| English | Russian |
| adjustable threshold MOS | МОП прибор с регулируемым порогом |
| aluminium-gate MOS IC | МОП ИС с алюминиевыми затворами |
| aluminium-gate MOS integrated circuit | ИС на МОП-структурах с алюминиевыми затворами |
| aluminum-gate MOS device | МОП-прибор с алюминиевым затвором |
| aluminum-gate MOS IC | МОП ИС с алюминиевыми затворами |
| aluminum-gate MOS integrated circuit | МОП ИС с алюминиевыми затворами |
| aluminum-gate MOS integrated circuit | ИС на МОП-структурах с алюминиевыми затворами |
| anodized MOS field effect transistor | полевой МОП транзистор, в котором изолирующий окисел затвора получен методом анодирования |
| array of MOS capacitors | матрица МОП-конденсаторов |
| avalanche-injection stacked gate mos | лавинно-инжекционная МОП-структура с многоуровневыми затворами |
| back-gate mos | МОП-структура с нижним затвором |
| back-gate MOS | МОП-структура, в которой затвор располагается с обратной стороны кристалла |
| backgate MOS-transistor | МОП-транзистор с нижним затвором |
| beam addressed MOS | МОП структура, на которой регистрация и считывание информации осуществляется с помощью электронного луча |
| bi MOS | биполярная МОП-структура |
| bi-MOS | комбинированная технология изготовления ИС на биполярных и МОП-транзисторах |
| bi-MOS | прибор на биполярных и МОП-транзисторах |
| bi-mos device | ИС, изготовленная по биполярной и МОП-технологии |
| bipolar-MOS | технология изготовления аналоговых ИС, по которой на одном кристалле размещаются биполярные и МОП транзисторы |
| bipolar-mos device | прибор на биполярных и МОП-транзисторах |
| bipolar mos technology | технология ИС на биполярных и МОП-транзисторах |
| buried channel MOS | МОП ИС со "скрытым" каналом |
| buried load logic MOS | логическая схема на полевом МОП транзисторе со "скрытыми" слоями |
| buried oxide MOS | МОП структура со скрытым окисным слоем |
| buried-channel mos | МОП-структура со скрытым каналом |
| C2MOS | тактируемая ИС на КМОП-структурах (ssn) |
| C MOS | КМОП-структура |
| C2MOS | тактируемая КМОП ИС (ssn) |
| C2MOS | тактируемая КМОП-схема (clocked complementary metal-oxide-semiconductor ssn) |
| C2MOS — a clock-skew insensitive approach | Тактируемая КМОП-схема – подход, нечувствительный к расфазировке (ssn) |
| C2MOS a clock-skew insensitive approach | Тактируемая КМОП-схема – подход, нечувствительный к расфазировке (ssn) |
| closed c-mos logic | кольцевые логические схемы на комплементарных МОП-транзисторах |
| complementary MOS | комплементарная дополняющая МОП-структура |
| complementary MOS | технология изготовления комплементарных МОП-схем |
| complementary MOS device | прибор на комплементарных МОП-структурах |
| complementary MOS IC | ИС на КМОП-структурах |
| complementary MOS IC | КМОП ИС |
| complementary MOS IC | ИС на комплементарных МОП-структурах |
| complementary MOS integrated circuit | ИС на комплементарных структурах металл-оксид-полупроводник |
| complementary MOS integrated circuit | КМОП ИС |
| complementary MOS integrated circuit | ИС на дополняющих структурах металл-оксид-полупроводник |
| complementary MOS integrated circuit | ИС на КМОП-структурах |
| complementary MOS integrated circuit | ИС на комплементарных МОП-структурах |
| complementary MOS integrated-circuit device | ИС на комплементарных МОП-структурах |
| complementary MOS/silicon-on-sapphire | ИС на сапфировой подложке, содержащая комплементарные МОП транзисторы |
| complementary symmetry MOS | симметричный вариант структуры CMOS |
| complementary symmetry MOS IC | ИС на КМОП-структурах |
| complementary symmetry MOS IC | КМОП ИС |
| complementary symmetry MOS IC | ИС на комплементарных МОП-структурах |
| complementary symmetry MOS integrated circuit | ИС на КМОП-структурах |
| complementary symmetry MOS integrated circuit | КМОП ИС |
| complementary symmetry MOS integrated circuit | ИС на комплементарных МОП-структурах |
| composite-gate mos structure | МОП-структура с многоуровневыми затворами |
| D MOS | МОП-структура, изготовленная методом двойной диффузии |
| d-mos device | полученный методом двойной диффузии |
| d-mos device | прибор на МОП-структурах |
| D-MOS transistor | МОП-транзистор, изготовленный методом двойной диффузии (ssn) |
| D-MOS transistor | двухдиффузионный МОП-транзистор (ssn) |
| D-MOS transistor | транзистор с МОП-структурой, изготовленный методом двойной диффузии (ssn) |
| dielectric-isolated mos | МОП-структура с диэлектрической изоляцией |
| diffused MOS | диффузионная МОП ИС |
| double implanted MOS | МОП структура, изготовленная методом двойной имплантации |
| double poly mos process | технология МОП ИС с двухуровневыми поликремниевыми затворами |
| double-diffused MOS | МОП-структура с двойной диффузией |
| double-diffused MOS | МОП структура, формируемая двойной диффузией |
| double-diffused MOS transistor | транзистор с МОП-структурой, изготовленный методом двойной диффузии (ssn) |
| double-diffusion MOS | МОП-структура, изготовленная методом двойной диффузии |
| double-diffusion MOS technology | технология изготовления МОП структур методом двойной диффузии |
| double-implanted MOS | МОП-структура сформированная двойной ионной имплантацией |
| dual-injection floating-gate MOS | МОП-структура с биполярной инжекцией и плавающим затвором |
| dual-injection MOS | МОП-структура с биполярной инжекцией |
| dual-injector floating gate MOS | технология изготовления энергонезависимого ЗУ на МОП транзисторах с плавающим затвором и лавинной инжекцией электронов через окисел затвора от специального диода |
| dynamic complementary MOS | динамические комплементарные МОП ИС |
| elementary mos device | дискретный МОП-прибор |
| elementary MOS device | элементарный МОП-прибор (напр. МОП-конденсатор) |
| enhancement/depletion mos | МОП-структура на транзисторах, работающих в режимах обогащения и обеднения |
| FA MOS | лавинно-инжекционная МОП-структура с плавающим затвором |
| floating-gate avalanche-injection mos | лавинно-инжекционная МОП-структура с плавающим затвором |
| floating-gate avalanche-injection MOS structure | МОП-структура с плавающим затвором и лавинной инжекцией (FAMOS structure ssn) |
| floating-gate avalanche-injection MOS structure | структура металл-оксид-полупроводник с плавающим затвором и лавинной инжекцией (FAMOS structure ssn) |
| floating-gate avalanche-injection MOS transistor | лавинно-инжекционный МОП-транзистор с плавающим затвором |
| floating-gate mos | МОП-структура с плавающим затворам |
| gate-injection mos | МОП-структура с инжекционным затвором |
| grooved-gate mos-transistor | МОП-транзистор с v-образным затвором |
| high density complementary MOS | комплементарная МОП-схема с высокой плотностью размещения элементов |
| high performance MOS | МОП структура с улучшенными характеристиками |
| high-density MOS | МОП-структура с высокой плотностью упаковки |
| high-performance MOS | МОП структура с высокими эксплуатационными характеристиками |
| high-performance MOS technology | технология производства высококачественных МОП-транзисторов |
| high-speed MOS | быстродействующая МОП-структура |
| ion implanted MOS | МОП прибор, полученный методом ионного легирования |
| ion implanted MOS | ионно-имплантированный МОП прибор |
| ion implanted mos device | полученный ионной имплантацией МОП-прибор |
| ion-implanted mos | ионно-имплантированная МОП ИС |
| ion-implanted MOS circuit | ионно-имплантированная схема на МОП-структурах |
| ion-implanted MOS IC | ионно-имплантированная ИС на МОП-структурах |
| ion-implanted MOS integrated circuit | ионно-имплантированная ИС на МОП-структурах |
| isolated-gate mos | МОП-структура с изолированным затвором |
| lateral double-diffused MOS | транзистор с двойной диффузией, имеющий поперечную структуру |
| local oxidation MOS | МОП структура, изготовленная с применением локального окисления |
| logic device in the MOS technology | логическое устройство, реализованное по МОП-технологии (ssn) |
| logic devices in the MOS technology | логические устройства, реализованные по МОП-технологии (ssn) |
| metal-gate MOS device | МОП-прибор с металлическим затвором |
| MOS array | БИС на МОП структуре |
| MOS array | МОП БИС |
| MOS array | матрица на МОП-структурах |
| MOS capacitor | МОП конденсатор |
| MOS capacitor | конденсатор со структурой металл-оксид-полупроводник |
| MOS cell | ячейка на МОП-структурах |
| MOS chip | МОП ИС |
| MOS chip | ИС на МОП-транзисторах |
| MOS chip | кристалл с МОП-структурой |
| MOS circuit | МОП ИС |
| MOS circuit | ИС на структурах металл-оксид-полупроводник |
| MOS circuit | ИС на МОП-структурах |
| MOS-controlled thyristor | тиристор с управляющей МОП-структурой |
| MOS device | прибор на структуре металл-оксид-полупроводник |
| MOS device | МОП-устройство (ssn) |
| MOS device | прибор на структурах металл-оксид-полупроводник |
| MOS devices | МОП-устройства (ssn) |
| MOS diode | диод со структурой металл-оксид-кремний |
| MOS diode | МОП-диод |
| MOS FF | МОП-триггер (ssn) |
| MOS FF | триггер на МОП-структурах (ssn) |
| MOS flip flop | триггер на МОП-структурах (ssn) |
| MOS flip flop | МОП-триггер (ssn) |
| MOS flipflop | МОП-триггер (ssn) |
| MOS flipflop | триггер на МОП-структурах (ssn) |
| MOS flip-flop | МОП-триггер (ssn) |
| MOS gate | затвор МОП-структуры |
| MOS IC | МОП ИС |
| MOS IC | ИС на МОП-структурах |
| MOS insulated-gate field-effect transistor | полевой МОП-транзистор с изолированным затвором |
| MOS integrated circuit | ИС на МОП-структурах |
| MOS integrated circuit | ИС на структурах металл-оксид-кремний |
| MOS integrated circuit | МОП ИС |
| MOS integrated circuit | ИС на структурах металл-оксид-полупроводник |
| MOS neuristor line | нейристорная линия на МОП-транзисторах |
| MOS-on-sapphire IC | МОП ИС типа "кремний на сапфире" |
| MOS-on-sapphire integrated circuit | МОП ИС типа "кремний на сапфире" |
| MOS-on-sapphire integrated circuit | ИС на структурах металл-оксид-кремний-сапфир |
| MOS processor | процессор на МОП-структурах |
| MOS resistor | МОП-резистор |
| MOS resistor | резистор на МОП-структуре |
| MOS transistor | МОП транзистор |
| most logic devices in the MOS technology | большинство логических устройств, реализованных по МОП-технологии (ssn) |
| multi-drain MOS | многостоковые МОП структуры |
| multiple-gate MOS transistor | многозатворный МОП-транзистор |
| n MOS | МОП-структура с каналом n-типа |
| n MOS | n-канальная МОП-структура |
| n-channel logic MOS IC | логическая МОП ИС с каналами n-типа |
| n-channel logic MOS integrated circuit | логическая МОП ИС с каналами n-типа |
| n-channel MOS | n-канальная МОП структура |
| n-channel mos | МОП-структура с каналом n-типа |
| n-channel MOS | МОП-структура с каналом n-типа (abbr. NMOS) |
| p MOS | МОП-структура с каналом p-типа |
| p MOS | p-канальная МОП-структура |
| parasitic capacitors associated with MOS devices | паразитные конденсаторы, связанные с МОП-устройствами (ssn) |
| p-channel logic MOS IC | логическая МОП ИС с каналами p-типа |
| p-channel logic MOS integrated circuit | логическая МОП ИС с каналами p-типа |
| p-channel MOS | МОП-структура с каналом p-типа (abbr. PMOS) |
| p-channel MOS | p-канальная МОП структура |
| p-channel MOS | МОП-структура с каналом р-типа |
| p-channel MOS device | p-канальный прибор на МОП-структуре |
| Pd-gate MOS transistor | МОП-транзистор с палладиевым затвором |
| polysilicon source and drain MOS transistor | МОП транзистор, в котором области истока и стока выполнены из поликремния |
| principle of temporary charge storage on parasitic capacitors associated with MOS devices | принцип временного накопления заряда на паразитных конденсаторах, связанных с МОП-устройствами (ssn) |
| refractory gate MOS | разновидность МОП структуры, отличающаяся высокой нагревостойкостью |
| self-aligned gate MOS | МОП структура с самосовмещёнными затворами |
| self-aligned refractory MOS | структура RMOS см., изготовленная по технологии с самосовмещением |
| silicon gate MOS | МОП прибор с кремниевым затвором |
| silicon gate MOS memory device | ЗУ на МОП-приборах с кремниевым затвором |
| silicon-gate MOS IC | МОП ИС с кремниевыми затворами |
| silicon-gate MOS integrated circuit | МОП ИС с кремниевыми затворами |
| silicon-gate MOS memory device | ЗУ на МОП-транзисторах с кремниевыми затворами |
| silicon-on- sapphire complementary MOS | комплементарная МОП структура на сапфировой подложке |
| stacked-gate avalanche-injection MOS | МОП структура лавинно-инжекционного типа с пакетным наборным затвором |
| v MOS | МОП-структура с и-образной канавкой |
| v-mos device | МОП-прибор с и-образной канавкой |
| V-MOS device | МОП-транзистор с V-образной канавкой |
| v-mos transistor | МОП-транзистор с и-образной канавкой |
| vertical double-diffused MOS | МОП транзистор с вертикальной структурой, изготовленный способом двойной диффузии |
| vertical-channel V-groove MOS | МОП ИС с вертикальными каналами и V-образными канавками |
| V-groove MOS | МОП структура с канавками V-образного профиля |
| v-groove MOS | МОП-структура с и-образной канавкой |
| V-groove MOS device | МОП-транзистор с V-образной канавкой |
| v-groove MOS gate | логический элемент на МОП-транзисторах с и-образными канавками |
| V-groove MOS gate | логический элемент на МОП-транзисторах с V-образными канавками |
