbruchspannung |
| пробой перехода база-эмиттер | Basis-Emitter-Durchbruch |
| пробой перехода база эмиттер | Basis-Emitter-Durchbruch |
| прокол базы | punch-through-Effekt |
| прокол базы | Durchgreifen (биполярного транзистора) |
| прокол базы | Durchgreifeffekt (смыкание обеднённого слоя коллекторного перехода с обеднённым слоем эмиттерного перехода) |
| прямое напряжение перехода база эмиттер | Basis-Emitter-Schleusenspannung (биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером) |
| прямое напряжение перехода база-эмиттер | Basis-Emitter-Flussspannung (биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером) |
| прямое напряжение перехода база-эмиттер | Basis-Emitter-Schleusenspannung (биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером) |
| прямое напряжение перехода база эмиттер | Basis-Emitter-Flussspannung (биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером) |
| прямое напряжение эмиттер-база | Emitter-Basisflussspannung |
| прямое напряжение эмиттер база | Emitter-Basisflussspannung |
| распределённое сопротивление базы | Basisbahnwiderstand (биполярного транзистора) |
| рассасывание неосновных носителей в базе | Ausräumen der Basis |
| рассасывание неосновных носителей в области базы | Ausräumen der Basis |
| расширение базы | Basisausdehnung |
| слой базы | Basisschicht |
| смещение базы | Basisvorspannung |
| сопротивление растеканию базы | Basisausbreitungswiderstand |
| сопротивление, шунтирующее диод база-эмиттер | Basis-Emitter-Parallelwiderstand |
| сопротивление, шунтирующее диод база эмиттер | Basis-Emitter-Parallelwiderstand |
| статическая характеристика зависимости напряжения на диоде эмиттер коллектор от напряжения базы | Spannungsübertragungskennlinie (в схеме с общим эмиттером) |
| статическая характеристика зависимости напряжения на диоде эмиттер-коллектор от напряжения базы | Spannungsübertragungskennlinie (в схеме с общим эмиттером) |
| статическая характеристика зависимости тока коллектора от тока базы | Stromübertragungskennlinie |
| статическая характеристика зависимости тока коллектора от тока базы | Stromsteuerkennlinie |
| технология биполярных БИС с самосовмещёнными эмиттером и базой | BEST |
| технология биполярных ИС с самосовмещёнными эмиттером и базой | selbstjustierte Basis-Emitter-Technik |
| технология биполярных ИС с самосовмещёнными эмиттером и базой | Base-Emitter Self-aligned Technology |
| технология биполярных ИС с самосовмещёнными эмиттером и базой | Base-Emitter Selfaligned Technology |
| технология биполярных приборов на эффекте расширения базы | POB-Technik |
| технология биполярных транзисторов с диффузионной базой | DB-Technik |
| постоянный ток базы в режиме насыщения | Basissättigungsstrom |
| ток базы при отсутствии сигнала | Basisruhestrom |
| ток инжекции электронов в базу | Injektionsstrom in die Basis |
| ток коллектор-база | Kollektor-Basis-Strom |
| ток коллектор база | Kollektor-Basis-Strom |
| ток рассасывания неосновных носителей в базе | Basisausräumstrom (биполярного транзистора при переключении) |
| толщина базы | Basisweite |
| толщина базы | Basisschichtdicke |
| толщина базы | Basisbreite |
| толщина базы | Basisdicke |
| точка базы | Basispunkt |
| транзистор в схеме с общей базой | Transistor mit gemeinsamer Basis |
| транзистор в схеме с общей базой | basisgeerdeter Transistor |
| транзистор в схеме с общей базой | Transistor in Basisschaltung |
| транзистор на арсениде галлия с инверсной базой | GaAs-Transistor mit inverser Basis |
| транзистор на арсениде галлия с проницаемой базой | GaAs-Transistor mit permeabler Basis |
| транзистор с диффузионной базой | Transistor mit diffundierter Basis |
| транзистор на арсениде галлия с инверсной базой | Inversion Base Transistor |
| транзистор на арсениде галлия с инверсной базой | IBT |
| транзистор на арсениде галлия с инверсной базой | Transistor mit inverser Basis |
| транзистор с ионно-имплантированной базой | ionenimplantierter Transistor |
| транзистор с ионно-имплантированной базой | Ion-Implanted Base Transistor |
| транзистор с ионно-имплантированной базой | IBT |
| транзистор с металлической базой | Metallzwischenschichttransistor |
| транзистор с металлической базой | MBT |
| транзистор с металлической базой | Metal Base Transistor |
| транзистор с однородной базой | Transistor mit homogener Basis |
| транзистор с проницаемой базой | PBT |
| транзистор с проницаемой базой | Permeable Base Transistor |
| транзистор с проницаемой базой | Transistor mit durchlässiger Basis |
| транзистор с проницаемой базой | Permeable-Base-Transistor |
| транзистор с убывающей концентрацией примеси в базе | Transistor mit abgestufter Basis |
| транзистор с эпитаксиально выращенной базой | Epibasis-Transistor |
| транзистор с эпитаксиальной базой | Transistor mit epitaxierter Basis |
| транзистор с эпитаксиальной базой | Transistor mit epitaxial aufgewachsener Basis |
| транзистор с эпитаксиальной базой | Epibasis-Transistor |
| триггер MS-типа на базе RS-триггеров | RS-Master-Slave-Flipflop |
| триггер MS-типа на базе JK-триггеров | JK-Master-Slave-Flipflop |
| указатель базы | Basiszeiger |
| указатель базы | Basepointer |
| управление по базе | Basisansteuerung |
| управляющее напряжение базы | Basissteuerspannung |
| управляющий ток базы | Basissteuerstrom |
| уравнительный ток базы | Basisquerstrom |
| усилитель в схеме с общей базой | Basisverstärker |
| устройство сопряжения с телефонной сетью на базе акустического модема | Akustikkoppler |
| участок база-эмиттер | Basis-Emitter-Strecke |
| участок база эмиттер | Basis-Emitter-Strecke |
| участок эмиттер-база | Emitter-Basis-Strecke |
| участок эмиттер база | Emitter-Basis-Strecke |
| формирование базы введением примеси | Basisdotierung |
| фотодиод с тонкой базой | Fotodiode mit schmaler Basis |
| характеристика перехода база-эмиттер | Basis-Emitter-Kennlinie |
| характеристика перехода база эмиттер | Basis-Emitter-Kennlinie |
| цепь базы | Basisströmkreis |
| цепь коллектор-база | Kollektor-Basis-Kreis |
| цепь эмиттер-база | Emitter-Basis-Kreis |
| четырёхслойный транзистор с областью собственной проводимости между базой и коллектором | Intrinsic-Barrier-Transistor |
| четырёхслойный транзистор с областью собственной проводимости между базой и коллектором | Intrinsic-Barrier-Transistor |
| шарик сплава для формирования базы | Basisperle (сплавного транзистора) |
| ширина базы | Basisweite |
| ширина базы | Basisbreite |
| электрод базы | Basiskontakt |
| электрод базы | Basiselektrode |
| электронный ток базы | Basisflussstrom |
| электронный ток, протекающий через область базы | Basisflussstrom (при нормальном включении транзистора) |
| элементная база | Bauelementebasis |
| эффект расширения базы | Basisausdehnung |
| эффективная толщина базы | effektive Basisweite |
| эффективная толщина базы | effektive Basisbreite |
| ёмкость база-коллектор | Basis-Kollektor-Kapazität |
| ёмкость база коллектор | Basis-Kollektor-Kapazität |
| ёмкость база эмиттер | Basis-Emitter-Kapazität |
