| Russian | German |
| автомат измерения кристаллов по толщине | Plättchendickenmessautomat |
| автомат измерения кристаллов по толщине | Dickenmessautomat |
| автомат сортировки кристаллов по толщине | Plättchendickensortierautomat |
| автомат сортировки кристаллов по толщине | Plättchendickenmessautomat |
| антидефект по Френкелю | Anti-Frenkel-Fehlordnung |
| антидефект по Френкелю | Anti-Frenkel-Defekt |
| АЦП по-следовательных приближений | Stufenumsetzer |
| АЦП, работающий по методу перераспределения заряда | Charge-Redistribution-ADC |
| биполярная ИС со скрытым коллекторным слоем, изготовленная по базовой технологии | SBC-Schaltkreis |
| биполярный транзистор со скрытым коллекторным слоем, изготовленный по базовой технологии | SBC-Transistor |
| блокировка по времени | Zeitsperre |
| блокировка по времени | Timeout |
| вакансия по Шоттки | Schottky-Leerstelle |
| валентность по отношению к водороду | Wertigkeit in bezug auf Wasserstoff |
| включение по каскадной схеме | Prioritätskaskadierung |
| включение по схеме с общей базой | Schaltung mit geerdeter Basis |
| включение по схеме с общей базой | Basisschaltung |
| включение МДП-транзистора по схеме с общим затвором | Torbasisschaltung |
| включение полевого транзистора по схеме с общим истоком | Quellenbasisschaltung |
| включение по схеме с общим коллектором | Schaltung mit geerdetem Kollektor |
| включение по схеме с общим коллектором | Kollektorschaltung |
| включение по схеме с общим эмиттером | Schaltung mit geerdetem Emitter |
| включение по схеме с общим эмиттером | Emitterschaltung |
| время включения по управляющему электроду | Einschaltzeit (тиристора) |
| время выключения тиристора по основной цепи | Freiwerdezeit |
| время задержки по управляющему электроду | Zündverzugszeit (тиристора) |
| время задержки по управляющему электроду | Einschaltverzugszeit (тиристора) |
| время запирания тиристора по управляющему электроду | Ausschaltzeit |
| время запирания тиристора по управляющему электроду | Abschaltzeit |
| время нарастания по управляющему электроду | Durchschaltzeit (тиристора) |
| входное сопротивление транзистора по переменному току | Wechselstromeingangswiderstand |
| входное сопротивление транзистора по постоянному току | Gleichstromeingangswiderstand |
| выбор по правилу большинства | Mehrheitsentscheidung (напр., по правилу "два из трёх") |
| выбор по правилу большинства | Mehrheitsentscheid (напр., по правилу "два из трёх") |
| выборка с запасом по частоте дискретизации | Überabtastung |
| выборка с запасом по частоте дискретизации | Oversampling |
| выборочный контроль по количественному признаку | Variablenstichprobe |
| выборочный контроль по количественным параметрам | Variablenstichprobe |
| выборочный контроль по результатам проверки двух выборок | Doppelstichprobenprüfung |
| выращивание по методу Вернейля | Züchten nach dem Verneuil-Verfahren |
| выращивание по методу Вернейля | Verneuil-Verfahren |
| выращивание по методу Чохральского | Czochalski-Verfahren |
| выращивание по методу Чохральского | Kristallzüchten nach Czochalski |
| вырождение по спину | Spinentartung |
| выход по напряжению | Spannungssenke (ЦАП'а) |
| выход по напряжению | Spannungsausgang (ЦАП'а) |
| выход по соударению | Stoßausbeute |
| выход по току | Stromausgang (ЦАП'а) |
| выход с обратной связью по напряжению | Parallelausgang (напр., АЦП) |
| выход с обратной связью по току | Seriellausgang (напр., АЦП) |
| выходное сопротивление транзистора по переменному току | Wechselstromausgangswiderstand |
| граничная частота по уровню 3 дБ | 3dB-Grenzfrequenz |
| граничная частота усиления по току в схеме с общей базой | a-Grenzfrequenz |
| граничная частота усиления по току в схеме с общей базой | α-Grenzfrequenz |
| граничная частота усиления по току в схеме с общим эмиттером | b-Grenzfrequenz |
| граничная частота усиления по току в схеме с общим эмиттером | β-Grenzfrequenz |
| графика с по-элементным формированием изображения | Pixel-Grafik |
| дефект по Френкелю | Frenkel-Paar |
| дефект по Френкелю | Frenkel-Fehlordnung Frenkel-Paar Frenkel-Störstelle |
| дефект по Френкелю | Frenkel-Defekt |
| дефект по Шоттки | Schottky-Fehlordnung |
| дефект по Шоттки | Schottky-Paar |
| дефект по Шоттки | Schottky-Defekt |
| дисперсия по профилю | Profildispersion (световода) |
| диффузия по вакансиям | Leerstellendiffusion |
| длительность импульса по уровню половинной амплитуды | Halbwertspulsbreite |
| длительность импульса по уровню половинной амплитуды | Halbwertsdauer |
| допустимая нагрузка по напряжению | Spannungsbelastbarkeit |
| допустимая нагрузка по току | Strombelastbarkeit |
| задержка по фазе | Phasenverzögerung |
| запас помехоустойчивости по постоянному напряжению | Gleichspannungsstörabstand |
| запас устойчивости по фазе | Phasensicherheit |
| запас устойчивости по фазе | Phasenrand |
| запоминающая ячейка ячейка памяти, изготовленная по технологии с использованием трёх фотошаблонов | TRIM-Speicherzelle |
| запоминающая ячейка памяти, изготовленная по технологии с использованием трёх фотошаблонов | TRIM-Speicherzelle |
| затухание по уровню 3 дБ | 3-DB-Dämpfung |
| изображение, полученное с помощью растрового электронного микроскопа для контроля ИС по величине эдс тока, индуцированного электронным лучом | EBIC-Bild |
| интеграция элементов ИС по вертикали | Vertikalintegration |
| ИС, изготовленная по Би-ПТ-технологии | BIFET |
| испытания по критерию "годен негоден" | Gut-Ausschuss-Prüfung |
| испытания по критерию "годен негоден" | Gut-Schlecht-Test |
| испытания по критерию "годен негоден" | Gut-Schlecht-Prüfung |
| испытания по критерию "годен негоден" | Go-No-Go-Prüfung |
| испытания по критерию ГОДЕН-БРАК | Gut-Schlecht-Prüfung |
| испытания по критерию ГОДЕН-БРАК | Gut-Schlecht-Test |
| испытания по критерию ГОДЕН-БРАК | Gut-Ausschuss-Prüfung |
| испытания по критерию "годен-негоден" | Gut-Schlecht-Test |
| испытания по критерию "годен-негоден" | Gut-Schlecht-Prüfung |
| испытания по критерию "годен-негоден" | Gut-Ausschuss-Prüfung |
| источник опорного напряжения со стабилизацией по ширине запрещённой зоны | Bandgap-Referenzspannungsquelle |
| источник опорного напряжения со стабилизацией по ширине запрещённой зоны | Bandgap-Spannungsreferenz |
| источник опорного напряжения со стабилизацией по ширине запрещённой зоны | Bandabstandsreferenz |
| квантование по уровню | Pegel-Quantisierung |
| контроль по альтернативному признаку | Gut-Ausschuss-Prüfung |
| контроль по альтернативному признаку | Gut-Schlecht-Test |
| контроль по альтернативному признаку | Gut-Schlecht-Prüfung |
| контроль по альтернативному признаку | Go-No-Go-Prüfung |
| контроль по количественным параметрам | Variablenprüfung |
| короткое замыкание по переменному току | wechselstrommaßiger Kurzschluss |
| коэффициент обратной связи по напряжению | Spannungsrückwirkung |
| коэффициент обратной связи по напряжению при холостом ходе на входе | Leerlaufspannungsübersetzung rückwärts |
| коэффициент обратной связи по напряжению при холостом ходе на входе | rückwärts Leerlaufspannungsübersetzung |
| коэффициент обратной связи по напряжению при холостом ходе на входе | Spannungsrückwirkung bei Leerlauf des Eingangs |
| коэффициент обратной связи по напряжению при холостом ходе на входе | Spannungsrückwirkung (h-параметр биполярного транзистора) |
| коэффициент обратной связи по напряжению при холостом ходе на входе | Leerlaufspannungsrückwirkung |
| коэффициент обратной связи по току | Stromsrückwirkung |
| коэффициент обратной связи по току | Stromrückwirkung |
| коэффициент объединения по входу | Eingangsfächerung |
| коэффициент объединения по входу | Einfächerung |
| коэффициент передачи по постоянному току | Gleichstromverstärkungsfaktor |
| коэффициент передачи по постоянному току | Gleichstromverstärkungs-faktor |
| коэффициент передачи по постоянному току | Gleichstromverstärkung |
| коэффициент разветвления по выходу | Ausgangslastfaktor |
| коэффициент разветвления по выходу | Ausgangsverzweigung je Gatter |
| коэффициент разветвления по выходу | Fan-out |
| коэффициент разветвления по выходу | Fanout |
| коэффициент разветвления по выходу | Ausgangsfächerung |
| коэффициент разветвления по выходу | Ausfächerung |
| коэффициент разветвления по выходу | Ausgangsauffächerung |
| коэффициент разветвления по выходу | Ausgangsfächer |
| коэффициент разветвления по выходу | Ausgangsbelastbarkeit |
| коэффициент разветвления по выходу | Auffächerung |
| коэффициент усиления по мощности | Leistungsgewinn |
| коэффициент усиления по мощности | Leistungsverstärkung |
| коэффициент усиления по напряжению | Spannungsverstärkung |
| коэффициент усиления по переменному напряжению | Wechselspannungsverstärkung |
| коэффициент усиления по переменному току | Wechselstromverstärkung |
| коэффициент усиления по постоянному напряжению | Gleichspannungsverstärkung |
| коэффициент усиления по постоянному току | Gleichstromverstärkungs-faktor |
| коэффициент усиления по постоянному току | Gleichstromverstärkungsfaktor |
| коэффициент усиления по постоянному току | Gleichstromverstärkung |
| коэффициент усиления по постоянному току в схеме с общим эмиттером | Beta |
| коэффициент усиления по току при коротком замыкании на выходе | Kurzschlussstromverstärkungsfaktor (биполярного транзистора; в схеме с общей базой коэффициент передачи эмиттерного тока; в схеме с общим эмиттером коэффициент усиления базового тока) |
| коэффициент усиления по току при коротком замыкании на выходе | Kurzschlussstromverstärkung (биполярного транзистора; в схеме с общей базой коэффициент передачи эмиттерного тока; в схеме с общим эмиттером коэффициент усиления базового тока) |
| кристаллодержатель по-лосковой ИС | Streifenleitungsfassung |
| кросс-ПО | Cross-Systemunterlagen |
| кросс-ПО | Cross-Software |
| крутизна по затвору | Steilheit bei Torsteuerung |
| крутизна по подложке | Steilheit bei Substratsteuerung |
| литография по всему полю полупроводниковой пластины | Ganzscheibenlithografie |
| мажоритарная система с поразрядным выбором по правилу "два из трёх" | 2-von-3-System |
| мажоритарная система с поразрядным голосованием по правилу "два из трёх" | Zwei-von-3-System |
| максимальная частота усиления по мощности | Schwinggrenzfrequenz |
| маска для литографии по всему полю полупроводниковой пластины | Ganzscheibenmaske |
| метод выращивания кристаллов по Чохральскому | Czochralski-Zuchtverfahren |
| метод выращивания кристаллов по Чохральскому | Tiegelziehverfahren |
| метод выращивания кристаллов по Чохральскому | Czochralski-Verfahren |
| метод выращивания монокристаллов по Бриджмену | Bridgeman-Verfahren |
| метод выращивания по Чохральскому | Czochalski-Verfahren |
| метод выращивания по Чохральскому | Czochalski-Ziehverfahren |
| метод вытягивания кристаллов по Чохральскому | Czochralski-Zuchtverfahren |
| метод вытягивания кристаллов по Чохральскому | Czochralski-Verfahren |
| метод контроля ИС по величине эдс тока, индуцированного электронным лучом | EMK EBIC-Verfahren |
| метод контроля ИС по величине эдс тока, индуцированного электронным лучом | EBIC-Verfahren |
| метод прореживания по времени | Decimation-in-time Methode (форма алгоритма быстрого преобразования Фурье) |
| моделирование по принципам конструктивной блочной геометрии | CSG-Modellierung |
| модуляция постоянного напряжения по базе | Gleichspannungsaussteuerung über die Basis |
| монтаж соединений по каналам | Kanalverdrahtung |
| нагрузка по напряжению | Spannungsbelastung |
| нагрузка по постоянному току | Gleichstrombelastung |
| нагрузочная способность по напряжению | Spannungsbelastbarkeit |
| нагрузочная способность по току | Strombelastbarkeit |
| обмен данными по шине | Busverkehr |
| обратная связь по напряжению | Spannungsrückwirkung |
| обратная связь по объёмному заряду | Raumladungsrückkopplung |
| обратная связь по пространственному заряду | Raumladungsrückkopplung |
| обратная связь по току | Stromsrückwirkung |
| обратная связь по току | Stromrückwirkung |
| обратное усиление по току при короткозамкнутом входе | rückwärts |
| обратное усиление по току при короткозамкнутом входе | Kurzschlussstromverstärkung |
| обратный ход по кадру | Bildrücklauf |
| обратный ход электронного луча по строкам | Zeilenrücklauf |
| объединение по входу | Einfächerung |
| Объединённый совет по электронным приборам | Joint Electron Device Engineering Council |
| ООС по напряжению с результирующим сигналом по напряжению | Spannungs-Spannungs-Gegenkopplung (в схеме неинвертирующего включения операционного усилителя) |
| организация производства по системе "точно по графику" | Just-in-Time-Fertigung |
| организация связи по "горячей" линии | Hotline-Service |
| организация связи по "прямой" линии | Hotline-Service |
| ориентация по углу | Winkelorientierung |
| отдача по мощности | Leistungswirkungsgrad |
| отношение сигнал-шум по мощности | Leistungs-Stör-Abstand |
| отношение сигнал/шум по мощности | Leistungs-Stör-Abstand |
| отношение сигнал-шум по напряжению | Rauschspannungsabstand |
| отношение сигнал/шум по напряжению | Rauschspannungsabstand |
| отрицательная обратная связь по напряжению с результирующим сигналом по напряжению | Spannungs-Spannungs-Gegenkopplung (в схеме неинвертирующего включения операционного усилителя) |
| отрицательная обратная связь по переменному току | Wechselstromgegenkopplung |
| отрицательная обратная связь по постоянному току | Gleichstromgegenkopplung |
| перегиб кривой по Зинеру | Zener-Knick |
| перегиб кривой по Ценеру | Zener-Knick |
| передача факсимиле по телефонным каналам | Telefax |
| передача факсимиле по телефонным каналам | Fernkopieren (связи) |
| перемещение внедрённых атомов по междоузлиям | Zwischengitterwanderung |
| переходный процесс включения тиристора по аноду | du/dt-Stress |
| переходный процесс включения тиристора по аноду | dudt-Stress |
| печатная плата, выполненная по технологии многопроводного монтажа | Multiwireplatte |
| печатная плата, выполненная по технологии многопроводного монтажа | Multiwire-Leiterplatte |
| печатная плата, изготовленная по субтрактивной технологии | Subtraktivleiterplatte |
| по-дача полупроводниковых пластин | Waferladen |
| по-дающее устройство для полупроводниковых пластин | Waferladeeinrichtung |
| по-левой диод | Feldeffektdiode |
| по-лосковая плата | Streifenleitungsplatte |
| по-лосковый волновод | Streifenwellenleiter |
| по-лосковый фильтр | Streifenleitungsfilter |
| полная длительность импульсной переходной характеристики по полувысоте | Halbwertsdauer |
| полоса пропускания по уровню 3дБ | Übertragungsbandbreite |
| полоса пропускания по уровню 3 дБ | offene Bandbreite |
| поразрядное голосование по правилу большинства | Majority-Voting (напр., "два из трёх") |
| предельная частота усиления по току в схеме с общей базой | a-Grenzfrequenz |
| предельная частота усиления по току в схеме с общей базой | α-Grenzfrequenz |
| предельная частота усиления по току в схеме с общей базой | Alphagrenzfrequenz |
| предельная частота усиления по току в схеме с общим эмиттером | β-Grenzfrequenz |
| предельная частота усиления по току в схеме с общим эмиттером | b-Grenzfrequenz |
| предельная частота усиления по току в схеме с общим эмиттером | Betagrenzfrequenz |
| преобразователь постоянного напряжения, выполненный по полумостовой схеме | Halbbrückenwandler |
| преобразователь постоянного напряжения, выполненный по схеме полного моста | Vollbrückenwandler |
| преобразователь постоянного напряжения, выполненный по схеме полумоста | Halbbrückenwandler |
| преобразователь постоянного напряжения с развязкой по напряжению от промежуточной шины питания | DC-Wandler mit Potentialtrennung |
| прерывание по вводу | Eingabe-Interrupt |
| прерывание по выводу | Ausgabe-Interrupt |
| прерывание по приоритету | Vorrangunterbrechung |
| прерывание по сбою | Fehlerunterbrechung |
| проектирование по методу "сверху вниз" | Top-down-Entwurf |
| проектирование по наихудшему случаю | Worst-Case-Design |
| производство по системе "точно по графику" | Just-in-Time-Fertigung |
| противовертолётная ракета с управлением по волоконно-оптическому кабелю | Fog-M-Abwehrrakete |
| противотанковая ракета с управлением по волоконно-оптическому кабелю | Fog-M-Abwehrrakete |
| одновременное противофазное управление по подложке | Substratgegensteuerung |
| протокол обмена по шине | Busprotokoll |
| прямое усиление по току при короткозамкнутом выходе | vorwärts |
| прямое усиление по току при короткозамкнутом выходе | Kurzschluss-Stromverstärkung |
| разветвление по выходу | Ausfächerung |
| разветвление по выходу | Auffächerung |
| развязка по напряжению | Potentialtrennung |
| резист для литографии по металлическим плёнкам | Metallätzsresist |
| самописец с записью параметров по координатам | X-Y-Koordinatenschreiber |
| самописец с записью параметров по координатам | X-Y X-Y-Schreiber |
| свет поляризованный по кругу | zirkulär polarisiertes Licht |
| связь по постоянному току | Gleichstromübertragung |
| сигнал, передаваемый по токовой петле | Stromschleifensignal |
| система с выбором по правилу большинства | Majoritätssystem |
| система с поразрядным голосованием по правилу большинства | Auswahlsystem |
| совместимость по выводам | Pin-Kompatibilität |
| совместимость по выводам | Anschlusskompatibilität |
| совместимость по разводке выводов | Pin-Kompatibilität |
| совместимость по разъёмам | Anschlusskompatibilität |
| совместимость по связям | Verbindungsverträglichkeit |
| совместимый по выводам | pin-kompatibel |
| совместимый по выводам | anschlusskompatibel |
| совместимый по разводке выводов | pin-kompatibel |
| совместимый по разъёмам | steckkompatibel |
| совместимый по разъёмам | anschlusskompatibel |
| совмещение и экспонирование по всему полю полупроводниковой пластины | Gesamtwaferjustierung |
| совмещение по высоте | Höhenjustierung |
| совмещение по оси X | Höhenjustierung |
| совмещение по углу | Winkeljustierung |
| согласование по уровням сигнала | Signalanpassung |
| сопротивление по Зинеру | Zener-Widerstand |
| сопротивление по Ценеру | Zener-Widerstand |
| сортировка кристаллов по толщине | Dickensortierung der Plättchen |
| сортировка пластин по толщине | Dickensortierung der Plättchen |
| стабилизатор напряжения со стабилизацией по ширине запрещённой зоны | Bandgap-Spannungsregler |
| стабильность по нагрузке | Lastunabhangigkeit (напр., источника напряжения) |
| техника передачи информации по световодам | Lichtleiterübertragungstechnik |
| точная установка промежуточного фотошаблона по углу поворота | Retikelausrichtung (относительно рисунка на пластине) |
| транзистор, включённый по двухтактной схеме | Gegentakttransistor |
| трассировка по сетке | On-Grid-Routing |
| триггер задержки с управляемым приёмом сигналов по одному входу | DV-Flipflop |
| управление по базе | Basisansteuerung |
| управление по напряжению | Spannungssteuerung |
| управление по осям X-Y | x-y-Ansteuerung |
| управление по подложке | Substratsteuerung |
| управление по току | Stromsteuerung |
| управление по уровню сигнала | Pegelsteuerung |
| управление по фронту сигнала | Flankensteuerung |
| усиление по переменному напряжению | Wechselspannungsverstärkung |
| усиление по переменному току | Wechselstromverstärkung |
| усиление по постоянному напряжению | Gleichspannungsverstärkung |
| усиление по постоянному току | Gleichstromverstärkung |
| усовершенствованная ИС со скрытым коллекторным слоем, выполненная по базовой технологии ASBC | ASBC-Schaltkreis |
| усовершенствованные КМОП ИС, выполненные по технологии FACT | FACT-Schaltungen |
| установка литографии по всему полю полупроводниковой пластины | Waferbelichtungsanlage |
| установка литографии по всему полю полупроводниковой пластины | Ganzscheibenbelichtungsanlage |
| установка по оси Z | z-Justierung |
| установка проекционной литографии по большому полю | Großfeldprojektionsbelichtungsanlage |
| точная установка промежуточного фотошаблона по углу поворота | Rotationseinstellung (относительно рисунка на пластине) |
| установка фотолитографии с экспонированием по всему полю полупроводниковой пластины | Waferbelichtungsanlage |
| устройство управления обменом данными по шине | Busmaster |
| устройство управления обменом данными по шине | Bus-Master |
| функция передачи по напряжению | Spannungsübertragungsfunktion |
| ЦАП, работающий по методу перераспределения заряда | Charge-Redistribution-DAC |
| цепь прерываний по приоритету | Interruptprioritatenkette |
| частичная дислокация по Шокли | Shokley-Versetzung |
| частичная дислокация по Шокли | Schockleysche unvollständige |
| частичная дислокация по Шокли | Schockleysche unvollständige Versetzung |
| частичная дислокация по Шокли | Versetzung |
| частота появления ошибок по байтам | Bytefehlerrate |
| частота появления ошибок по битам | Bitfehlerrate |
| частота среза по уровню 3дБ | Transitfrequenz |
| шина управления по оси Y | y-Ansteuerleitung |
| шина управления по оси X | x-Ansteuerleitung |
| экспонирование по всему полю полупроводниковой пластины | Waferbelichtung |
| экспонирование по всему полю полупроводниковой пластины | Gesamtwaferbelichtung |
| экспонирование по всему полю полупроводниковой пластины | Ganzscheibenbelichtung |
