| Russian | English |
| взаимное легирование | cross-doping |
| геттерирование методом ионного легирования | implantation gettering |
| геттерирование с диффузионным легированием | diffusion gettering |
| диффузионное легирование | diffusion alloying |
| избирательное легирование | selective doping |
| избыточное легирование | overdoping |
| избыточное легирование | overalloying |
| избыточное легирование | over-alloying |
| ионное легирование | implantation process (примесей) |
| ионное легирование | ion implantation doping |
| ионное легирование | ion-beam implantation |
| ионное легирование | implant |
| ионное легирование | ion implantation process |
| ионное легирование | implantation doping |
| ионное легирование | implantation |
| ионное легирование | ion-implantation process |
| ионное легирование | ion implantation |
| ионное легирование | implant doping |
| компенсирующее легирование | counterdoping (примесью противоположного типа проводимости) |
| компенсирующее легирование | counter doping (примесью противоположного типа проводимости) |
| легирование атомами примеси | doping of impurity atoms |
| легирование в вакуумной камере | chamber alloying |
| легирование в печи | furnace alloying |
| легирование затвора | gate doping |
| легирование кремния | doping of silicon |
| легирование методом ионного внедрения | ion-implanted doping |
| легирование мышьяком | arsenic doping |
| легирование подложки | substrate doping |
| легирование примесями, уменьшающими время жизни неосновных носителей заряда | lefetime killer doping |
| логическая интегральная схема, изготовленная методом легирования золотом | gold-transistor logic |
| маска для легирования | doping mask |
| маска для селективного легирования | selective mask |
| модулированное легирование | modulation doping |
| морфология выделений при легировании | doping-precipitated morphology |
| нейтронное радиационное легирование | neutron transmutation doping |
| непосредственное легирование | direct doping |
| оборудование для легирования | doping equipment |
| однородность легирования | doping uniformity (профиля) |
| однородность профиля легирования | doping uniformity |
| перекрёстное легирование | cross-doping |
| переход, полученный методом двойного легирования | double-doped junction |
| переход, полученный методом легирования | doped junction (в процессе роста кристалла) |
| переход со ступенчатым профилем легирования | low--high junction |
| переход со ступенчатым профилем легирования | low-high junction (напр., переходы типа p-p^, n-n^) |
| переход со ступенчатым профилем легирования | lo-hi junction (напр., переходы типа p-p^, n-n^) |
| переход со ступенчатым профилем легирования | high-low junction (напр., переходы типа n^-n, p^-p) |
| предварительное легирование | predoping |
| процесс "холодного" легирования | cold-doping process |
| процесс "холодного" легирования | cold doping process |
| прямое легирование | direct doping |
| регулируемое легирование | controlled doping |
| регулируемое легирование | control doping |
| селективное легирование | selective doping |
| сильное легирование | high doping |
| сильное легирование | heavy doping |
| слабое легирование | light doping |
| способ легирования | doping technique |
| степень легирования | doping level |
| термодиффузионное поверхностное легирование | thermal-diffusion surface alloying (bonly) |
| технология ионного легирования | ion implantation technique |
| транзистор двойного легирования | double-doped transistor |
| управляемое легирование, регулируемое легирование | controlled doping |
| управляемое легирование, регулируемое легирование | control doping |
| уровень легирования | doping level |
| установка ионного легирования | ion implantation |
| установка ионного легирования | ion-beam implantation |
| установка ионного легирования | implanter |
| установка легирования | doper |
| фоновое легирование | background doping |
| электроискрового легирования | electrospark doping (Друля) |
