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| Abbildung von Schaltkreisstrukturen auf Halbleitersubstraten | circuit pattern image formation on semiconductor substrates |
| Abfrage von Speicherplätzen | scan of memory locations |
| Abhängigkeit von der Gatespannung | dependency upon gate voltage |
| Ablagerung von Sauerstoff im Material des Siliziumwafers | precipitation of oxygen in the bulk of the silicon wafer |
| Ablauf von Ereignissen | sequence of events |
| Ablenkfeld von 1 mm Kantenlänge | 1-mm-square deflection field |
| Abstand des Wafers von der besten Fokusebene | distance of the wafer from the plane of best focus |
| Abstand von Maske zu Substrat | mask-sample gap |
| Abstand von Wafer zu Röntgenquelle | distance from wafer to X-ray source |
| Abweichung des Wafers von der idealen Lage | misplacement of the wafer from ideal |
| Abweichung von der normalen Befehls folge | jump (s.a. branch) |
| Abwicklung von Echtzeitaufgaben | handling of real-time tasks |
| Alphateilchenemission von Keramikgehäusen | ceramic package alpha emission |
| Alterung von Selengleichrichtern | aging of selenium rectifiers |
| an eine große Zahl von Gattern verteilen | distribute to a large number of gates |
| Aneinanderfügen von Strukturfeldern | field stitching |
| Aneinanderreihen von Unterfeldern | butting of subfields |
| Aneinandersetzung von Unterfeldern | butting of subfields |
| Anlagen mit beliebiger Kombination von Kontrollparametern zusammenstellen | configure systems with any combination of test features |
| Anlagen von Forschungs- und Entwicklungslabors | R & D-size systems |
| Anlagerung von Sauerstoff im Material des Siliziumwafers | precipitation of oxygen in the bulk of the silicon wafer |
| Anordnung mit einem Rastermaß von 0,1 mm | array having 0.1 mm pitch between diameters |
| Anordnung mit 128 Fotodioden im Rastermaß von 0,1 mm | array with 128 photodiodes on 0.1 mm pitch |
| Anordnung von Teilen eines Maschinenbefehls | arrangement of parts of a computer instruction |
| Anpassung von Transistoren | matching of transistors |
| Anpassungsfähigkeit von Mikroprozessoren | microprocessor adaptability |
| Anschluß von Fremdgeräten | foreign attachment |
| Anschlußleitungslänge von Chip zu Chip | chip-to-chip lead run length |
| Anteil der von Elektronen besetzten Haftstellen | fraction of traps occupied by electrons |
| Arbeitskopien von der Originalschablone herstellen | produce working copies from the master mask |
| auf einen Sondendurchmesser von 10 Ä verkleinern | demagnify to a probe of 10 Ä |
| auf Justierfehler von annähernd Null zulaufen | converge on near-zero alignment errors |
| Aufgebot von Prüfgeräten | array of test instruments |
| auflösbare Linienbreite von 1 μm | resolvable feature size of 1 μm |
| Auflösung von Mikrostrukturen | fine line resolution |
| Auflösung von Resiststrukturen bis in den Submikrometerbereich | definition of resist patterns down to submicron dimensions |
| Auflösungsverhältnis von belichtetem zu unbelichtetem Positivresist | dissolution ratio of exposed to unexposed positive photoresist |
| Aufnahme von Störsignalquellen | pickup from unwanted signal sources |
| Auftreten von Raumladungseffekten | occurrence of space charge effects |
| Ausdruck von Daten auf Papier | hang-copy printout |
| Ausfließen von Glas | bleed-out of glass (z. B. auf einem Substrat) |
| Ausgangsfächerung von zehn | fan-out of ten |
| Ausheilen von Frenkel-Defekten durch Strahlung | radiation annealing of Frenkel defects |
| Ausheilen von Gitterfehlem | annealing of imperfections |
| Ausheilung von Stapelfehlern | stacking fault annihilation |
| Auslesen von einer Konsole | console output |
| Ausrichtung von Chip und Substrat | chip-to-substrate alignment |
| Aussonderung aus einer Reihe von Qualifikationsprüfungen | fallout from a series of qualification tests |
| Austausch von Daten | data exchange |
| Auswertung von Meßdaten | analysis of measured data |
| Automatikbonden von Chips auf Hybridsubstrate | tape-automated bonding of chips to hybrid substrates |
| automatische Montage unter Verwendung von Zwischenträgerfilm | tape automated assembly (Folienbondverfahren) |
| Automatisierung von Teilen des Schablonenfertigungsprozesses | automation of portions of the mask making process |
| Baustein für parallele Ein- und Ausgabe von Daten | parallel input-output controller |
| Befehl zur Verfolgung von Befehlen | instruction-trace command |
| bei Taktfrequenzen von 1 bis 3 GHz arbeiten | operate at clock frequencies of one to three GHz |
| Belichtungszeit von etwa einer Minute | exposure time on the order of a minute |
| Bereitstellung von Betriebsmitteln auf Anforderung | provision of resources on demand |
| bester Ausgleich von sieben Punkten auf dem Wafer in bezug auf die ideale Fokusebene | r.m.s. best fitting of seven points on the wafer to the ideal focal plane |
| Bild von 5 mm × 5 mm | 5-mm-square image |
| Bildfeldgröße von 5 mm × 5 mm | 5-mm-square lens field |
| Bildschirmanzeige von Mitteilungen | cathode-ray tube message display |
| Bildung von Ladungsträgern | generation of carriers |
| Bildung von Strukturelementen im 1-pm-Bereich | formation of features in the 1 μm range |
| Binärlogik von Rechnern | binary logic of Computers |
| Binärzahl von besonderer Bedeutung | binary number of particular significance |
| bis zu acht Chips in einem Baustein von 1 Quadratzoll kapseln | package up to eight chips within a 1 in. square module |
| Blockbildung von Sätzen | record blocking |
| Bonden von Chipelementen | bonding of chip devices |
| Bondzeit von 0,3 s | thermode dwell time of 0.3 s |
| breite von p-Kanaltransistoren | channel width of p-channel transistors |
| Bruchfestigkeit von Wafern | fracture strength of wafers |
| Chipgröße von 10 mm x 10 mm | die size of 10 millimetres on a side |
| Computersteuerung von Elektronenstrahlen für maskenlose Strukturherstellung | computer control of electron beams for maskless fabrication |
| Darstellung von Befehlen in Symbolform | representation of instructions in symbolic form |
| das Belichtungsmuster in eine Reihe von Elementarfiguren zerlegen | decompose the pattern into a number of elements |
| das Bild von der Maske auf den Fotolack projizieren | project the image from a mask onto a photosensitive resist |
| das Eindringen von Feuchtigkeit in eine Steckverbindung verhindern | prevent moisture from entering into a connector |
| das Resist in einem Abstand von wenigen Mikrometern von der Maske positionieren | position the resist within a few micrometres of the mask |
| Daten von einem externen Gerät unmittelbar übernehmen | accept data from an external device immediately |
| Daten von einem verschlüsselten Format in ein anderes umwandeln | alter data from one coded format to another |
| Daten von Hand eingeben | enter data by hand |
| Datenumwandlung von der äußeren Darstellung | data transformation from the external representation |
| den Elektronenstrahl rasterförmig über ein Feld von 64 μm × 64 μm ablenken | deflect the electron beam in a raster over a 64μm square field |
| den Koordinatentisch mit einer Genauigkeit von 0,01 μm positionieren | position the X-Y stage with an accuracy of 0.01 μm (einstellen) |
| den Mikrocomputer von zeitraubenden Aufgaben befreien | relieve the microcomputer of time-consuming tasks |
| den Strahl rasterartig über eine quadratische Fläche von 128² Bildelementen führen | raster-scan the beam over a 128-by-128 pixel area |
| den Verarbeitungsrechner von zeitraubenden Eingabe-Ausgabe-Arbeiten befreien | relieve the host of time-consuming I-O chores |
| den von verschiedenen Sensoren ausgehenden digitalen Datenstrom aufnehmen | take in the digital data stream issuing from various sensors |
| den Waferheizer von beiden Seiten zugleich beheizen | heat the susceptor from both sides at once |
| den Zustand von Steuerleitungen erhalten | retain the state of control lines |
| die Chipverlustleistung von 0,5 W nur um 3 % erhöhen | increase the chip's 0.5 W power dissipation by only 3 % |
| die Erarbeitung von Problemlösungen unterstützen | assist in developing solutions to problems |
| die Etappe von der Entwicklung bis zum ersten Baumuster verkürzen | shorten the cycle from design to prototype |
| die Gateelektrode von dem leitenden Kanal isolieren | isolate the gate electrode from the conducting channel |
| die Gatelängen von 1 μm auf einige zehntel Mikrometer reduzieren | shrink gate lengths from 1 μm to a few tenths of a micrometre |
| die genaue Tischposition mit einer Toleranz von 1/8 bis 1/48 Wellenlänge eines Helium-Neon-Lasers bestimmen | determine exact stage position to tolerances ranging from 1/8 to 1/48 wavelength of a HeNe laser |
| die Größe von Defekten beurteilen | judge the size of imperfections |
| die Informationen von den vier Abfühlelementen mitteln | average the information from the four sensors |
| die Leistung um einen Faktor von nicht weniger als 10 steigern | boost performance by a factor of as much as 10 |
| die Leistung von Produktionsgeräten beurteilen | assess fabrication equipment performance |
| die logischen Verknüpfungen von Hand auf einem Layoutblatt zeichnen | lay out the logic configurations in pencil on a layout sheet |
| die Meßmarke mit einer Genauigkeit von 1/32 μm auffinden | find the fiducial mark with an accuracy of 1/32 micron |
| die Originalschablone direkt von den Magnetbandeingangsdaten herstellen | make the master mask directly from the magnetic tape input |
| die Projektionsoptik von alien Schwingungsquellen trennen | isolate the projection optics from all sources of vibration |
| die Qualität von Masken stichprobenartig prüfen | sample the quality of masks |
| die Qualität von Zulieferbauelementen überwachen | monitor the quality of vendor-supplied components |
| die Struktur aus einer Reihe von Retikelbildern zusammensetzen | photocompose the pattern from a number of reticle images (montieren) |
| die Struktur von der Maske auf den Wafer abbilden | replicate the pattern from the mask on the wafer |
| die Strukturdaten von einem Magnetband kopieren | copy the pattern data from a magnetic tape |
| die Strukturen bis zu einer Genauigkeit von etwa 0,2 Mikrometer positionieren | place geometries to an accuracy in the order of 0.2 micrometres |
| die Zentraleinheit von vielen Funktionen entlasten | offload the central processing unit from many functions |
| die Übertragung von Daten zwischen Rechnern ermöglichen | allow the transfer of data between computers |
| Dienstprogramme zur Unterstützung von Anwenderprogrammen | application support Utilities |
| dieselbe Gruppe von Speicherzellen zu verschiedenen Zeiten belegen | occupy the same group of storage locations at different times |
| Diffusion von der Vorderseite des Wafers in die Schicht | diffusion from front side of wafer into film |
| Diffusionsvermögen von Elektronen und Defektelektronen in der Basis | diffusivity of electrons and holes in the base |
| Direktbelichtung von Wafern | direct wafer exposure |
| Direktbelichtung von Wafern durch die Elektronenstrahlanlage | direct exposure of wafers by the electronbeam system |
| Direktherstellung von Mikrobausteinen | direct fabrication of microassemblies |
| Direktherstellung von Originalschablonen | direct production of mask masters (z. B. mit Elektronenstrahlen) |
| Direktherstellung von Originalschablonen | direct generation of master masks |
| Direktstrukturierung von Oxidschichten ohne ein Resist | direct structuring of oxide layers without any resist |
| Doppelreihe von versetzten Anschlüssen | dual row of staggered leads |
| Dualzahl von besonderer Bedeutung | binary number of particular significance |
| Durchbiegung von Halbleiterscheiben | deformation of wafers |
| Durchlaufen von periodischen Vorgängen | cycling |
| Durchtunnelung von Halbleiterübergängen | channelling of semiconductor junctions |
| Dutzende von Logikelementen in einer einzigen integrierten Schaltung vereinigen | consolidate dozens of logic elements into a single IC |
| ein bogenförmiges Bildfeld von 1 mm Breite rasterartig über den Wafer führen | scan an arc-shaped image field of 1 mm width across the wafer |
| ein hohes Maß von Reproduzierbarkeit gewähren | provide a high degree of reproducibility |
| ein Protokoll von alien Anforderungen erhalten | keep a log of all requests |
| Einbau on von Fremdatomen während der Kristallzüchtung | incorporation of the impurity during crystal growth |
| Einbau von Donatoren | donor addition |
| Einbau von Fremdatomen | dopant incorporation |
| Einbau von stark absorbierenden Chloratomen im Resist | incorporation of strongly absorbing chlorine atoms in the resist |
| eine Blase von einem Weg auf einen anderen steuern | steer a bubble from one path to another (Blasenspeicher) |
| eine Datei von einem Speichermedium auf ein anderes übertragen | copy a file from one medium to another |
| eine Folge von Strukturen aufbringen | impose a succession of patterns |
| eine geringe Zahl von Störatomen in Silizium einbauen | incorporate a low quantity of impurity into silicon |
| eine größere Anzahl von Schaltungsfunktionen in einem einzelnen integrierten Schaltkreis ausführen | perform an increased number of circuit functions within a single IC |
| eine Reihe von Datensichtgeräten mit dem Zentralprozessor verbinden | connect a number of terminals to a central processor |
| eine Reihe von Programmschritten eintasten | key in a series of programming steps |
| eine Scheibe von einem Siliziumkristall trennen | slice a wafer from a crystal of silicon |
| eine stetig wachsende Zahl von kleineren Elementen auf ein Chip bringen | put ever increasing numbers of smaller devices on a chip |
| eine Struktur als eine Serie von Belichtungsstempeln unterschiedlicher Breite und Länge spezifizieren | specify a pattern as a series of flashes of varying widths and lengths |
| eine Verlustleistung von etwa 1 Watt haben | dissipate about 1 watt |
| eine Zählung von neuem einleiten | initiate a count again (beginnen) |
| einen Buszyklus von der Bussteuerlogik anfordern | request a bus cycle from the bus control logic |
| einen Durchsatz von 60 Wafern je Stunde erzielen | realize a throughput of 60 wafers per hour |
| einen Haufen von Einsen und Nullen eintasten | key in a flock of ones and zeroes |
| einen Strom von mindestens 3 mA entnehmen | sink at least 3 ma (ziehen) |
| einen vertikalen Übergang von der IC-Ebene zur Substratebene herstellen | make a vertical transition from the level of the IC to the level of the substrate |
| einen von zwei möglichen Zuständen annehmen | assume one of two possible states (z. B. 0 oder 1) |
| einen Wert für d/L von annähernd Eins ergeben | give a value of d/L very nearly unity |
| Einfang von Elektronen | electron capture |
| Einfügen von fehlenden Daten | swapping-in of missing data |
| Einfügung von Teststrukturen | test-pattern drop-in |
| Einfügung von Teststrukturen | test-pattern insertion |
| Einfügung von Teststrukturen | insertion of test patterns |
| Eingabe von einer Konsole | console input (z. B. eines Programms) |
| Eingangskapazität von Feldeffekttransistoren | input capacitance of field-effect transistors |
| eingefahrene und von Fehlern bereinigte Methoden verbessern | refine existing known and debugged techniques |
| Eingrenzung von ausbeutereduzierenden Fehlern | isolation of faults holding back the yield |
| Eingrenzung von Rechnerfehlern auf Leiterplattenebene | board-level isolation of mainframe failures |
| Eingriff von Seiten des Computers | intervention from the computer |
| Einhaltungstoleranz von 10 % der kleinsten Linienbreite | control tolerance of 10 % of the minimum line width |
| Einheit zur Erzeugung von Bussteuersignalen | bus controller |
| Einlesen von einer Konsole | console input (z. B. eines Programms) |
| Einschuß von Ionen | ion bombardment |
| Einspeichern von Daten in den Stapelspeicher | push |
| Elektroneninjektion von der Quelle | electron injection from source |
| elektronenoptisches Prinzip der Erzeugung von Flächenstrahlen | electron-optical principle of forming shaped square electron beams |
| Elektronenstrahlanlage für die Herstellung von Mikrostrukturen | electron-beam microfabrication equipment |
| Elektronenstrahlschreiben von Bauelementstrukturen im Submikrometerbereich | electron-beam delineation of submicron geometry devices |
| Empfang von Eingangsdaten | reception of input data |
| Entnahme von Daten | pop (aus dem Stapelspeicher) |
| entsprechende Hälften einer Reihe von Noniusteilungen | mating halves of an array of verniers |
| Entwicklung von Verunreinigungen | evolution of contaminants |
| Entzerrung von Signalen | signal reshaping |
| Entzerrung von Signalen | signal regeneration |
| epitaxiales Aufwachsen von Silizium auf Saphirsubstrat | regrowth of epitaxial silicon on sapphire substrate |
| Erfassen von kurzen Signalen | logging of transient signals |
| Erfassung von Alternativeingabeformaten | accommodation of alternate input formats |
| erweiterte Prozedur zur Steuerung von Datenübertragungen | advanced data communication control procedure |
| Erzeugung von Bindungen | formation of bonds (Vernetzung) |
| Erzeugung von Blasen bei geringen Vormagnetisierungsfeldstärken | bubble nucleation at low bias-field values |
| Erzeugung von Ladungsträgern | generation of carriers |
| Erzeugung von Mikrostrukturen | microdefinition |
| Expositionszeit von etwa einer Minute | exposure time on the order of a minute |
| Fan-out-Zahl von zehn | fan-out of ten |
| Farbvergrößerung von jeder Ebene | colour-barcode enlargement of each level |
| Fehlen von Anschlüssen | lack of leads |
| Fehlen von Direktadressierungsbefehlen | absence of direct addressing instructions |
| Fehlen von Rückstreueffekten | absence of backscattering effects |
| feinfokussierter Elektronenstrahl von 2000 Ä Durchmesser | finely focussed 2000 Ä diameter electron beam |
| Feststellung von Defekten | detection of imperfections |
| Feststellung von fehlerhaften Plazierungen im Entwurf | identification of misplacements in the design |
| Fließbandverarbeitung von Befehlsfolgen | pipelining (mit dem Ziel, höhere Geschwindigkeiten der Datenverarbeitung zu erzielen) |
| Fließbandverarbeitung von Befehlsfolgen | instruction pipelining (um höhere Arbeitsgeschwindigkeiten der Datenverarbeitung zu erzielen) |
| Flächenverhältnis von Chip zu Leiterplatte | area ratio of chip to PWB |
| Flächenverhältnis von Gehäuse zu Montageplatte | package-to-board area ratio |
| Fokus mit einem Nenndurchmesser von 8 nm | 8 nm nominal diameter spot (Elektronenstrahlmikroskopie) |
| Folge von Bits | string of bits |
| Folge von Einsen innerhalb eines Datenübertragungsblocks | string of ones within a frame |
| Folge von Mikrobefehlen | sequence of microinstructions |
| Folge von Signalen | burst |
| Folge von Temperaturzyklen | temperature-controlled sequence |
| Folge von Temperaturzyklen | sequence of temperature cycles |
| Folge von Waferbearbeitungsschritten | sequence of wafer processing steps |
| Folge von Zuständen | sequential series of states |
| Fortschritt von der manuellen Maskenherstellungsanlage zu Rechnern | progression from the manual photomask machine to computers |
| Gehäuse mit einer Reihe von Anschlüssen | single in-line package |
| Gehäuse nur einer Reihe von Anschlüssen | single in-line package |
| Gesamtjustierfehler von Schicht zu Schicht | overall alignment error from layer to layer |
| Gesichtsfeld von 5 mm × 5 mm | 5-mm-square field of view |
| Gettern von Störatomen | gettering of impurities |
| Gleichmäßigkeit der Belichtung in dem Feld von 1 cm² | exposure uniformity across the 1 cm² field |
| Globalbelichtung von Wafern | full-field exposure of wafers |
| Goldschicht von einer Dicke unter 1 μm | layer of gold less than a micrometre thick |
| Großserienherstellung von integrierten Schaltungen | mass production of integrated circuits |
| Grundtypen von Maskenjustier- und Belichtungsanlagen | basic types of mask aligners |
| Gruppe von Geräten | battery of instruments |
| Hardware für den Übergang von einer Aufgabe zur anderen | task-switching hardware |
| Herausfallen aus einer Reihe von Qualifikationsprüfungen | fallout from a series of qualification tests |
| Herstellung von Chips auf Filmband | fabrication of chips-on-tape |
| Herstellung von Fotoschablonen nach dem Step-und-Repeat-Verfahren | step-and-repeat generation of photomasks (mit schrittweiser Belichtung) |
| Herstellung von integrierten Bipolarschaltkreisen | bipolar IC processing |
| Herstellung von Originalfotoschablonen | generation of master photomasks |
| Herstellung von Originalfotoschablonen durch direkte Computersteuerung | fabrication of master photomasks directly from computer data |
| Herstellung von Retikeln als Zwischenschritt in der Maskenherstellung | generation of reticles as an intermediate step in producing masks |
| hierarchischer Aufbau einer funktionalen Struktur von unten nach oben | bottom-brazed-up implementation |
| Hinzufügen von Sätzen | addition of records |
| Härten von Negativresists | curing of negative resists |
| im Temperaturbereich von 0 bis 50 °C arbeiten | operate over the temperature range from 0 to 50 °C |
| Implantation von Borionen | implantation-doped of boron ions |
| in Abständen von 11,25 μm anordnen | accommodate on an 11.25-pm pitch |
| in eine Reihe von Streifen zerlegen | decompose into a number of stripes |
| in einem Winkel von 55° geneigt | inclined at an angle of 55 degrees |
| in einer regelmäßigen Anordnung von einheitlichen Bildern wiederholen | repeat into an array of unit images |
| in Stufen von 4 inkrementieren | increment in steps of 4 |
| in x-Richtung von einer Zeile zur nächsten fortschreiten | step in x-direction from one row to the next |
| Injektion von Löchern aus einer p⁺- in eine n-Zone | injection of holes from a p+ into an n-region |
| Injektion von Zwischengitteratomen | injection of interstitials |
| innere Arbeitsweise von Halbleiterbauelementen | internal operation of semiconductor devices |
| innere Arbeitsweise von Halbleiterbauelementen | inner workings of semiconductor devices |
| integrierte Schaltkreise mit Strukturbreiten von 2 μm herstellen | produce integrated circuits with 2 μm design rules |
| Ionenprojektionsanlage zur Herstellung von integrierten Schaltkreisen | ion projection system for production of ICs |
| jeden Staub von der Fokusebene fernhalten | keep any dust out of the plane of focus |
| Justage von Chip und Substrat | chip-to-substrate alignment |
| Justierfehler von annähernd Null | NDRO-zero alignment error |
| Justierfehler von Schicht zu Schicht | alignment error from layer to layer |
| Justiergenauigkeit von 0,1 μm | tenth-micron alignment precision |
| Justiermarke von Schwermetall | registration mark of heavy metal |
| Justierung von Ebene zu Ebene | interlevel alignment |
| Justierung von Maske zu Wafer | mask-to-wafer registration |
| Justierung von Substrat zu Maske | substrate-to-mask alignment |
| Justierungsanforderungen von etwa einem zehntel Mikrometer | alignment requirements near a tenth-micron |
| Kantenprofil von geätztem Einkristallsilizium | edge profile of etched single-crystal silicon |
| Kennzeichnung von Ausschußelementen | reject device identification |
| Kennzeichnung von Wafern | coding of wafers |
| Kette von Speicherzellen | string of memory cells |
| Klasse von Computern mit 15 Millionen Befehlen je Sekunde | 15 MIPS class |
| kleinste Strukturen von 0,5 μm schreiben | define minimum geometries of 0.5 μm (mit Elektronenstrahl) |
| kleinstmögliche Zahl von Operationen | fewest possible number of operations |
| Klettern von Versetzungen | climbing of dislocations |
| komplementäres Paar von - und p-Kanal-Transistoren | complementary pair of n- and p-channel transistors |
| Komplex von Programmen | program package |
| Kontaktbelichtung von einer Maske auf einen Wafer | contact printing from a mask to a wafer |
| Kontaktierung von Maske und Wafer vor der Belichtung | contacting of both mask and wafer before exposure |
| kontaktlose Herstellung von Bauelementen mit Linienbreiten von 3 μm | non-contact production of three micron design rule devices |
| Kontrolle der Abmessungen von Strukturen integrierter Schaltkreise | dimensional control of integrated circuit patterns |
| Kontrolle von Maske zu Maske | inter-mask check (der Schaltkreisstrukturen) |
| Kontrolle von Maskendefekten | inspection of photomask defects |
| scharfe Konturierung von Kontaktöffnungen | delineation of contact openings (z. B. durch reaktives Ionenätzen) |
| Konzentration von Zwischengitteratomen | interstitial concentration |
| Konzentration von Zwischengitteratomen | concentration of interstitials |
| Korrektur von Einflußfaktoren der Atmosphäre | environmental correction |
| Kurzschließen von normalerweise isolierten Zonen | shorting of normally isolated regions |
| Laserbohren von Kontaktlöchern | laser-annealed drilling of vias |
| Layout von Zellen | cell layout (Grundschaltungen) |
| Leiten von Nachrichten | message routing |
| Leuchtdiodenanzeige mit einer Matrix von 5 × 7 Punkten | five-by-seven-dot-matrix LED display |
| Linien im Abstand von 50 nm | lines on 50 nm pitch |
| Linien mit einem Abstand von 5 Mikrometer auflösen | resolve lines on 5 micron spacing |
| Linien und Abstände von 1 μm auflösen | resolve 1 μm lines and spaces |
| Linien von weitaus weniger als 1 μm Breite schreiben | draw lines much smaller than 1 μm (Elektronenstrahllithografie) |
| Linienbreite von annähernd einem Mikrometer | NDRO-micrometre line width |
| Lithografie für Strukturbreiten von 2,5 μm | 2.5-p.m lithography |
| logische Verknüpfung von zwei Zustandsvariablen | dyadic Boolean operation |
| lokale Oxydation von Silizium auf Saphir | local oxidation of silicon-on-sapphire |
| Lokaloxydation von Silizium | local oxidation of silicon (zur Isolation aktiver Bauelemente von hochintegrierten Si-Schaltkreisen) |
| μm Mikrolinienstrukturen in der Größenordnung von 1 pm | fine line geometries of the order of 1 |
| μm mikrolithografische Versetzungen in Inkrementen von 0,1 μm | microlithographic displacements in increments of 0.1 |
| μm regelmäßiger Abstand der Linien von 5 μm | line and space dimension pitch of 5 |
| μm Skalierungsbereich von 2 bis 12 μm | scaling range of 2 to 12 |
| μm Strukturbreiten in einem großen Variationsbereich von 1,5 μm bis 3,0 μm | features ranging from as small as 1.5 μm to as large as 3.0 |
| Massenbonden von Chips auf Film | mass-bonding of chips to film |
| Massenherstellung von integrierten Schaltkreisen | high-volume integrated circuit production |
| Matrix von Kreuzen | regular array of crosses |
| Matrix von Quadraten mit 1 mm Kantenlänge | array of one millimetre squares |
| Menge von Prüfgeräten | array of test instruments |
| Menü von Digitalisierungsmöglichkeiten | menu of digitizing options |
| Methode der Programmerstellung von der hierarchisch höchsten Programmkomponente schrittweise bis zur niedrigsten Ebene | top-down design |
| Methode der Programmerstellung von unten schrittweise bis zur höchsten Ebene | bottom-brazed-up design |
| Mikroabbildung von Schaltkreisstrukturen | microimaging of circuit patterns |
| Mikroherstellung von Submikrometerelementen durch Direktbelichtung | microfabrication of submicron devices by direct writing |
| Miniaturisierung von Schaltkreisen | shrinking of circuits |
| mit einem Wirkungsgrad von 90 % arbeiten | operate at an efficiency of 90% |
| mit einer Geschwindigkeit von 0,1 μm in jedem Bildfeld justieren | align to 0.1μm at each exposure field |
| mit einer inneren Taktfrequenz von 4 Megahertz arbeiten | run at an internal clock rate of 4 megahertz |
| mit einer Verkleinerung von 10:1 auf den Wafer abbilden | image with a demagnification of 10:1 onto a wafer |
| mit Schreibgeschwindigkeiten von 40 MHz arbeiten | run at writing rates of 40 MHz |
| Mittelwert von zehn Messungen | average of ten measurements |
| mittlerer Bedeckungsgrad von 30 % | average of 30 % coverage |
| Modulation von Eins | modulation of unity |
| Montage von Chip und Anschlußdraht | chip and wire assembly |
| Montage von hybriden Bauelementen | hybrid assembly |
| Montage von Teilschaltkreisen | assembly of subcircuits |
| Nachweis von Defekten | detection of imperfections |
| Nachweis von Prozeßabweichungen | detection of process deviations |
| Nachweis von Störimpulsen | detection of glitches |
| Nichtvorhandensein von Anschlüssen | lack of leads |
| optische Übertragung der gewünschten Abbildung von der Fotoschablone auf den Wafer | optical transfer of the desired imagery on the photomask to the wafer |
| parallele Verarbeitung von Teilaufgaben | multitasking |
| Parallelschaltung von Speicherbänken | bank switching |
| Parallelverschiebungskorrektur von Chip zu Chip | die-by-die translation correction |
| Programme von der hierarchisch höchsten Programmkomponente schrittweise bis zur niedrigsten Ebene erstellen | implement programs in a top-down manner |
| Programmübertragung von anderen Anlagen | program transfer from other machines |
| Projektion komplexer Fragmente von Schaltkreistopologien | character projection (Elektronenstrahl lithografie) |
| Präzisionsverkleinerung von 2:1 | precision two-to-one reduction |
| Prüfung von oben nach unten | top-down verification (in der Folge der Nachweisebenen eines Ablaufdiagramms) |
| Prüfung von unten nach oben | bottom-brazed-up verification (in einem Ablaufdiagramm) |
| Punktansteuerung von eingebauten Schaltungen | in-circuit pulse injection |
| quantitative Bewertung von Belichtungsanlagen | quantitative evaluation of printers |
| Rasterabstand der Linien von 50 nm | lines on 50 nm pitch |
| Reaktivität von Titan | reactivity of titanium |
| Rechenleistung von Mikroprozessoren | computing power of microprocessors |
| rechteckiger Querschnitt von variabler Größe und Form | rectangular cross section of variable size and shape |
| Rechtwinkligkeit von × zu y | squareness of × to y |
| Reflexionen von der Waferoberfläche abschwächen | attenuate reflections from the wafer surface |
| regelmäßige Anordnung von Strukturen endgültiger Größe | array of final-size patterns |
| Regenerieren von Signalen | signal reshaping |
| Regenerieren von Signalen | signal regeneration |
| Registrieren von kurzen Signalen | logging of transient signals |
| Reihe von Schaltkreiselementen | straight row of circuit elements (z. B. in einem Master-Slice) |
| Reihenfolge von Mikrobefehlen | sequence of microinstructions |
| reihenweise Anordnung von räumlich eng benachbarten MOS-Kondensatoren | linear array of closely spaced MOS capacitors |
| reproduzierbare Strukturen von Wafer zu Wafer erhalten | obtain reproducible geometries from wafer to wafer |
| Reproduzierbarkeit von Gerät zu Gerät | repeatability from machine-to-machine |
| Reproduzierbarkeit von Gerät zu Gerät in verschiedenen Laboratorien | interlaboratory reproducibility |
| Reproduzierbarkeit von Serie zu Serie | run to run repeatability |
| Reproduzierbarkeit von wiederholten Messungen | repeatability among successive measurements (z. B. an demselben Bauelement) |
| Reproduzierung von Strukturelementen bis in den Submikrometerbereich | replication of features down to the submicron size |
| röntgenografische Untersuchung von Halbleiterbauelementen | radiographic examination of semiconductor devices |
| Röntgenuntersuchung von Halbleiterbauelementen | radiographic examination of semiconductor devices |
| Rückstreuung von Primärelektronen | backscattering of primary electrons |
| Schaltkreis mit kleinsten Abmessungen von 1 μm | circuit with least dimensions of 1 μm |
| Schaltkreiselement von 0,2 μm Breite | circuit line of 0.2 μm width |
| Schaltkreisentwurf von der höchsten hierarchischen Ebene bis zur niedrigsten | top-down design of the chip |
| Schaltkreisstruktur mit Linienbreiten von etwa 3 pm | circuit pattern of about 3.0 micrometres |
| Scheiben von undotierten Einkristallkörpern schneiden | slice samples from undoped boules |
| Schicht von gleichmäßiger Dicke auf der gesamten Waferoberfläche | coating of uniform thickness across the entire wafer surface |
| Schichten von 0,5 μm Dicke aufschleudern | spin films of 0.5 μm thickness |
| Schmelztemperatur von Silizium | melting temperature of silicon |
| schnell Wärme in Oberflächenzonen von Siliziumwafern erzeugen | generate rapidly heat within surface regions of silicon wafers |
| schnelles Laden von Speichern | high-speed storage loading |
| Schreiben von VLSI-Strukturen auf Siliziumwafern | delineation of VLSI patterns on silicon wafers (Elektronenstrahllithografie) |
| Schutzschicht von Siliziumdioxid | protective coating of silicon dioxide |
| Schwankungen von Chip zu Chip | interchip variations |
| Schwellenspannungsverschiebung von weniger als 0,1 V | threshold shift of less than 0.1 V |
| Seitengröße von 256 Bits | page size of 256 bits |
| sich auf weniger als eine Lichtwellenlänge von der Maske erstrecken | extend to a distance less than a wavelength of light away from the mask |
| sich ergänzende Hälften einer Reihe von Noniusteilungen | mating halves of an array of verniers |
| sich im Verhältnis von 1/K verkleinern | scale as 1/K |
| sich in Stufen von 15° drehen | rotate at 15° angle increments |
| sich von einer Potentialmulde zur nächsten fortbewegen | move from one potential well to the next |
| sich von Zeile zu Zeile serpentinenartig bewegen | move from row to row in a serpentine pattern |
| Sicherheit einer erreichbaren Reproduzierbarkeit von ± 5% | assurance of obtaining ± 5% repeatability |
| Sichern und Wiederherstellen von Großspeicherinhalten | random-access dump and reload |
| skalierte Ausführung von MOS-Bauelementen | scaled version of MOS devices |
| Spalte von Einzelbildern | column of dice |
| Spalte von Speicherzellen | column of memory cells |
| Spannungsverstärkung von nahezu 1 | NDRO-unity voltage gain |
| Spezialbetrieb zur Herstellung von kundenspezifischen integrierten Schaltkreisen auf Siliziumchips | silicon foundry |
| statistische Verteilung von nicht unterscheidbaren Punktdefekten | random distribution of indistinguishable spot defects |
| Steg von 1 μm Breite | 1 μm-stripe |
| Steuerung von Dünnschichtspeichern | thin-film store control |
| Steuerung von Nachrichten | message queuing |
| Steuerung von Robotern mit Minicomputern und Sprache | robot mini-control and voice-response |
| Streuung von Datenpunkten | scatter of data points |
| Streuung von Sekundärelektronen in das Resist | straggling of secondary electrons into the resist |
| Stromverstärkung von Transistoren | beta gain of transistors |
| Stromverstärkungsfaktor von Transistoren | beta gain of transistors |
| Struktur mit Linienbreiten von 20 nm | pattern of 20 nm wide lines |
| Strukturen durch wiederholte Herstellung von Teilfeldern zusammensetzen | build up patterns by repeated generation of subfields |
| Strukturen im Bereich von 0,5 bis 1 μm | geometry in the 0.5-to-1 μm range |
| Strukturen von 1,0 μm oder mehr erfordern | require geometries of 1.0 μm or greater |
| Strukturierungsmöglichkeit ohne Verwendung von Resists | resistless patterning possibility |
| Strukturübertragung von der oberen Resistschicht auf die Siliziumnitridschicht z | pattern transfer from the top resist to the silicon nitride layer |
| Submikrometerauflösung in der Herstellung von höchstintegrierten Schaltkreisen | submicron resolution in the production of VLST circuits |
| Suche zur Wiederauffindung von Datensätzen | search to retrieve records |
| Teilsystem zum Lesen von Dokumenten | document reader subsystem |
| Testen von Chips auf dem Filmband | chip testing on the tape |
| Trennung von Donator-Akzeptor-Paaren | donor-acceptor pair separation |
| um einen Faktor von 0,8 skalieren | scale by a factor of 0.8 |
| Umschwung von Platinen zu Mikroschaltungen | shift from boards to microcircuits |
| Umspeicherung der Daten von Blockpuffern zum Schiebesystem | dumping of the data from block buffers to the shifter system |
| Umwandlung von Energie durch eine Sperrschichtfotozelle | photovoltaic energy conversion |
| ungenaue Überdeckung von Mehrschichtstrukturen | misregistration of multilayer patterns |
| ungerades Vielfaches von | odd multiple of |
| unter einem Winkel von 90° auf das Substrat treffen | strike the substrate at 90° |
| unter einem Winkel von 30° schrägbedampfen | shadow at an angle of 30° |
| unvorhergesehene Betriebsunterbrechung ohne Verlust von Informationen | orderly close-down |
| Verarbeitung von Jobferneingaben | remote job entry processing |
| Verarbeitungsleistung von Einchipcomputern | processing power of single chip computers |
| Verband von Einzelbildern auf einer Fotomaske | array of dice on a photomask |
| Verbindung entsprechender Kanäle von zwei Rechenanlagen | connection of appropriate channels of two computer systems |
| Verbindung von Kanälen | channel-to-channel connection |
| Verbindung von Strukturfeldern | field junction |
| Verfahren zur Herstellung von Wiederholstrukturen | step-and-repeat |
| Verfügbarkeit von etwa 90 % unter Produktionsbedingungen | availability approaching 90 % in a manufacturing environment |
| Verhältnis von belichteter Fläche zur Gesamtfläche | ratio of exposed area to total area (eines Chips) |
| Verhältnis von Chip zu Montagefläche | chip-to-board area ratio (auf der Leiterplatte) |
| Verhältnis von Durchmesser zu Dicke | diameter-to-thickness ratio |
| Verhältnis von Kanallänge zu Kanalbreite | channel length-to-width ratio |
| Verhältnis von Linienbreite zu Abstandsbreite | line-to-space ratio |
| Verhältnis von Strommaximum zu Stromminimum | peak-to-valley current ratio |
| Verhältnis von Tiefe zu Breite | depth-to-width ratio (von geätzten Kanälen) |
| verkleinerte Projektion von Einzelstrukturen direkt auf Wafer | reduction projection of individual patterns directly onto wafers |
| Verriegeln von Registern | register locking |
| Verschachtelung von Daten | interlacing of data |
| Verschachtelung von Unterbrechungen | nesting of interrupts (Interrupts innerhalb Interrupts) |
| Verschiebung von 0 bis 15 Stellen nach links | left shift of from 0 to 15 places |
| Verschiebung von Koordinatenpositionen | shifting of coordinate positions |
| Verschiebung von Wafer und Maske im Stop-and-go-Betrieb | stop-and-go wafer and mask displacement |
| Versetzung von der Strahlachse | offset from the beam axis |
| Vervielfältigung von Schablonen | reproduction of photomasks |
| verzahnter Ablauf von zwei Programmen | interleaved execution of two programs |
| Verzerrung von Kreisen zu Ovalstrukturen | distortion of circles to oval patterns |
| volle Eingangsspannung von +2 Volt | full-scale input of +2 volts |
| von 0 auf 1 springen | step to one (umschalten) |
| von dem betrachteten Bild das Bild einer benachbarten Struktur subtrahieren | subtract from the image in view the image of one adjacent pattern |
| von der Anlage getrennter Betrieb | off-line operation |
| von der Maskenstruktur kopieren | copy from the mask structure |
| von der Oberfläche wegdiffundieren | diffuse away from the surface |
| von der optischen Achse versetzt | offset from the optical axis |
| von derselben Quelle aus takten | clock from the same source |
| von einem anderen Programm aufgerufen | called by another program |
| von einem Magnetspeichermedium auslesen | read from a magnetic memory medium |
| von einer einzigen 5-V-Spannungsquelle gespeist | powered by a single 5-V supply |
| von einer einzigen 5-V-Spannungsquelle gespeist werden | operate off a single 5-V supply |
| von entgegengesetztem Vorzeichen | opposite in sign |
| von fester Länge | fixed in length |
| von H auf L abfallen | fall from high to low |
| von H auf L schalten | go low |
| von innen montiert | back-mounted |
| von L auf H schalten | go high |
| von +5- und + 25-V-Spannungsquellen gespeist werden | run off +5 and +25-V supplies |
| von Verunreinigungen befreien | scrub free of impurities (Halbleiterwafer) |
| von Zweitlieferanten hergestellt | second-sourced |
| von Zweitlieferanten hergestellter Mikroprozessor | second-source microprocessor |
| Vor- und Nachteile von | trade-off (between) |
| Zeit von der Belichtung bis zur Entstückung | expose to unload time |
| Zeit von der Bestükkung bis zur Belichtung | load to expose time |
| zeitliche Steuerung von Ereignissen | timing of events |
| Zugabe von Kupfer während der Aluminiumaufdampfung | addition of copper during the aluminium evaporation |
| Zugriff von außen | external access |
| Zuordnen von Zeitabschnitten | time slicing |
| zur Vermeidung von Kurzschlüssen genügend Abstand zur Chipkante halten | clear the chip edge sufficiently to prevent shorting |
| Zusammensetzen von Strukturfeldern | field stitching |
| Zusammensetzung von Teilschaltkreisen | assembly of subcircuits |
| Zusammenstellung von Blöcken aus einzelnen Datensätzen | creation of blocks from individual records |
| zwei parallele Reihen von Anschlußstiften | double parallel rows of pins (eines DIP-Gehäuses) |
| zwei 4 stellige Ziffernanzeigen über Dekoder von zwei PIA-Chips ansteuern | drive two 4-digit displays via decoders from two PIA chips |
| Zwischenträgerfilm von 35 mm Breite | 35 mm film carrier |
| Zwischenträgertechnik für automatisches Bonden von Halbleiterchips | beam tape carrier technology for automated bonding of semiconductor chips |
| zyklische Zuordnung von Aufgaben gleicher Priorität | round-robin scheduling among tasks of equal priority |
| Ätzen von Mehrschichtstrukturen | multilayer etching |
| über eine Reihe von Meßwerten mitteln | average over a number of readings |
| Überdeckung von Ebene zu Ebene | registration from level to level |
| Überdeckung von Strukturen verschiedener Masken auf einem Substrat mit einer Genauigkeit von 0,1 μm | superposition on a substrate of patterns from several masks to a precision of 0.1 μm |
| Überdeckung von zwei Masken | stacking of two masks |
| Überdeckungsgenauigkeit in der Größenordnung von 125 nm | overlay accuracy of the order of 125 nm |
| Überdeckungsgenauigkeit von Ebene zu Ebene | interlevel registration |
| Überdeckungsgenauigkeit von Maske zu Maske | mask-to-mask registration |
| Überdeckungsgenauigkeit von zwei Ebenen auf einem Wafer | overlay precision of two levels on a wafer |
| Überdeckungsrepeater mit einer Projektionsverkleinerung von 2:1 | 2:1 step-and-repeat aligner |
| Überdeckungstoleranz von 0,1 μm zwischen den Ebenen | level to-level registration tolerance of 0.1 μm |
| Überdeckungsvergleich von Anlage zu Anlage | machine-to-machine overlay comparison |
| Überdekkung der Masken von Ebene zu Ebene | level-to-level registration of masks |
| Überdekkung von Wafer- und Retikelmarken | superposition of wafer and reticle marks |
| Übereinstimmung von Gerät zu Gerät | machine-to-machine integrity |
| Übergang von H nach L | high to low transition |
| Übergang von Silizium zu Galliumarsenid | switch from silicon to GaAs |
| Übertrag von einer vorausgehenden Ziffernstelle | carry from a previous digit position |
| Übertrag von einer vorhergehenden Stelle | carry-in (z. B. in das Rechen- und Steuerwerk) |
| Übertragbarkeit von Programmen | portability of programs |
| Übertragung des Signalzustands von Busleitungen | bus transfer |
| Überwachung von einem zentralen Schaltpult | monitoring from a central console |
