| Subject | Russian | English |
| microel. | базовая промышленная МОП-технология | industry-standard MOS technology |
| Makarov. | би-МОП-технология | bi-MOS technology |
| el. | большинство логических устройств, реализованных по МОП-технологии | most logic devices in the MOS technology (ssn) |
| microel. | двухдиффузионная технология МОП ИС с самосовмещёнными затворами | self-aligned double-diffusion technique |
| el. | ИС, изготовленная по биполярной и МОП-технологии | bipolar-metal-oxide-semiconductor device |
| el. | ИС, изготовленная по биполярной и МОП-технологии | bi-mos device |
| comp. | n-канальная МОП-технология | n-channel MOS |
| comp. | n-канальная МОП-технология | NMOS technology |
| comp. | n-канальная МОП-технология | n-channel MOS technology |
| comp. | n-канальная МОП-технология | n-channel metal-oxide-semiconductor technology |
| tech. | комбинированная технология изготовления интегральных схем на биполярных и МОП-транзисторах | metal-oxide-semiconductor and bipolar technology |
| el. | комбинированная технология изготовления ИС на биполярных и МОП-транзисторах | metal-oxide-semiconductor and bipolar (technology) |
| tech. | комбинированная технология изготовления ИС на биполярных и МОП-транзисторах | bipolar-MOS process |
| tech. | комбинированная технология интегральных схем на биполярных и МОП-транзисторах | metal-oxide-semiconductor-bipolar |
| tech. | комбинированная технология ИС на биполярных и МОП-транзисторах | bipolar-MOS process |
| microel. | комбинированная технология ИС на биполярных и МОП-транзисторах | bimos technique |
| Makarov. | комбинированная технология изготовления ИС на биполярных и МОП-транзисторах | bi-MOS technology |
| comp. | комплементарная МОП-технология | CMOS technique |
| comp. | комплементарная МОП-технология | complementary MOS technique |
| comp. | комплементарная МОП-технология | CMOS |
| el. | логические устройства, реализованные по МОП-технологии | logic devices in the MOS technology (ssn) |
| el. | логическое устройство, реализованное по МОП-технологии | logic device in the MOS technology (ssn) |
| comp. | n-МОП технология | n-channel MOS |
| comp. | n-МОП технология | n-channel MOS technology |
| comp. | n-МОП технология | NMOS technology |
| comp. | n-МОП технология | n-channel metal-oxide-semiconductor technology |
| house. | МОП технология с биполярными структурами | bipolar-enhanced MOS |
| el. | МОП технология с четырёхкратным самосовмещением | quadruply self-aligned MOS |
| tech. | МОП-технология | metal-oxide-semiconductor technology (изготовления) |
| tech. | МОП-технология | MOS technology (изготовления) |
| tech. | МОП-технология | MOS process |
| tech. | МОП-технология | bi-FET technology (изготовления) |
| comp. | МОП-технология | metal-oxide semiconductor technology |
| tech. | МОП-технология | MOSFET process |
| comp. | МОП-технология | MOS technology |
| microel. | МОП-технология по промышленному стандарту | industrystandard MOS technology (ssn) |
| comp. | МОП-технология с обогащением активных элементов и обеднением нагрузок | enhancement depletion-load MOS technology |
| comp. | МОП-технология с обогащением активных элементов и обеднением нагрузок | ED-MOS |
| microel. | параметры МОП-технологии | mos-process characterization |
| el. | разновидность технологии МОП схем с низким пороговым напряжением | low voltage technology |
| comp. | технология высокопроизводительных n-канальных МОП-схем | high-performance n-channel MOS technology |
| comp. | технология высокопроизводительных n-канальных МОП-схем | high-performance MOS |
| tech. | технология двухдиффузионных МОП-структур | double-diffusion metal oxide semiconductor technology |
| tech. | технология двухдиффузионных МОП-структур | double-diffused MOS technology |
| el. | технология изготовления аналоговых ИС, по которой на одном кристалле размещаются биполярные и МОП транзисторы | bipolar-MOS |
| tech. | технология изготовления БИС на МОП-транзисторах | LSI MOS technology |
| tech. | технология изготовления высококачественных МОП ИС | high-performance metal-oxide-semiconductor |
| tech. | технология изготовления высококачественных МОП ИС | high-performance MOS |
| tech. | технология изготовления интегральная схема на биполярных и МОП-транзисторах | bipolar metal-oxide-semiconductor |
| tech. | технология изготовления интегральных схем на МОП-структурах | metal-oxide-semiconductor technology |
| tech. | технология изготовления интегральных схем на МОП-структурах | MOS technology |
| el. | технология изготовления ИС "вертикальной" структуры, в котором один общий затвор управляет n-и p-канальными МОП транзисторами | joint metal-oxide-semiconductor |
| el. | комбинированная технология изготовления ИС на биполярных и МОП-транзисторах | BIMOS |
| el. | комбинированная технология изготовления ИС на биполярных и МОП-транзисторах | bi-MOS |
| el. | комбинированная технология изготовления ИС на биполярных транзисторах и МОП-транзисторах с каналом n-типа | BINMOS |
| el. | комбинированная технология изготовления ИС на биполярных транзисторах и МОП-транзисторах с каналом n-типа | bi-NMOS |
| Makarov. | технология изготовления ИС на МОП-структурах методом двойной диффузии | D-MOS technology (double-diffused MOS technology) |
| Makarov. | технология изготовления ИС на МОП-структурах методом двойной диффузии | double-diffused MOS technology (D-MOS technology) |
| Makarov. | технология изготовления ИС на МОП-структурах с V-образными канавками | V-groove MOS V-MOS technology |
| Makarov. | технология изготовления ИС на МОП-структурах с V-образными канавками | V-MOS V-groove MOS technology |
| comp. | технология изготовления n-канальных МОП-схем с кремниевыми затворами | n-channel silicon gate MOS technology |
| el. | технология изготовления n-канальных полевых МОП транзисторов, использующая два избыточных этапа маскирования | n-channel enhancement depletion technology |
| el. | технология изготовления комплементарных МОП-схем | complementary MOS |
| tech. | технология изготовления МОП интегральных схем с толстым защитным слоем оксида кремния | local oxidation of silicon |
| Makarov. | технология изготовления МОП ИС методом двойной диффузии | D-MOS technology (double-diffused MOS technology) |
| Makarov. | технология изготовления МОП ИС методом двойной диффузии | double-diffused MOS technology (D-MOS technology) |
| tech. | технология изготовления МОП ИС с кремниевыми затворами | silicon-gate technology |
| Makarov. | технология изготовления МОП ИС с V-образными канавками | V-groove MOS V-MOS technology |
| Makarov. | технология изготовления МОП ИС с V-образными канавками | V-MOS V-groove MOS technology |
| transp. | технология изготовления МОП ИС с поликремниевыми затворами | polysilicon-gate isolation technology |
| tech. | технология изготовления МОП ИС с поликремниевыми затворами | polysilicon-gate technology |
| tech. | технология изготовления МОП ИС с самосовмещёнными поликремниевыми затворами | polysilicon self-aligned technology |
| el. | технология изготовления МОП ИС с толстым защитным слоем оксида кремния | local oxidation of silicon |
| el. | технология изготовления МОП структур методом двойной диффузии | double-diffusion MOS technology |
| el. | технология изготовления МОП схем с изоляцией затвора толстым слоем нитрида кремния | metal thick nitride silicon |
| tech. | технология изготовления МОП-структур методом двойной диффузии | double-diffused MOS technology |
| tech. | технология изготовления МОП-структур методом двойной диффузии | double-diffusion metal oxide semiconductor technology |
| comp. | технология изготовления МОП-структур методом двойной диффузии | double diffusion MOS technology |
| tech. | технология изготовления МОП-структур с высокой плотностью упаковки | high-density MOS technology |
| tech. | технология изготовления МОП-структур с двойной диффузией | double-diffused MOS technology |
| IT | технология изготовления МОП-структур с двойной диффузией | double-diffusion metal oxide semiconductor technology |
| gen. | технология изготовления МОП-структур с двойной диффузией | DMOST |
| IT | технология изготовления МОП-схем | MOS technology |
| el. | технология изготовления МОП-схем с толстым оксидным изолирующим слоем | metal thick oxide silicon |
| tech. | технология изготовления МОП-транзисторов со скрытым каналом | buried-channel MOS technology |
| el. | технология изготовления схем на МОП-структурах | metal-oxide-semiconductor technology |
| el. | технология изготовления энергонезависимого ЗУ на МОП транзисторах с плавающим затвором и лавинной инжекцией электронов через окисел затвора от специального диода | dual-injector floating gate MOS |
| tech. | технология интегральных схем на биполярных и МОП-транзисторах с кремниевым затвором | silicon-gate MOS bipolar technology |
| el. | технология ИС на биполярных и МОП-транзисторах | bipolar mos technology |
| microel. | технология ИС на биполярных и МОП-транзисторах | bimos technology |
| microel. | технология ИС на биполярных и МОП-транзисторах | bi-mos technology |
| tech. | технология ИС на биполярных и МОП-транзисторах | bi-FET technology |
| Makarov. | технология ИС на МОП-структурах методом двойной диффузии | D-MOS technology (double-diffused MOS technology) |
| Makarov. | технология ИС на МОП-структурах методом двойной диффузии | double-diffused MOS technology (D-MOS technology) |
| Makarov. | технология ИС на МОП-структурах с V-образными канавками | V-groove MOS V-MOS technology |
| Makarov. | технология ИС на МОП-структурах с V-образными канавками | V-MOS V-groove MOS technology |
| el. | технология ИС на МОП-транзисторах с плавающими кремниевыми затворами | floating-gate silicon process |
| el. | технология n-канальных МОП ИС | nmos technology |
| tech. | технология p-канальных МОП ИС | p-channel technology (изготовления) |
| tech. | технология n-канальных МОП ИС | n-channel technology (изготовления) |
| tech. | технология комплементарных МОП ИС | complementary metal-oxide-semiconductor technology |
| microel. | технология комплементарных МОП ИС | CMOS technique |
| Makarov. | технология изготовления комплементарных МОП ИС | complementary metal-dielectric technology |
| tech. | технология комплементарных МОП ИС | CMDS technology |
| Makarov. | технология изготовления комплементарных МОП ИС | CMOS technology |
| microel. | технология масштабированных ионно-легированных n-моп ИС | scaled poly 5 process |
| mil., avia. | технология МОП интегральной схемы с низким пороговым напряжением | low-voltage technology |
| tech. | технология МОП интегральных схем с кремниевым затвором | silicon-gate-technology |
| microel. | технология p-моп ИС | p-channel technology |
| microel. | технология n-моп ИС | n-channel technology |
| Makarov. | технология МОП ИС методом двойной диффузии | D-MOS technology (double-diffused MOS technology) |
| Makarov. | технология МОП ИС методом двойной диффузии | double-diffused MOS technology (D-MOS technology) |
| microel. | технология МОП ИС с двумя слоями поликристаллического | poly-squared MOS process |
| el. | технология МОП ИС с двухуровневыми поликремниевыми затворами | double poly mos process |
| microel. | технология МОП ИС с двухуровневыми поликремниевыми затворами | double-layer polysilicon gate portion |
| microel. | технология МОП ИС с затворами из тугоплавкого металла | refractory metal process |
| microel. | технология МОП ИС с и – образными канавками | v-groove process |
| microel. | технология МОП ИС с и-образными канавками | v-groove technology |
| gen. | технология изготовления МОП ИС с кремниевыми затворами | silicon-gate technology |
| tech. | технология МОП ИС с кремниевыми затворами | silicon-gate MOS process (поли) |
| tech. | технология МОП ИС с кремниевыми затворами | silicon-gate process (поли) |
| tech. | технология МОП ИС с кремниевыми затворами | silicon-gate technology (изготовления) |
| microel. | технология p-моп ИС с кремниевыми затворами | p-channel si-gate technology |
| microel. | технология МОП ИС с металлическими затворами | metal-gate process |
| microel. | технология МОП ИС с молибденовыми затворами | mo-gate process |
| microel. | технология МОП ИС с нагрузочными резисторами поликристаллического | polysilicon-load technology |
| tech. | технология МОП ИС с низкий пороговым напряжением | low-voltage technology |
| Gruzovik, scient. | технология МОП ИС с низким пороговым напряжением | LVT (low-voltage technology) |
| microel. | технология МОП ИС с низким пороговым напряжением | low vt process |
| Makarov. | технология МОП ИС с V-образными канавками | V-groove MOS V-MOS technology |
| Makarov. | технология МОП ИС с V-образными канавками | V-MOS V-groove MOS technology |
| microel. | технология МОП ИС с одним поликремниевым затвором | single poly process |
| microel. | технология МОП ИС с плавающими кремниевыми затворами | floating-gate silicon process |
| microel. | технология МОП ИС с поликремниевыми затворами | polysilicon-gate technology |
| microel. | технология МОП ИС с поликремниевыми затворами | silicon-gate technology |
| microel. | технология МОП ИС с поликремниевыми затворами | poly-si process |
| microel. | технология МОП ИС с поликремниевыми затворами | polysilicon-gate process |
| tech. | технология МОП ИС с поликремниевыми затворами | polysilicon-gate isolation technology (изготовления) |
| Makarov. | технология МОП ИС с поликремниевыми затворами | silicon-gate MOS process |
| microel. | технология МОП ИС с самосовмещёнными двухслойными затворами | stalicide process |
| microel. | технология МОП ИС с самосовмещёнными диффузионными областями | self-aligned source-drain diffusion technology |
| microel. | технология МОП ИС с самосовмещёнными затворами | self-registered process |
| microel. | технология МОП ИС с самосовмещёнными затворами | self-aligned process |
| microel. | технология МОП ИС с самосовмещёнными затворами поликристаллического | psa technology |
| microel. | технология МОП ИС с самосовмещёнными затворами поликристаллического кремния | polysilicon self-aligned technology |
| Gruzovik, scient. | технология МОП ИС с самосовмещёнными областями | MSA (metal self-aligned process) |
| tech. | технология МОП ИС с самосовмещёнными поликремниевыми затворами | polysilicon self-aligned technology (изготовления) |
| Makarov. | технология МОП ИС с толстым защитным слоем оксида кремния | local oxidation of silicon (LOCOS) |
| microel. | технология МОП ИС с тремя слоями поликристаллического кремния | triply-poly process |
| comp. | технология n-МОП схем с кремниевыми затворами и высокой плотностью упаковки | high-density n-channel silicon-gate MOS technology |
| comp. | технология n-МОП схем с кремниевыми затворами и высокой плотностью упаковки | HMOS technology |
| tech. | технология n-МОП-БИС с металлическими самосовмещёнными затворами и поликремнёвыми соединениями | self-aligned, polysilicon interconnect N-channel process |
| tech. | технология МОП-ИС с самосовмещённым затвором и толстым оксидным слоем | self-aligned thick-oxide process |
| tech. | технология МОП-ИС с самосовмещёнными затворами | self-registered gate |
| microel. | технология МОП-структур | MOS technology |
| microel. | технология МОП-структур | MOS processing |
| tech. | технология МОП-структур с двумя слоями поликристаллического кремния | double-layer polysilicon technique |
| tech. | технология МОП-транзисторов со скрытым каналом | buried channel MOS technology (изготовления) |
| media. | технология погружённых МОП-транзисторов | merged MOS |
| el. | технология производства высококачественных МОП-транзисторов | high-performance MOS technology |
| tech. | технология производства интегральных схем на комплементарных МОП-транзисторах | complementary MOS technology |
| tech. | технология производства интегральных схем по комплементарной МОП-технологии с двумя слоями поликристаллического кремния | double-polysilicon complementary metal-oxide semiconductor technology |
| tech. | технология производства МОП БИС фирмы "Телефункен" | Telefunken MOS process |
| tech. | технология производства схем на МОП-структурах с V-образными канавками | V-groove MOS technology |
| el. | усовершенствованная технология МОП ИС с поликремниевыми затворами | advanced polysilicon self-aligned process |
| Gruzovik, scient. | усовершенствованная технология МОП ИС с самосовмещёнными поликремниевыми затворами | APSA (advanced polysilicon self-aligned (process)) |
| tech. | усовершенствованная технология МОП-ИС с самосовмещёнными поликремнёвыми затворами | advanced polysilicon self-aligned process |
| microel. | характеристики МОП-технологии | mos-process characterization |
| tech. | четырёхкратная саморегулирующаяся МОП-технология | quadruple self-aligned MOS technology (QSA MOS) |
