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for subject
Microelectronics
containing
bei
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exact matches only
German
English
Absorptionsmaximum
bei
265 nm
absorption peak at 265 nm
Abtastzeit
bei
Differentialsteuerung
derivative action time
Ausheizung im Ofen
bei
700 °C
furnace annealing at 700 °C
Bandbreite
bei
der Verstärkung 1
unity gain bandwidth
bei
65 °C vorgehärtet
soft baked at 65 °C
bei
der Belichtungswellenlänge stark absorbieren
absorb strongly at the exposing wavelength
bei
einem Dialoggerät anmelden
log on at an interactive terminal
bei
einer Taktfrequenz kippen
toggle at a clock rate
bei
hohen Frequenzen abfallen
drop off at high frequencies
bei
hohen Temperaturen ausheizen
anneal at high temperatures
(behandeln)
bei
langsamen bis mittleren Geschwindigkeiten arbeiten
operate at slow-to-medium speeds
bei
Taktfrequenzen von 1 bis 3 GHz arbeiten
operate at clock frequencies of one to three GHz
bei
vermindertem Druck abscheiden
deposit at reduced pressure
bei
zunehmend höheren Temperaturen wärmebehandelt
heat-treated at progressively higher temperatures
Betrieb
bei
Zimmertemperatur
room temperature operation
Betriebseigenschaften
bei
erhöhten Temperaturen
operating properties at elevated temperatures
Beweglichkeit
bei
Zimmertemperatur
room temperature mobility
Dampfoxydation
bei
niedrigen Temperaturen
steam oxidation at low temperatures
Daten
bei
einer Taktrate einlesen
read in data at a clock rate
den Einsprung in das Maschinenprogramm
bei
Programmende erzwingen
force entry to the end-of-run routine
den Verzerrungsfehler
bei
gewölbten Wafern verringern
minimize runout error for warped wafers
den Zustand
bei
Empfang eines Eingangssignals umkehren
reverse the nature of the state on receipt of an input signal
die gesamte Chipstruktur
bei
stationärem Tisch erzeugen
construct the entire chip pattern with the stage stationary
die Störatome
bei
Diffusionstemperaturen injizieren
inject the impurities at diffusion temperatures
die Verzerrung
bei
einer bestimmten Wellenlänge ausschalten
tune out distortion at a particular wavelength
Drainstrom
bei
0 Volt Gatespannung
zero-access gate voltage drain current
Epitaxie
bei
reduziertem Druck
reduced-pressure epitaxy
Erholungszeit
bei
Sperrbelastung
reverse recovery time
Erzeugung von Blasen
bei
geringen Vormagnetisierungsfeldstärken
bubble nucleation at low bias-field values
Flexibilität
bei
der Verarbeitung der Strukturdaten
flexibility in handling the pattern data
Gatekapazität
bei
Vorspannung Null
zero-access bias gate capacitance
Härtungszeit
bei
75 °C in Luft
baking time at 75 °C in air
Ionenätzen
bei
senkrechtem Einfall
ion milling at normal incidence
Ladungstransportverlust
bei
Grundladungsbetrieb
transfer loss achieved with fat zero
Lagefehler
bei
Kontaktbelichtung
contact runout
Lesbarkeit
bei
unterschiedlichen Betrachtungswinkeln
readability at various viewing angles
Maschinenprogramm
bei
Magnetbandende
end of-tape routine
Maschinenprogramm
bei
Programmende
end of-run routine
mit einem Maximum
bei
peaking at
Objektabstand
bei
zehnfacher Bildverkleinerung
object to image distance at a 10:1 image reduction
scharfe Linienkante
bei
höchster Bildauflösung
sharp line edge at the maximum image resolution
schleudern
bei
10 000 U/min
centrifuge at 10,000 r.p.m.
sein Maximum erreichen
bei
attain its maximum at
sich
bei
einem konstanten Wert sättigen
saturate at a constant value
sich
bei
Silan schneller bilden als bei anderen Gasen
build up faster with SiH₄ than with other gases
Siliziumdioxid
bei
hoher Temperatur züchten
grow silicon dioxide at elevated temperature
Stopp
bei
Übereinstimmung
match stop
(Paarigkeit)
Stoppmöglichkeit
bei
Auftreten eines Fehlers
stop on-fail capability
Synchronisierung
bei
Inbetriebnahme
start-up synchronization
Trocknungszeit
bei
75 °C in Luft
baking time at 75 °C in air
virtuelle Zugriffsmethode
bei
Fernprozeßsteuerung
virtual teleprocessing access method
Übertrag
bei
Subtraktion
borrow
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