| Russian | English |
| горячая ионная имплантация | hot ion implantation (в горячую подложку) |
| двойная ионная имплантация | double-ion implantation |
| двукратная ионная имплантация | double-ion implantation |
| ионная имплантация | ion implantation doping |
| ионная имплантация | implantation process |
| ионная имплантация | ion implantation |
| ионная имплантация | ion-implantation process |
| ионная имплантация | implantation |
| ионная имплантация | implantation doping |
| ионная имплантация | implant |
| ионная имплантация | ion-beam implantation |
| ионная имплантация | implant doping |
| ионная имплантация с самосовмещением | self-aligned ion implantation |
| ионная имплантация через защитный слой оксида | field-oxide implantation |
| ионная имплантация через защитный слой оксида | field implantation |
| ионная имплантация через маску | masked ion implantation |
| локальная ионная имплантация | localized implantation |
| локальная ионная имплантация | local implantation |
| метод оксидной изоляции с использованием ионной имплантации | ion-implanted oxide isolated process |
| многократная ионная имплантация | multiple implantation |
| n-МОП интегральная схема, выполненная методом ионной имплантации | ion-implanted n-type MOS (IIN MOS) |
| МОП-структура, изготовленная методом двойной ионной имплантации | double-implanted MOS |
| МОП-структура, изготовленная методом ионной имплантации | ion-metal-oxide-semiconductor |
| МОП-структура, изготовленная методом ионной имплантации | ion implanted MOS |
| МОП-структура с ионной имплантацией | ion implanted MOS |
| МОП-структура с ионной имплантацией | ion-metal-oxide-semiconductor |
| МОП-структура с примесями, введенными методом ионной имплантации | ion implanted MOS |
| МОП-структура с примесями, введенными методом ионной имплантации | ion-metal-oxide-semiconductor |
| МОП-структура, формируемая методом двойной ионной имплантации | double-implanted MOS |
| МОП-структура, формируемая методом ионной имплантации | ion-implanted MOS |
| мощная установка ионной имплантации | high-current implantation |
| однократная ионная имплантация | single-ion implantation |
| отжиг после ионной имплантации | ion-implantation annealing |
| полевой МОП-транзистор, изготовленный методом двойной ионной имплантации | double-implanted metal-oxide-semiconductor field-effect transistor |
| постоянное запоминающее устройство, изготовленное методом ионной имплантации | ion-implanted ROM |
| р-МОП ИС, выполненная методом ионной имплантации | ion-implanted p-type MOS (IIP MOS) |
| сильноточная установка ионной имплантации | high-current implantation |
| система управления ионной имплантацией | ion implantation management system |
| структура, формируемая методом ионной имплантации | ion-implanted structure |
| технология ионной имплантации | ion implantation technique |
| транзистор, изготовленный методом ионной имплантации | ion-implanted transistor |
| транзистор с базой, выполненной методом ионной имплантации | ion-implanted base transistor |
| установка ионной имплантации | ion-beam implantation |
| установка ионной имплантации | ion implantation |
| установка ионной имплантации | implanter |
