| Russian | English |
| быстродействие ячейки как функция ёмкости нагрузки и времени нарастания спада входного сигнала для двух различных напряжений питания и рабочих температур | the performance of the cell as a function of the load capacitance and the input-risefall time for two different supply voltages and operating temperatures (см. Digital Integrated Circuits – A Design Perspective 2/e by Jan M. Rabaey, Anantha Chandrakasan, Borivoje Nikolić 2003 ssn) |
| время нарастания | transition times (тактового сигнала ssn) |
| время нарастания | pulse building-up period (импульса) |
| время нарастания | built-up time |
| время нарастания спада входного сигнала | input-risefall time (ssn) |
| время нарастания входного сигнала | input rise time (ssn) |
| время нарастания по управляющему электроду | gate-controlled rise time |
| время нарастания тактового сигнала | clock transition time (ssn) |
| дискриминатор импульсов по времени нарастания | pulse rise-time discriminator |
| длительность время нарастания импульса | leading-edge time |
| длительность время нарастания импульса | pulse rise time |
| длительность время нарастания импульса | pulse leading-edge time |
| длительность время нарастания импульса | rise time |
| длительность время нарастания импульса | build-up time |
| коэффициент нарастания | incr |
| коэффициент нарастания | increment |
| коэффициент нарастания | growth factor |
| коэффициент нарастания объёмного заряда | space-charge growth factor |
| коэффициент нарастания Тейлора | Taylor buildup factor |
| кривая нарастания | growth curve (напр. тока) |
| критическая скорость нарастания возбуждения | critical buildup speed |
| критическая скорость нарастания напряжения в закрытом состоянии | critical rate of rise of off-slate voltage |
| критическая скорость нарастания напряжения в закрытом состоянии тиристора | critical rate of rise of off-state voltage |
| критическая скорость нарастания тока в открытом состоянии | critical rate of rise of on-state current |
| критическая скорость нарастания тока в открытом состоянии тиристора | critical rate of rise of on-state current |
| максимальная скорость нарастания выходного напряжения | slew rate (операционного усилителя) |
| максимально допустимая скорость нарастания напряжения | dvdt limit |
| максимально допустимая скорость нарастания напряжения в закрытом состоянии | dvdt capability |
| максимально допустимая скорость нарастания напряжения в закрытом состоянии | dv/dt capability (тиристора) |
| максимально допустимая скорость нарастания тока | didt limit |
| максимально допустимая скорость нарастания тока в открытом состоянии | didt capability |
| максимально допустимая скорость нарастания тока в открытом состоянии | di/dt capability (тиристора) |
| нарастание волны | growth of wave |
| нарастание выходного напряжения | slew (Srakandaev) |
| нарастание нагрузки | load pickup |
| нарастание напряжения | voltage build-up |
| нарастание тактового импульса | clock transition (ssn) |
| нарастание тактового сигнала | clock transition (ssn) |
| нарастание уровня громкости | background fade-in |
| нарастание яркости | build-up of luminance |
| начальная скорость нарастания напряжения возбуждения | initial response of excitation system response |
| недеструктивная максимальная скорость нарастания тока | nondestructive didt limit |
| операционный усилитель с высокой скоростью нарастания выходного сигнала | high-slew-rate operational amplifier |
| отказ, обусловленный превышением максимально допустимой скорости нарастания | DVDT failure |
| отказ, обусловленный превышением максимально допустимой скорости нарастания | gate-triggered dvdt failure |
| отказ, обусловленный превышением максимально допустимой скорости нарастания | gate-triggered didt failure |
| отказ, обусловленный превышением максимально допустимой скорости нарастания | DIDT failure |
| отказ, обусловленный превышением максимально допустимой скорости нарастания напряжения | dv/dt failure (в тиристорах) |
| отказ, обусловленный превышением максимально допустимой скорости нарастания напряжения управляющего электрода | gate-triggered dv/dt failure (в тиристорах) |
| отказ, обусловленный превышением максимально допустимой скорости нарастания тока | di/dt failure (в тиристорах) |
| отказ, обусловленный превышением максимально допустимой скорости нарастания тока управляющего электрода | gate-triggered di/dt failure (в тиристорах) |
| Параметрами являются ёмкость нагрузки и время нарастания спада входного сигнала | the parameters are the load capacitance and the input risefall time (см. Digital Integrated Circuits – A Design Perspective 2/e by Jan M. Rabaey, Anantha Chandrakasan, Borivoje Nikolić 2003) |
| переключение тиристора при превышении максимально допустимой скорости нарастания напряжения | dv/dt triggering (ssn) |
| переключение тиристора при превышении максимально допустимой скорости нарастания тока | di/dt triggering (ssn) |
| периоды нарастания и спада | rise and fall times (импульса ssn) |
| постоянная времени нарастания импульса | time constant of pulse rise |
| постоянная времени нарастания импульса | pulse-rise time constant |
| реальная скорость нарастания | real escalation rate |
| реле скорости нарастания | surge relay (напр. тока) |
| реле скорости нарастания | rate-of-rise relay (напр. тока) |
| скорость нарастания | growth rate |
| скорость нарастания | steepness |
| скорость нарастания нагрузки | speed of loading |
| скорость нарастания напряжения | rate of voltage rise |
| скорость нарастания напряжения в закрытом состоянии тиристора | time rate of rise of off-state voltage |
| ёмкость нагрузки и время нарастания спада входного сигнала | load capacitance and the input risefall time (ssn) |
