| Subject | Russian | English |
| mil., avia. | активный запоминающий элемент | active storage element |
| tech. | аналоговый запоминающий элемент | analog memory element |
| media. | время, которое требуется запоминающему устройству для размещения элемента данных, записи или файла | rotational delay |
| el. | гистерезисный запоминающий элемент | hysteretic memory cell |
| IT | двоичный запоминающий элемент | bit storage cell |
| tech. | запоминающее устройство на бездырочных элементах | continuous sheet memory |
| tech. | запоминающее устройство на магнитных элементах | magnetic memory |
| IT | запоминающее устройство на сверхпроводящих элементах | superconductive storage |
| el. | запоминающее устройство на халькогенидных элементах памяти | chalcogenide memory (ssn) |
| tech. | запоминающее устройство на элементах Овшинского | ovonic memory |
| progr. | запоминающие элементы | storage elements (ssn) |
| el. | запоминающие элементы кристалла | memory elements on the chip (ssn) |
| el. | запоминающие элементы, расположенные по всему кристаллу | memory elements distributed over the chip (ssn) |
| progr. | запоминающие элементы системы | memory elements in the system (ssn) |
| Makarov. | запоминающий логический элемент | sequential element |
| Makarov. | запоминающий логический элемент | storage element |
| Makarov. | запоминающий логический элемент | memory element |
| Makarov. | запоминающий элемент | storage element (Not to be confused with storage register, storage location; Не путать с ячейкой памяти) |
| Makarov. | запоминающий элемент | memory element (Not to be confused with storage register, storage location; Не путать с ячейкой памяти) |
| automat. | запоминающий элемент | store cell |
| IT | запоминающий элемент | holding element |
| media. | запоминающий элемент | store element (обладающий некоторыми свойствами запоминания — электрическими, магнитными, акустическими и т.д.) |
| seism. | запоминающий элемент | memory unit |
| IT | запоминающий элемент | store element |
| IT | запоминающий элемент | storing device |
| IT | запоминающий элемент | memory cell |
| microel. | запоминающий элемент | charge-storage cell |
| O&G | запоминающий элемент | state element |
| oil | запоминающий элемент | storage element |
| tech. | запоминающий элемент | storage cell |
| tech. | запоминающий элемент | storage device |
| tech. | запоминающий элемент | memory element |
| Makarov. | запоминающий элемент | memory device |
| media. | запоминающий элемент в виде углублённой транзисторно-конденсаторной структуры | trench-transistor cell |
| IT | запоминающий элемент Гото | Goto-pair memory element |
| IT | запоминающий элемент динамического ЗУПВ с многослойной конденсаторно-транзисторной структурой | stacked capacitor cell |
| el. | запоминающий элемент Кроу | Crowe cell |
| el. | запоминающий элемент на аморфном полупроводнике | amorphous semiconductor memory device |
| el. | запоминающий элемент на магнитном туннельном переходе | magnetic tunnel junction memory cell |
| el. | запоминающий элемент на паре Гото | Goto-pair memory element |
| IT | запоминающий элемент на ПЗС | charge-coupled device storage element |
| IT | запоминающий элемент на приборах с зарядовой связью | charge-coupled device storage element |
| IT | запоминающий элемент на сплошной плёнке | continuous film cell |
| nano | запоминающий элемент на ультразвуковой ЛЗ | ultrasonic storage cell |
| el. | запоминающий элемент на ультразвуковой линии задержки | ultrasonic storage cell |
| tech. | запоминающий элемент находится в состоянии "0" | the storage cell is in a "0" state |
| tech. | запоминающий элемент находится в состоянии "0" | the memory cell is in a "0" state |
| el. | запоминающий элемент с гистерезисом | hysteretic memory cell |
| IT | запоминающий элемент, хранящий состояние | state element (моделируемой системы) |
| el. | Идеальным тактовым сигналом называется периодический сигнал, одновременно активизирующий различные запоминающие элементы кристалла | A perfect clock is defined as perfectly periodic signal that is simultaneous triggered at various memory elements on the chip (см. Digital Integrated Circuits – A Design Perspective 2/e by Jan M. Rabaey, Anantha Chandrakasan, Borivoje Nikolić 2003 ssn) |
| el. | криогенный запоминающий элемент | cryogenic memory cell |
| IT | криотронный запоминающий элемент | cryotron store element |
| automat. | кристаллический запоминающий элемент | crystal memory |
| IT | метастабильный запоминающий элемент | metastable memory element |
| IT | многопозиционный запоминающий элемент | multilevel storage device |
| el. | многоуровневый запоминающий элемент | multilevel storage device |
| IT | одноразрядный запоминающий элемент | single-bit storage cell (ssn) |
| mil., avia. | оперативное запоминающее устройство с произвольной выборкой с элементами искусственного интеллекта | intelligent random access memory |
| el. | периодический сигнал, одновременно активизирующий различные запоминающие элементы кристалла | periodic signal that is simultaneous triggered at various memory elements on the chip (ssn) |
| tech. | персистор Криогенный запоминающий элемент | persistor |
| mil., avia. | присоединённое запоминающее устройство на элементах с хранением заряда | merged charge memory |
| el. | различные запоминающие элементы кристалла | various memory elements on the chip (ssn) |
| IT | твиновский запоминающий элемент | Goto-pair memory element (на туннельных диодах) |
| IT | транзистор запоминающего элемента | cell transistor |
| el. | Требуемые функциональные возможности обеспечиваются путём наложения определённых строгих условий на генерацию тактовых сигналов и их доставку к запоминающим элементам, расположенным по всему кристаллу | Functionality is ensured by imposing some strict constraints on the generation of the clock signals and their distribution to the memory elements distributed over the chip (см. Digital Integrated Circuits – A Design Perspective 2/e by Jan M. Rabaey, Anantha Chandrakasan, Borivoje Nikolić 2003 ssn) |
| tech. | устанавливать запоминающий элемент в состояние "0" | set the storage cell to "0" state |
| tech. | устанавливать запоминающий элемент в состояние "0" | set the memory cell to a "0" state |
| Makarov. | устанавливать запоминающий элемент в состояние "0" или "1" | set the storage cell to a "0" or "1" state |
| Makarov. | устанавливать запоминающий элемент в состояние "0" или "1" | set the memory cell to a "0" or "1" state |
| house. | электрически стираемые однотранзисторные запоминающие элементы | split gates |
| media. | электрически стираемые однотранзисторные запоминающие элементы с расщеплённым затвором | split gates |
| IT | элемент запоминающего устройства | storage cell |
| astronaut. | элемент запоминающего устройства | memory element |
| IT | элемент запоминающего устройства | storage element |
| IT | элемент запоминающего устройства | memory cell |
| tech. | элемент запоминающего устройства | storage device |
| tech. | элемент запоминающего устройства на магнитных сердечниках | core storage element |
| IT, tech. | элемент запоминающего устройства на магнитных сердечниках | core storage element |
| telecom. | элемент мишени запоминающей ЭЛТ | storage element |
| comp. | элемент стекового запоминающего устройства типа FIFO | FIFO storage element |
| el. | элементы запоминающего устройства с произвольной выборкой для задания конфигурации ПЛИС | RAM configuration cells (ssn) |
| progr. | Эффективным и популярным способом реализации этого упорядочения является синхронный подход, при котором все запоминающие элементы системы обновляются одновременно с использованием глобального периодического синхронизирующего сигнала т.е. глобального тактового сигнала | the synchronous approach, in which all memory elements in the system are simultaneously updated using a globally distributed periodic synchronization signal that is, a global clock signal, represents an effective and popular way to enforce this ordering (см. Digital Integrated Circuits – A Design Perspective 2/e by Jan M. Rabaey, Anantha Chandrakasan, Borivoje Nikolić 2003) |
