| Russian | English |
| акусточувствительный полевой транзистор | acoustically-sensitive field-effect transistor |
| биполярно-полевой транзистор с инверсионным каналом | Bicfet |
| биполярно-полевой транзистор с отрицательным дифференциальным сопротивлением | bipolar-unipolar negative differential resistance transistor |
| биполярный транзистор | bipolar junction transistor (р-п-р или n-p-n) |
| биполярный транзистор с резонансным квантовым туннелированием | bipolar quantum resonant tunneling |
| биполярный транзистор с туннельным барьером в эмиттерной области | barrier-emitter transistor |
| боковой транзистор | lateral transistor |
| горизонтальный полевой транзистор с резонансным туннелированием | lateral resonant-tunneling FET |
| конфигурация биполярного транзистора | bipolar configuration |
| криогенный транзистор | high electron mobility transistor (двухслойный прибор, превосходящий по быстродействию обычные кремниевые транзисторы примерно в 50 раз) |
| МДП-транзистор | ductor FET |
| металлическая деталь конструкции, рассеивающая тепло, выделяемое транзистором или другим полупроводниковым прибором | heat sink |
| моделирование на уровне транзисторов | circuit-level simulation |
| МОП полевой транзистор с щелевым затвором | split-gate MOS FET (для анализа газов) |
| МОП-полевой транзистор с регулируемым пороговым напряжением | adjustable threshold MOS-FET |
| один из транзисторов в двухтактной схеме выходного каскада кадровой развёртки | lower power transistor |
| оптический транзистор | transphasor (выполнен на кристалле, который способен коммутировать основной луч света под действием входного сигнала небольшого уровня) |
| полевой транзистор | junction FET |
| полевой транзистор с открытым затвором, чувствительный к адсорбции газов | open-gate FET |
| полевой транзистор с открытым затвором, чувствительный к адсорбции газов | adsorption FET |
| полевой транзистор со стоком, образованным двойной диффузией | double-diffused-drain FET |
| полевой транзистор, чувствительный к изменению давления | pressure-sensitive FET |
| полностью выполненный на транзисторах | all-transistor |
| полупроводниковая интегральная схема с дополняющими биполярными транзисторами p-n-p и n-p-n или полевыми МОП-транзисторами с проводящими каналами n- и p-типов проводимости | complementary integrated circuit |
| примеси, имплантируемые в канал транзистора | channel implants |
| температура охладителя транзистора | transistor heat sink temperature |
| температура радиатора транзистора | transistor heat sink temperature |
| технология погружённых МОП-транзисторов | merged MOS |
| транзистор-генератор тока | current source transistor |
| транзистор с высокой повышенной подвижностью электронов | high electron mobility transistor |
| транзистор с горизонтальным расположением рабочих областей | lateral transistor |
| транзистор с инжекцией заряда | charge-injection transistor |
| транзистор с отделённым перегородкой эмиттером | walled-emitter structure |
| транзистор с «приподнятыми» выводами | lifted lead transistor (для крепления к подложке гибридной ИС) |
| транзистор с растеканием заряда | charge-flow transistor |
| транзистор со сверхпроводящей базой | superconductor-base transistor |
| транзистор, состоящий из одной молекулы | single-molecule transistor (Alex_Odeychuk) |
| «утягивающий вверх» транзистор | pullup transistor |
| «утягивающий вниз» транзистор | pulldown transistor |
| фотодиод с предусилителем на полевом транзисторе | monolithic PD/FET photoreceiver |
| электронная схема, содержащая радиолампы и транзисторы | hybrid |
