| Russian | English |
| биполярно-полевой МОП-транзистор | bipolar MOS-field-effect transistor |
| БИС на МОП-транзисторах | metal-oxide-semiconductor large-scale integrated circuit |
| БИС на МОП-транзисторах | MOS large-scale integrated circuit |
| горизонтальный МОП-транзистор, изготовленный методом двойной диффузии | lateral double-diffused MOS transistor |
| двухдиффузионный МОП-транзистор | double diffused metal-oxide-semiconductor |
| двухдиффузионный МОП-транзистор | double-diffused MOS |
| двухдиффузионный МОП-транзистор | double-diffused MOS transistor |
| динамическая интегральная схема на комплементарных МОП-транзисторах | dynamic complementary MOS |
| динамическая интегральная схема на комплементарных МОП-транзисторах | dynamic CMOS |
| ионно-имплантированный МОП-транзистор | total implanted MOS transistor |
| ИС на полевых МОП-транзисторах | MOS FET integrated circuit |
| p-канальный МОП-транзистор | p-channel metal oxide semiconductor |
| канальный полевой униполярный МОП-транзистор | metal oxide semiconductor field effect transistor |
| канальный полевой униполярный МОП-транзистор | MOS field-effect transistor |
| комбинированная интегральная схема на биполярных и МОП-транзисторах | bipolar metal-oxide-semiconductor circuit |
| комбинированная технология изготовления интегральных схем на биполярных и МОП-транзисторах | metal-oxide-semiconductor and bipolar technology |
| комбинированная технология изготовления ИС на биполярных и МОП-транзисторах | bipolar-MOS process |
| комбинированная технология интегральных схем на биполярных и МОП-транзисторах | metal-oxide-semiconductor-bipolar |
| комбинированная технология ИС на биполярных и МОП-транзисторах | bipolar-MOS process |
| лавинно-инжекционный МОП-транзистор с плавающим затвором | floating gate avalanche injection metal-oxide-semiconductor |
| логические ИС на МОП-транзисторах | metal-oxide-semiconductor transistor logic |
| логические ИС на МОП-транзисторах | MOS transistor logic |
| логические схемы на комплементарных МОП-транзисторах | complementary MOS logic |
| логические схемы на МОП-транзисторах | metal-oxide-semiconductor transistor logic |
| логические схемы на МОП-транзисторах | MOS transistor logic |
| матричная БИС на МОП-транзисторах | metal-oxide-semiconductor array integral circuit |
| матричная БИС на МОП-транзисторах | MOS array integrated circuit |
| МОП ИС на биполярных и полевых транзисторах | bipolar MOS FET |
| МОП-транзистор | metal-nitride-oxide-semiconductor transistor |
| МОП-транзистор | metal-oxide-semiconductor FET |
| МОП-транзистор | MOS transistor |
| МОП-транзистор | MOS device |
| n-МОП-транзистор | n-channel MOS transistor |
| МОП-транзистор, изготовленный методом двойной диффузии | double-diffused MOS |
| МОП-транзистор, изготовленный методом двойной диффузии | double-diffused MOS transistor |
| МОП-транзистор, изготовленный методом двойной диффузии | double diffused metal-oxide-semiconductor |
| МОП-транзистор на основных носителях | accumulation MOSFET |
| МОП-транзистор, работающий в режиме обеднения | depletion MOS |
| МОП-транзистор, работающий в режиме обогащения | enhancement-mode metal-oxide-semiconductor field-effect transistor |
| МОП-транзистор, работающий в режиме обогащения | enhancement MOS FET |
| МОП-транзистор, работающий в режиме обогащения | enhancement MOS |
| МОП-транзистор с анодированным затвором | anodized MOSFET |
| МОП-транзистор с анодно-оксидированным изолирующим слоем | anodized MOSFET |
| МОП-транзистор с горизонтальным каналом | lateral MOSFET |
| МОП-транзистор с двойным поликремниевым затвором | double-polysilicon MOS transistor |
| МОП-транзистор с двойным поликремниевым затвором | double-poly MOS transistor |
| МОП-транзистор с длинным каналом | long MOS |
| МОП-транзистор с каналом р-типа | p-channel MOS transistor |
| МОП-транзистор с каналом n- типа | n-channel MOS transistor |
| МОП-транзистор с каналом p- типа | p-channel MOS transistor |
| МОП-транзистор с каналом n-типа | n-type metal-oxide-semiconductor transistor |
| МОП-транзистор с каналом n-типа | n-channel MOS transistor |
| МОП-транзистор с кремниевым затвором | silicon-insulated-gate FET |
| МОП-транзистор с кремниевым затвором | silicon-gate MOS transistor |
| МОП-транзистор с накоплением заряда | accumulation MOSFET |
| МОП-транзистор с v- образной канавкой | V-groove MOS transistor |
| МОП-транзистор с V-образной канавкой | V-groove MOS transistor |
| МОП-транзистор с V-образной канавкой | V- MOS transistor |
| МОП-транзистор с "плавающим" затвором и лавинной инжекцией заряда | floating gate avalanche injection metal-oxide-semiconductor |
| МОП-транзистор с регулируемым пороговым напряжением | adjustable threshold MOS |
| МОП-транзистор с тугоплавким электродом затвора | refractory MOS transistor |
| МОП-транзистор с углублённым оксидом | buried-oxide MOS transistor |
| МОП-транзистор с управляющим p-n- переходом | bipolar MOSFET |
| МОП-транзистор с управляющим p-n- переходом | bipolar MOS-field-effect transistor |
| МОП-транзистор с управляющим p-n- переходом | bipolar MOS field-effect transistor |
| МОП-транзистор с управляющим p-n переходом | bipolar function MOSFET |
| МОП-транзистор со сложной геометрией | maze-geometry MOS transistor |
| МОП-транзисторы, работающие в режиме обогащения и обеднения | enhancement/depletion MOS |
| МОП-транзисторы с управляющим p-n переходом | junction gate MOSFET |
| мощный МОП-транзистор с вертикальной геометрией и V-образной канавкой | V-groove vertical-geometry power MOS transistor |
| обедненный МОП-транзистор | depletion MOS |
| обеднённый МОП-транзистор | depletion MOS transistor |
| обогащённый МОП-транзистор | enhancement MOS transistor |
| обогащённый МОП-транзистор | enhancement MOS |
| объединение биполярных и МОП-транзисторов на одном кристалле | right-scale integration |
| полевой МОП транзистор | metallic-oxide semiconductor field-effect transistor |
| полевой МОП-транзистор | MOS field-effect transistor |
| полевой МОП-транзистор | metal oxide semiconductor field effect transistor |
| полевой МОП-транзистор, изготовленный методом двойной ионной имплантации | double-implanted metal-oxide-semiconductor field-effect transistor |
| полевой МОП-транзистор, работающий в режиме обогащения | enhancement-mode metal-oxide-semiconductor field-effect transistor |
| полевой МОП-транзистор, работающий в режиме обогащения | enhancement MOS FET |
| полевой МОП-транзистор с вертикальной структурой | vertical MOS field-effect transistor |
| полевой МОП-транзистор, чувствительный к инфракрасному излучению | infrared sensing metal-oxide-semiconductor field-effect transistor |
| полевой транзистор с МОП структурой затвора | metal oxide semiconductor field effect transistor |
| полевой транзистор с МОП структурой затвора | MOS field-effect transistor |
| полевой транзистор с МОП-структурой, образованной анодированием металла | anodized MOSFET |
| прибор на биполярных и МОП-транзисторах | bipolar metal-oxide-semiconductor |
| р-МОП-транзистор | p-channel MOS transistor |
| синхронизированная ИС на комплементарных МОП-транзисторах | clocked complementary metal-oxide-semiconductor |
| синхронизированная ИС на комплементарных МОП-транзисторах | clocked complementary MOS |
| схема на МОП-транзисторах с обедненными нагрузками | enhancement-depletion MOS (обогащённых) |
| технология изготовления БИС на МОП-транзисторах | LSI MOS technology |
| технология изготовления интегральная схема на биполярных и МОП-транзисторах | bipolar metal-oxide-semiconductor |
| технология изготовления МОП-транзисторов со скрытым каналом | buried-channel MOS technology |
| технология интегральных схем на биполярных и МОП-транзисторах с кремниевым затвором | silicon-gate MOS bipolar technology |
| технология ИС на биполярных и МОП-транзисторах | bi-FET technology |
| технология МОП-транзисторов со скрытым каналом | buried channel MOS technology (изготовления) |
| технология производства интегральных схем на комплементарных МОП-транзисторах | complementary MOS technology |
| транзистор с МОП-структурой | MOS transistor |
