| Russian | German |
| архитектура матриц типа "море вентилей" | kanallose Architektur (архитектура бесканальных плотно упакованных вентильных матриц с числом вентилей > 10000) |
| АЦП аккумулирующего типа | akkumulierender A-D-Umsetzer |
| АЦП интегрирующего типа | integrierend arbeitender A-D-Umsetzer |
| АЦП интегрирующего типа | integrierend arbeitender |
| АЦП интегрирующего типа | integrierender A-D-Umsetzer |
| АЦП интегрирующего типа | A-D-Umsetzer |
| АЦП компенсационного типа | Ladungsausgleich-A-D-Umsetzer |
| АЦП на основе системы счисления с иррациональными основаниями типа "золотой пропорции" | Fibonacci-ADU |
| АЦП следящего типа | A-D-Umsetzer mit Vorwärts-Rückwärts-Zähler |
| АЦП следящего типа | Servoumsetzer |
| база с проводимостью р-типа | p-Basis (биполярного транзистора с n-p-n-структурой) |
| базовая область с проводимостью р-типа | p-Basisgebiet |
| БМК типа "море вентилей" | Sea-of-Gates |
| вертикальный полевой транзистор с каналом р-типа | p-Kanal-VFET |
| вертикальный полевой транзистор с каналом n-типа | n-Kanal-VFET |
| вторичный стабилизатор напряжения импульсного типа | Sekundärschaltregier |
| вывод типа "крыло чайки" | Gull-Wing-Beinchen |
| вывод типа "крыло чайки" | Gull-Wing-Anschluss |
| выходной возбуждающий каскад типа "тотемный столб" | Totem-pole-Ausgangstreiber |
| выходной возбуждающий каскад типа "тотемный столб" | Totempfahl-Treiber |
| германиевый кристалл полупроводниковой ИС полупроводниковая область с проводимостью n-типа с электронной проводимостью | leitender Pfad leitender n-leitendes |
| германиевый кристалл полупроводниковой ИС с проводимостью n-типа | n-leitendes Germaniumplättchen |
| германиевый кристалл полупроводниковой ИС с проводимостью n-типа | n-Germaniumplättchen |
| германиевый кристалл полупроводниковой ИС с проводимостью n-типа | leitender Pfad leitender n-leitendes |
| германиевый кристалл полупроводниковой ИС с проводимостью n типа | n-Germaniumplättchen |
| германиевый кристалл n-типа Halbleitergebiet | leitender Pfad |
| германиевый кристалл n-типа | n-leitendes Germaniumplättchen |
| германий с проводимостью р-типа | p-Germanium |
| германий с проводимостью n-типа | n-Germanium |
| германий с проводимостью p-типа | p-Germanium |
| германий с проводимостью n-типа | n-Ge |
| графический адаптер типа EGA | Enhanced Graphic Adapter |
| двухтактный усилитель импульсного типа | Gegentaktschaltverstärker |
| дефект типа "апельсиновая корка" | Orangenschaleneffekt |
| дефект типа "апельсиновая корка" | Orangenhaut |
| диффузия акцепторной примеси р-типа | p-Diffusion |
| диффузия акцепторной примеси p-типа | p-Diffusion |
| диффузия для формирования базы р-типа | p-Basisdiffusion |
| диффузия для формирования базы p-типа | p-Basisdiffusion |
| диффузия донорной примеси n-типа | n-Diffusion |
| диффузия донорной примеси n типа | n-Diffusion |
| допирование примесями p-типа | p-Dotierung |
| допирование примесями n-типа | n-Dotierung |
| жёсткий магнитный минидиск типа "Винчестер" | Winchesterplatte |
| жёсткий магнитный мини-диск типа "Винчестер" | Winchesterplatte |
| запоминающая ячейка на МОП-транзисторе с каналом р-типа | p-Kanal-MOS-Speicherzelle |
| запоминающий элемент на МОП-транзисторах с разными типами проводимости | komplementäres MOS-Speicherelement |
| знакопечатающее устройство последовательного типа | Zeichendrucker |
| ЗУ винчестерского типа | Winchester-Festplattenspeicher |
| ЗУ на ПЗС типа "пожарная цепочка" | Eimerkettenspeicher |
| ЗУ обратного магазинного типа | Push-up-Speicher |
| изолирующий карман n-типа | n-Isolationswanne |
| инверсионный канал n-типа | n-Inversionskanal |
| инверсия типа проводимости | Leitungstypinversion |
| инверсия типа проводимости | Inversion des Leitfähigkeitstyps |
| инверсия типа проводимости | Leitfähigkeitsinversion |
| инвертор на МОП-транзисторах с разными типами проводимости | komplementärer MOS-Inverter |
| инжекция носителей одного типа | Einträgerinjektion |
| интерфейс типа "токовая петля" | Stromschleife-Schnittstelle |
| ИС в малогабаритном корпусе типа SO | Small-Outline package IC |
| ИС совмещённого типа на КМОП-транзисторах и биполярных транзисторах | CMOS-Bipolar-Schaltung |
| логические ИС совмещённого типа на КМОП-транзисторах и биполярных транзисторах | CMOS-Bipolar-Logik |
| канал с проводимостью р-типа | p-Kanal |
| канал с проводимостью n-типа | n-Leitungskanal |
| канал с проводимостью n-типа | n-leitender Kanal |
| канал с проводимостью n-типа | Elektronenkanal |
| канал с проводимостью n-типа | n-Kanal |
| канал p-типа | p-leitender Kanal |
| канал n-типа | n-leitender Kanal |
| канал n-типа | Elektronenkanal |
| карман р-типа | p-Wanne |
| карман с проводимостью р-типа | p-Wanne |
| карман с проводимостью p-типа | p-Wanne |
| карман с электропроводностью р-типа | p-Wanne |
| карман с электропроводностью p-типа | p-Wanne |
| карман p-типа | p-Wanne |
| карман p-типа | p-Insel |
| карман n-типа | n-leitende Insel |
| карман n+-типа | n+-dotierte Grube |
| карман с проводимостью n-типа | n-Wanne |
| карман n+-типа | n+-Insel |
| каскад с выходом типа "тотемный столб" | Totem-pole-Endstufe |
| каскадный выход типа "тотемный столб" | Totem-pole-Ausgang |
| каскадный выход типа "тотемный столб" | TP-Ausgang |
| квантовый усилитель отражательного типа | Reflexionsmaser |
| квантовый усилитель отражательного типа | Reflexionsquantenverstärker |
| КМОП-инвертор с МОП-транзистором с индуцированным каналом p-типа в качестве активного элемента и с работающим в режиме обеднения n-канальным транзистором с глубокообеднённым слоем в качестве нагрузки | komplementärer Depletion-Load-Inverter |
| КМОП-инвертор с МОП-транзистором с каналом p-типа в качестве активного элемента и с n-канальным транзистором с глубокообеднённым слоем в качестве нагрузки | komplementärer Depletion-Load-Inverter |
| КМОП-структура типа КНС | CMOS-SOS-Struktur |
| КМОП-технология с карманами n-типа | n-Wannen-Technologie |
| КМОП-технология с карманами n-типа | n-Well-CMOS-Prozess |
| КМОП-технология с карманами n-типа | n-Wannen-CMOS-Technologie |
| кодоуправляемый делитель типа R-2R | R-2R-Netzwerk |
| кодоуправляемый делитель типа R-2R | R-2R-Widerstandsnetzwerk |
| кодоуправляемый делитель типа R2R | R2R-Widerstandsnetzwerk |
| кодоуправляемый делитель типа R2R | R2R-Netzwerk |
| кодоуправляемый КУД типа R-2R | R-2R-Widerstandsnetzwerk |
| кодоуправляемый КУД типа R2R | R2R-Widerstandsnetzwerk |
| кодоуправляемый КУД типа R-2R | R-2R-Netzwerk |
| кодоуправляемый КУД типа R2R | R2R-Netzwerk |
| коллектор с проводимостью n-типа | n-Kollektor (биполярного транзистора с n-p-n-структурой) |
| конструкция типа "море вентилей" | Sea-of-Gates-Array |
| конструкция типа "море вентилей" | Channelless-Array (плотно скомпонованная вентильная матрица) |
| корпус патронного типа | Metall-Keramik-Gehäuse |
| корпус патронного типа | Patronengehäuse |
| корпус типа SOJ | SOI-Gehäuse |
| корпус типа SO | Small-Outline-Gehäuse |
| корпус типа SOT-23 | SOT-23-Gehäuse |
| корпус типа SOL | SOL-Gehäuse |
| корпус типа SO | SO-Gehäuse |
| корпус типа ТО | TO-Gehäuse |
| корпус типа ТО-236 | TO-236-Gehäuse |
| корпус типа ТО | TO-Rundgehäuse |
| корпус транзисторного типа | TO-Gehäuse |
| кремниевая пластина с проводимостью р-типа | p-Siliziumscheibe |
| кремниевая пластина с проводимостью р-типа | p-Si-Scheibe |
| кремниевая пластина с проводимостью p-типа | p-Siliziumscheibe |
| кремниевая пластина с проводимостью p-типа | p-Si-Scheibe |
| кремниевая подложка с проводимостью р-типа | p-Si-Substrat |
| кремниевая подложка с проводимостью n-типа | n-Si-Substrat |
| кремниевый кристалл ИС с проводимостью р-типа | p-Siliziumplättchen |
| кремниевый кристалл ИС с проводимостью р-типа | gleitendes Siliziumplättchen |
| кремниевый кристалл ИС с проводимостью p-типа | p-Siliziumplättchen |
| кремниевый кристалл ИС с проводимостью p-типа | p-leitendes Siliziumplättchen |
| кремниевый кристалл ИС с проводимостью n-типа | n-Siliziumplättchen |
| кремний с проводимостью р-типа | p-Si |
| кремний p-типа | p-dotiertes Silizium |
| кремний n-типа | n-dotiertes Silizium |
| кристалл полупроводниковой ИС с проводимостью р-типа | p-Halbleiterplättchen |
| кристалл полупроводниковой ИС с проводимостью p-типа | p-Halbleiterplättchen |
| кристалл с проводимостью р-типа | p-leitender Kristall |
| кристалл ИС с проводимостью р-типа | p-leitendes Halbleiterplättchen |
| кристалл ИС с проводимостью p-типа | p-leitendes Halbleiterplättchen |
| кристалл ИС с проводимостью n-типа | n-leitendes Halbleiterplättchen |
| кристалл n+-типа | n+-Kristall |
| кристалл с проводимостью n-типа | n-leitender Kristall |
| кристалл n-типа | n-Siliziumplättchen |
| кристалл n+-типа | n+-Chip |
| кристаллическая решётка типа алмаза | Diamantgitterstruktur |
| кристаллическая решётка типа алмаза | Dichteübergang |
| кубическая решётка типа алмаза | Kristallgitter vom Diamanttyp |
| легирование акцепторной примесью р-типа | p-Dotierung |
| легирование акцепторной примесью р-типа | p-Dotieren |
| легирование акцепторной примесью p-типа | p-Dotieren |
| легирование примесью противоположного типа | Umdotierung |
| легированный акцепторной примесью р-типа | p-dotiert |
| лестничная матрица типа R2R | R2R-Widerstandsnetzwerk |
| лестничная матрица типа R-2R | R-2R-Widerstandsnetzwerk |
| лестничная матрица типа R-2R | R-2R-Netzwerk |
| лестничная матрица типа R2R | R2R-Netzwerk |
| линейка ПЗС типа "пожарная цепочка" | BBD-Zeile |
| линзово-растровая установка с растром типа "мушиный глаз" | Fliegenaugenkamera (для получения изображений фотошаблонов) |
| логический элемент типа ДТЛ | logisches DTL-Gatter |
| логический элемент типа ТТЛ | logisches TTL-Gatter |
| логический элемент типа ТТЛ | logisches T2L-Gatter |
| локальная сеть с топологией типа "общая шина" | Busnetzwerk |
| малогабаритный корпус с выводами J-типа | Small-Outline J-leaded Package |
| малогабаритный корпус типа SO | Small-Outline package |
| малогабаритный корпус типа SOIC | SOIC-Gehäuse |
| малогабаритный корпус типа SO с J-образными выводами | SOI-Gehäuse |
| малогабаритный корпус транзисторного типа | SOT-Gehäuse |
| малогабаритный корпус транзисторного типа | Small-Outline-Gehäuse |
| малогабаритный корпус транзисторного типа | SO-Gehäuse |
| полупроводниковый материал с проводимостью р-типа | p-Material |
| материал типа AIIIBV | A3B5-Halbleitermaterial |
| материал i-типа | i-Material |
| материал типа AIIIBV | A3B5-Material |
| материал i-типа | i-leitendes Material |
| материал i-типа | eigenleitendes Material |
| материал с проводимостью n-типа | n-Material |
| матрица лестничного типа | R2R-Widerstandsnetzwerk |
| матрица лестничного типа | R2R-Netzwerk |
| матрица ПЗС типа "пожарная цепочка" | BBD-Matrix |
| МДП-транзистор с индуцированным каналом n-типа | n-Kanal-Anreicherungstyp |
| МДП-транзистор с индуцированным каналом n-типа | n-Kanal-Anreicherungstransistor |
| МДП-транзистор с индуцированным каналом n-типа | n-Kanal-Anreicherungs-MISFET |
| МДП-транзистор с индуцированным каналом n-типа | n-Kanal Anreicherungs-MISFET |
| МДП-транзистор с каналом р-типа | p-Kanal-MISFET |
| МДП-транзистор с каналом р-типа | p-Kanal-Isolierschicht-FET |
| МДП-транзистор с каналом р-типа, работающий в режиме обеднения | p-Kanal-Verarmungs-MISFET |
| МДП-транзистор с каналом р-типа, работающий в режиме обеднения | p-Kanal-Verarmungstyp |
| МДП-транзистор с каналом р-типа, работающий в режиме обогащения | p-Kanal-Anreicherungstyp |
| МДП-транзистор с каналом р-типа, работающий в режиме обогащения | p-Kanal-Anreicherungs-MISFET |
| МДП-транзистор с каналом р-типа, работающий в режиме обогащения | p-Kanal-Anreicherungstransistor |
| МДП-транзистор с каналом p-типа | p-Kanal-Isolierschicht-FET |
| МДП-транзистор с каналом n-типа | n-Kanal-MISFET |
| МДП-транзистор с каналом p-типа, работающий в режиме обеднения | p-Kanal-Verarmungs-MISFET |
| МДП-транзистор с каналом p-типа, работающий в режиме обеднения | p-Kanal-Verarmungstyp |
| МДП-транзистор с каналом p-типа, работающий в режиме обогащения | p-Kanal-Anreicherungs-MISFET |
| МДП-транзистор с каналом p-типа, работающий в режиме обогащения | p-Kanal-Anreicherungstransistor |
| МДП-транзистор со встроенным каналом n-типа, работающий в режиме обеднения | n-Kanal-Verarmungs-MISFET |
| МДП-транзистор со встроенным каналом n-типа, работающий в режиме обеднения | n-Kanal-Verarmungs-IFET |
| МДП-транзистор со встроенным каналом n-типа, работающий в режиме обеднения | n-Kanal-Depletion-MIS-FET |
| МДП-транзистор со встроенным каналом n-типа, работающий в режиме обеднения | n-Kanal-Verarmungstyp |
| МДП-транзистор со встроенным каналом n-типа, работающий в режиме обеднения | n-Kanal-Depletion-MISFET |
| МДП-транзистор со встроенным каналом n-типа, работающий в режиме обеднения | n-Kanal-Depletion-FET |
| металлизация типа "силицид на поликремнии" | Polycid-Leitbahnen |
| микрокорпус типа VSO | VSO-Gehäuse |
| микрокорпус типа "Микропак" | Mikropack-Gehäuse |
| МОП-структура с каналом n-типа | n-Kanal-MOS-Struktur |
| МОП-структура типа "кремний на сапфире" | MOS-SOS-Struktur |
| МОП-транзистор с индуцированным каналом n-типа | n-Kanal-Anreicherungs-MOSFET |
| МОП-транзистор с каналом р-типа | p-Kanal-MOSFET |
| МОП-транзистор с каналом р-типа | pMOS-Transistor |
| МОП-транзистор с каналом р-типа | p-Kanal-MOS-Transistor |
| МОП-транзистор с каналом р-типа, работающий в режиме обеднения | p-Kanal-Verarmung-MOS-FET |
| МОП-транзистор с каналом р-типа, работающий в режиме обогащения | p-Kanal-MOS-Anreicherungs-IFET |
| МОП-транзистор с каналом р-типа, работающий в режиме обогащения | p-Kanal-Anreicherungs-MOSFET |
| МОП-транзистор с каналом n-типа | n-Kanal-MOS-Transistor |
| МОП-транзистор с каналом n-типа | n-Kanal-MOSFET |
| МОП-транзистор с каналом n-типа | NMOS-Transistor |
| МОП-транзистор с каналом p-типа, работающий в режиме обогащения | p-Anreicherungs-MOS-Transistor |
| мультигетеро-структура утопленного типа | ertränkte Multiheterostruktur |
| мультигетероструктура утопленного типа | ertränkte Multiheterostruktur |
| натекатель игольчатого типа | Nadelventil |
| неосевой тип колебаний | außeraxiale Moden |
| полупроводниковая область с проводимостью р-типа | p-leitendes Halbleitergebiet |
| область р+-типа | p+-Zone |
| область р-типа | p-Bereich |
| область с проводимостью р-типа | p-leitendes Gebiet |
| область с проводимостью р-типа | p-leitende Zone |
| область р+-типа | p+-Gebiet |
| область с проводимостью р-типа | p-Zone |
| область с проводимостью р-типа | p-Gebiet |
| область с проводимостью р-типа | p-Bereich |
| область с проводимостью n-типа | n-Gebiet |
| область с проводимостью n-типа | n-Zone |
| область с проводимостью p-типа | p-Zone |
| область с проводимостью p-типа | p-Bereich |
| область с проводимостью n-типа | n-Bereich |
| область n+-типа | n+-Zone |
| область n-типа | n-Bereich |
| область n+-типа | n+-Gebiet |
| область с проводимостью n-типа | n-leitende Zone |
| полупроводниковая область с проводимостью n-типа | n-leitendes Halbleitergebiet |
| область n-типа | n-Zone |
| область p-типа | p-Bereich |
| область p-типа | p-Zone |
| область p+-типа | p+-Zone |
| полупроводниковая область с проводимостью n-типа | leitender n-leitendes Pfad |
| область с проводимостью n-типа | n-leitendes Gebiet |
| область с проводимостью i-типа | i-Gebiet |
| осевой тип колебаний | axiale Moden |
| островок р-типа | p-Insel |
| островок n-типа | n-leitende Insel |
| островок n-типа | n-Insel |
| охранное кольцо р+-типа | p+Abschirmring |
| охранное кольцо n+-типа | n+-Schutzring |
| охранное кольцо n+-типа | n+-Abschirmring |
| ошибка перемежающегося типа | vorübergehender Fehler |
| память магазинного типа | LIFO-Speicher |
| память на ПЗС типа "пожарная цепочка" | Eimerkettenspeicher |
| память обратного магазинного типа | Push-up-Speicher |
| память типа FIFO | FIFO-Speicher |
| память типа LIFO | LIFO-Speicher |
| пара типа примесь внедрения вакансия | Frenkel-Fehlordnung Frenkel-Paar Frenkel-Störstelle |
| пара типа примесь внедрения вакансия | Frenkel-Defekt |
| пара типа примесь внедрения-вакансия | Frenkel-Paar |
| пара типа примесь внедрения-вакансия | Frenkel-Defekt |
| первичный стабилизатор напряжения импульсного типа | Primärschaltregler |
| переключатель типа Овоник | Ovonic-Schalter |
| переключатель типа Овоник | Ovonic-Glasschalter |
| переменная типа "переключатель" | Schaltvariable |
| печатающее устройство барабанного типа | Trommeldrucker |
| печатающее устройство цепного типа | Kettendrucker |
| печатающее устройство цепочного типа | Kettendrucker |
| печатающий диск типа "ромашка" | Typenscheibe |
| печатающий диск типа "ромашка" | Typenrad |
| ПЗС типа "пожарная цепочка" | BBD-Element |
| ПЗС типа "пожарная цепочка" | CCD-Eimerkette |
| ПЗС типа "пожарная цепочка" | Eimerkettenschaltung |
| ПЗС типа "пожарная цепочка" | integrierte Eimerkettenschaltung |
| ПЗС типа "пожарная цепочка" | Eimerkettenbauelement |
| ПЗС типа "пожарная цепочка" | Bucket-Brigade-Device |
| ПЗС типа "пожарная цепочка" | BBD |
| ПЗС типа "пожарная цепочка" с кадровым переносом | Bucket Brigade Device Frame Transfer |
| ПЗС типа "пожарная цепочка" с покадровым переносом зарядов | Bucket Brigade Device Frame Transfer |
| ПЗС типа "пожарная цепочка" с межстрочным переносом зарядов | Bucket Brigade Device Interline Transfer |
| ПЗС типа "пожарная цепочка" с покадровым переносом | Bucket Brigade Device Frame Transfer |
| ПЗС типа "пожарная цепочка" с покадровым переносом зарядов | Bucket Brigade Device Frame Transfer |
| планарный МОП-транзистор с каналом типа | NMOS-Planartransistor |
| планарный МОП-транзистор с каналом n типа | NMOS-Planartransistor |
| планшетный указатель координат карандашного типа | Digitalisierstift |
| плоскостной транзистор типа | pnip pnin-Flächentransistor |
| плоскостной транзистор типа | npin npin-Flächentransistor |
| подложка с проводимостью р-типа | p-Substrat |
| подложка с проводимостью р-типа | p-leitendes Substrat |
| подложка с проводимостью n-типа | n-leitendes Substrat |
| подложка n+-типа | n+-Substrat |
| полевой транзистор с каналом р-типа | p-Kanal-Feldeffekttransistor |
| полевой транзистор с каналом р-типа | p-Kanal-FET |
| полевой транзистор с каналом р-типа | p-JFET |
| полевой транзистор с каналом p-типа | p-JFET |
| полевой транзистор с каналом p-типа | p-Kanal-FET |
| полевой транзистор с каналом n-типа | n-Kanal-Feldeffekttransistor |
| полевой транзистор с каналом n-типа | n-Kanal-FET |
| полоска с проводимостью n-типа | n-Streifen |
| полупроводник р-типа | Fehlstellenhalbleiter |
| полупроводник р-типа | p-Leiter |
| полупроводник р-типа | p-Typ-Halbleiter |
| полупроводник р-типа | Löcherhalbleiter |
| полупроводник р-типа | Defektelektronenleiter |
| полупроводник р-типа | Defektelektronenhalbleiter |
| полупроводник с проводимостью n-типа | Überschusshalbleiter |
| полупроводник типа | AIIIBV A3B5-Halbleiter |
| полупроводник p-типа | Defektelektronenleiter |
| полупроводник i-типа | i-Halbleiter |
| полупроводник n-типа | n-Typ-Halbleiter |
| полупроводники типа AIIIBV | AIII-BV-Halbleiter |
| полупроводники типа AIIBVI | AII-BVI-Halbleiter |
| полупроводниковая пластина с кристаллами различного типа | Multichipwafer |
| полупроводниковые соединения типа AIIIBV | AIII-BV-Halbleiter |
| полупроводниковые соединения типа AIIBVI | AII-BVI-Halbleiter |
| полупроводниковый материал с проводимостью р-типа | p-leitendes Halbleitermaterial |
| полупроводниковый материал с проводимостью n-типа | n-leitendes Halbleitermaterial |
| прибор с выводами балочного типа | Beam-lead-Bauelement |
| прибор с зарядовой связью типа "пожарная цепочка" | Eimerkettenschaltung |
| прибор с зарядовой связью типа "пожарная цепочка" | BBD |
| прибор с зарядовой связью типа "пожарная цепочка" | Bucket-Brigade-Device |
| прибор с зарядовой связью типа "пожарная цепочка" | BBD-Element |
| примесь p-типа | p-Verunreinigung |
| примесь n-типа | n-Störstelle |
| примесь p-типа | p-Störstelle |
| примесь n-типа | n-Verunreinigung |
| примесь n-типа | n-Dotierungsstoff |
| проводимость р-типа | p-Leitung |
| проводимость р-типа | Mangelleitung |
| проводимость n-типа | Überschussleitung |
| проводимость n-типа | n-Leitfähigkeit |
| проводимость n-типа | Überschussleitfähigkeit |
| регулятор-стабилизатор импульсного типа | Schaltregler |
| регулятор-стабилизатор напряжения импульсного типа | Schaltspannungsregler |
| резистивная многозвенная схема лестничного типа | Kettennetzwerk (с чередованием последовательного и параллельного включения ветвей) |
| резистивная многозвенная схема лестничного типа | Kettenleiter (с чередованием последовательного и параллельного включения ветвей) |
| резистивная многозвенная схема лестничного типа | Kettenleiter-Widerstands-Netwerk (с чередованием последовательного и параллельного включения ветвей) |
| резистивная многозвенная схема лестничного типа | Kettenleiter-Widerstands-Netwerk Kettennetzwerk (с чередованием последовательного и параллельного включения ветвей) |
| резисторная матрица типа R-2R | R-2R-Widerstandsnetzwerk |
| резисторная матрица типа R2R | R2R-Widerstandsnetzwerk |
| резисторная матрица типа R-2R | R-2R-Netzwerk |
| резисторная матрица типа R2R | R2R-Netzwerk |
| решётка типа алмаза | Gitter des Diamanttype |
| решётка типа цинковой обманки | Gitter des Zinkblendentyps |
| с проводимостью р-типа | p-leitend |
| с проводимостью р-типа | p-Typ |
| с проводимостью n-типа | elektronenleitend |
| с проводимостью n-типа | n-leitend |
| сдвиговый регистр на ПЗС типа "пожарная цепочка" | Eimerkettenschieberegister |
| сдвиговый регистр на приборах типа "пожарная цепочка" | Schieberegister mit Eimerkettenschaltung |
| сдвиговый регистр на приборах типа "пожарная цепочка" | Bucket-Brigade Shift Register |
| локальная сеть кольцевого типа | Token-Ring-LAN |
| локальная сеть кольцевого типа | Token-Ring-Network |
| локальная сеть кольцевого типа | Token-Passing-Ring-LAN |
| локальная сеть кольцевого типа | Token-Ring |
| локальная сеть кольцевого типа | Token-Paseing-Ring-LAN |
| локальная сеть магистрального типа с эстафетным доступом | Token-Bus-Netz |
| сеть с топологией типа "звезда" | Sternnetz |
| система ЧПУ типа CNC | CNC-Anlage |
| слой арсенида галлия р-типа | p-Ga-As-Gebiet |
| слой арсенида галлия p-типа | p-Ga-As-Gebiet p-GaAs-слой |
| слой арсенида галлия n-типа | n-GaAs-Gebiet n-GaAs-слой |
| слой арсенида галлия n-типа | n-GaAs-Gebiet |
| слой кремния n-типа | n-Si-Schicht |
| слой с проводимостью р-типа | p-leitende Schicht |
| слой с проводимостью р-типа | p-Schicht |
| слой с проводимостью n-типа | n-leitende Schicht |
| слой с проводимостью n-типа | n-Schicht |
| соединение типа AIIIBV | A3B5-Verbindung |
| полупроводниковое соединение типа AIII-BV | AIII -BV -Verbindung |
| полупроводниковое соединение типа AII BVI | AII-BVI-Verbindung |
| полупроводниковое соединение типа Aup III-Bvup V | Aup III-Bvup V-Verbindung |
| стабилизатор напряжения импульсного типа | Schaltspannungsregler |
| стабилизатор напряжения импульсного типа | ACDC-Schaltregler |
| стабилизатор напряжения параллельного типа | Parallelregler |
| стабилизатор напряжения последовательного типа | Serienregler |
| стандартная магистраль типа | MULTIBUS (фирмы Intel) |
| стандартная магистраль типа МАЛТИБАС | MULTIBUS (фирмы Intel) |
| стандартный интерфейс с магистралью типа MULTIBUS | Multibusinterface |
| станок с ЧПУ типа CNC | CNC-Maschine |
| структура типа "ведущий ведомый" | Hauptgerät-Nebengerät-Struktur |
| структура типа "кремний в диэлектрике" | SII-Struktur |
| структура типа "кремний в диэлектрике" | SII Struktur |
| структура типа "кремний на диэлектрике" | SOI-Struktur |
| структура типа меза | Mesa-Struktur |
| структура типа металл-алюминий-окисел-полупроводник | Metall-Aluminium-Oxid-Halbleiter-Struktur |
| структура типа "сэндвич" | Sandwichstruktur |
| структура типа "сэндвич" | Dreischichtstruktur |
| схема типа ДТЛ | Dioden-Transistor-Logikschaltkreis |
| схема типа ДТЛ | DTL |
| схема типа ДТЛ | Dioden-Transistor-Logik |
| схема типа "пожарная цепочка" | Eimerkettenschaltung |
| схема типа "тотемный столб" | Halbbrückenschaltung |
| схема типа "тотемный столб" | Halbbrücken-schaltung |
| схема типа "тотемный столб" | Halbbrücke |
| схема типа ТТЛ | TTL |
| схема типа ТТЛ | Transistor-Transistor-Logikschaltkreis |
| схема типа ТТЛ | Transistor-Transistor-Logik |
| технология изготовления эпитаксиальных мезатранзисторов с каналом n-типа | n-Kanal-Mesa-Epitaxie-Technik |
| технология изготовления ИС со структурой типа "кремний на сапфире" | Silizium-Saphir-Technik |
| технология КМОП ИС с карманами р-типа | p-Wannen-Technologie |
| технология КМОП ИС с карманами р-типа | p-Well-CMOS-Prozess |
| технология КМОП ИС с карманами р-типа | p-Wannen-CMOS-Technologie |
| технология КМОП ИС с карманами p-типа | p-Wannen-Technologie |
| технология КМОП ИС с карманами p-типа | p-Well-CMOS-Prozess |
| технология КМОП ИС с карманами n-типа | n-Wannen-Technologie |
| технология КМОП ИС с карманами n-типа | n-Well-CMOS-Prozess |
| технология КМОП ИС с карманами n-типа | n-Wannen-CMOS-Technologie |
| технология МОП БИС с каналом р-типа | p-Kanal-MOS-LSI-Technik |
| технология получения структур типа "кремний на диэлектрике кремний на аморфной подложке" | SOI-SOAS-Technologie |
| технология получения структур типа "кремний на диэлектрике-кремний на аморфной подложке" | SOI-SOAS-Technologie |
| технология приборов типа "пожарная цепочка" | BBD-Technik |
| тип колебаний | Schwingungsmodus |
| тип носителей | Ladungstragersorte (заряда) |
| тип носителей | Trägerart |
| тип носителей | Trägersorte |
| тип носителей | Ladungstragerart (заряда) |
| тип отказа | Ausfallmodus |
| тип отказов | Ausfallmodus |
| тип проводимости | Leitungsart |
| тип проводимости | Leitungstyp |
| тип проводимости | Leitfähigkeitstyp |
| тиристор с управляющим электродом р-типа | p-Gate-Thyristor |
| тиристор с управляющим электродом n-типа | n-Gate-Thyristor |
| тиристорный регулятор трёхфазного типа | Thyristordrehstromsteller |
| транзистор с каналом р-типа | p-Kanal-Transistor |
| транзистор с каналом n-типа | n-Kanal-Transistor |
| транзистор типа | npn npn-Transistor |
| транзистор типа | pnip pnip-Traxisistor |
| транзистор типа | pnp pnp-Transistor |
| транзистор типа | Transistor mit Eigenleitungsbereich zwischen Basis und Kollektor |
| транзистор типа меза | Mesatransistor |
| транзистор типа МОП | Metall-Oxid-Halbleiter-Transistor |
| транзистор типа МОП | MOS-Transistor |
| триггер на МОП-приборах с разными типами проводимости | komplementärer MOS-Flipflop |
| триггер счётного типа | Triggerflipflop |
| триггер счётного типа | T-Flipflop |
| триггер D-типа | D-Typ-Flipflop |
| триггер MS-типа | MS-Flipflop |
| триггер MS-типа | Master-Slave-Flipflop |
| триггер MS-типа | Zählflipflop |
| триггер MS-типа | zweistufiges Flipflop |
| триггер типа | JK JK-Flipflop |
| триггер D-типа | D-Trigger |
| триггер D-типа | D-Flipflop |
| триггер D-типа | Delay-Flipflop |
| триггер D-типа | Auffangflipflop |
| триггер MS-типа на базе RS-триггеров | RS-Master-Slave-Flipflop |
| триггер MS-типа на базе JK-триггеров | JK-Master-Slave-Flipflop |
| триод типа | pnip pnip-Transistor |
| триод типа | pnpn pnpn-Transistor |
| триод типа | Thyristor |
| триод типа меза | Mesatransistor |
| трёхрезонаторный квантовый усилитель отражательного типа | Dreiresonatorreflexionsmaser |
| трёхрезонаторный квантовый усилитель отражательного типа | Dreiresonatormaser mit Zirkulator |
| увеличенный малогабаритный корпус типа SO | SOL-Gehäuse |
| управляющий электрод р-типа | p-Gate |
| управляющий электрод n-типа | n-Gate |
| усилитель типа М ДМ | Zerhackerverstärker |
| усилитель типа М-ДМ | Chopperverstärker |
| установка ионного травления магнетронного типа | Magnetronionenstrahlätzer |
| устройство выборки и хранения стробирующего типа | Abtast-Halte-Tor |
| устройство ЧПУ типа CNC | CNC-Einrichtung |
| фильтр на ПЗС типа "пожарная цепочка" | BBD-Filter |
| фотодиод с гетероструктурой на основе арсенида галлия n-типа, легированного германием р-типа | n-GaAs-p-Ge-Fotodiode |
| фотокамера с растрами типа "мушиный глаз" | Fliegenaugenkamera |
| характеристика S-типа | S-Kennlinie |
| ЦАП с кодоуправляемым делителем типа R2R | DA-Umsetzer mit R2R-Widerstandsnetzwerk |
| ЦАП с кодоуправляемым делителем типа R-2R | DA-Umsetzer mit R-2R-Widerstandsnetzwerk |
| ЦАП с кодоуправляемым делителем типа | DA-Umsetzer mit R-2R-Widerstandsnetzwerk und identischen Stromquellen |
| ЦАП с кодоуправляемым делителем типа R2R и генераторами равнономинальных токов | DA-Umsetzer mit R2R-Widerstandsnetzwerk und identischen Stromquellen |
| ЦАП с матрицей лестничного типа | DA-Umsetzer mit R2R-Widerstandsnetzwerk |
| ЦАП с резисторной матрицей типа R-2R | DA-Umsetzer mit R-2R-Widerstandsnetzwerk |
| ЦАП с резисторной матрицей типа R2R | DA-Umsetzer mit R2R-Widerstandsnetzwerk |
| цифровой кассетный магнитофон типа DAT | DAT-Recorder |
| ЧПУ от системы типа CNC | CNC-Steuerung |
| ЧПУ от системы типа CNC | Computerized Numerical Control |
| ЧПУ от системы типа | CNC |
| ЧПУ станками типа CNC | Computerized Numerical Control |
| ЧПУ станками типа CNC | CNC-Steuerung |
| ЧПУ станками типа | CNC |
| электрически стираемые программируемые логические устройства типа GAL | Generic Array Logic |
| электронный микроскоп просвечивающего типа | Durchstrahlungselektronenmikroskop |
| электропроводность n-типа | n-Leitfähigkeit |
| электропроводность n-типа | n-Leitung |
| эмиттер встречно-гребенчатого типа | Interdigitalemitter |
| эмиттер с проводимостью n-типа | n-Emitter (биполярного транзистора с n-p-n-структурой) |
| эпитаксиальный слой с проводимостью р-типа | p-Epitaxieschicht |
| эпитаксиальный слой n+-типа | n+-Epitaxieschicht |
