| Russian | English |
| автоматизированная моделирующая установка для проектирования МОП ПС | computer analysis and simulation MOS circuits (CAS MOS) |
| биполярная МОП-структура | bipolar MOS |
| биполярно-полевой МОП-транзистор | bipolar MOS-field-effect transistor |
| БИС на МОП-структурах | metal-oxide-semiconductor large-scale integration circuit |
| БИС на МОП-транзисторах | metal-oxide-semiconductor large-scale integrated circuit |
| БИС на МОП-транзисторах | MOS large-scale integrated circuit |
| большая интегральная схема на МОП-структурах | large-scale integration circuit metal-oxide-semiconductor |
| быстродействующая комплементарная МОП-структура | high-speed CMOS (HS CMOS) |
| быстродействующая МОП-схема | high-speed metal oxide semiconductor |
| быстродействующий МОП-прибор | high-speed metal oxide semiconductor |
| вертикальная МОП-структура | transverse MOS |
| вертикальная МОП-структура | vertical metal-oxide semiconductor |
| выскокачественная МОП-структура | HMOS structure |
| выскокачественная МОП-структура | high-performance MOS structure |
| высоковольтная МОП-структура | high-voltage MOS |
| высококачественная МОП-структура | high-performance metal-oxide-semiconductor |
| высококачественная МОП-структура | high-performance MOS |
| высокопороговая МОП-структура | high-threshold MOS |
| горизонтальный МОП-транзистор, изготовленный методом двойной диффузии | lateral double-diffused MOS transistor |
| двухдиффузионная вертикальная МОП-структура | vertical double-diffused metal oxide-semiconductor (MOS) |
| двухдиффузионная МОП-структура | double-diffused MOS transistor |
| двухдиффузионная МОП-структура | double-diffused MOS |
| двухдиффузионная МОП-структура | double diffused metal-oxide-semiconductor |
| двухдиффузионная МОП структура с V-образной канавкой | V-groove double-diffused metal-oxide-semiconductor (MOS) |
| двухдиффузионный МОП-транзистор | double diffused metal-oxide-semiconductor |
| двухдиффузионный МОП-транзистор | double-diffused MOS |
| двухдиффузионный МОП-транзистор | double-diffused MOS transistor |
| динамическая интегральная схема на комплементарных МОП-транзисторах | dynamic complementary MOS |
| динамическая интегральная схема на комплементарных МОП-транзисторах | dynamic CMOS |
| динамическая комплементарная МОП-структура | dynamic CMOS |
| диффузионная МОП-структура с самосовмещением | diffusion self-aligned MOS |
| дополняющая МОП-структура | complementary MOS |
| дополняющая МОП-структура | complementary MOS structure |
| заказная МОП ИС | customer organized MOS integrated circuit |
| запоминающая МОП-структура с лучевой адресацией | beam addressable MOS memory |
| запоминающая МОП-структура с лучевой адресацией | beam addressed MOS |
| запоминающая МОП-структура с лучевой адресацией | beam accessed metal-oxide-semiconductor |
| запоминающее устройство на комплементарных МОП-приборах | complementary MOS memory |
| ЗУ на комплементарных МОП-приборах | complementary MOS memory |
| измерение воздействия радиации на комплементарные приборы с МОП-структурой | CMOS radiation effects measurement |
| инжекционная МОП-структура с многоуровневыми затворами | stacked-gate injection MOS |
| ионно-имплантированный МОП-транзистор | total implanted MOS transistor |
| ИС на полевых МОП-транзисторах | MOS FET integrated circuit |
| n-канальная МОП-структура | n-channel MOS |
| p-канальная МОП-структура | p-channel MOS |
| n-канальная МОП-структура | n-MOS structure |
| p-канальная МОП-структура | p-channel metal oxide semiconductor |
| p-канальная МОП-структура | p-MOS structure |
| n-канальная МОП-структура | n-channel metal-oxide-semiconductor |
| p-канальный МОП-прибор | p-channel metal oxide semiconductor |
| n-канальный МОП-прибор | n-channel metal-oxide-semiconductor |
| n-канальный МОП-прибор с экранирующей сеткой | screen-grid N-channel MOS |
| p-канальный МОП-транзистор | p-channel metal oxide semiconductor |
| канальный полевой униполярный МОП-транзистор | metal oxide semiconductor field effect transistor |
| канальный полевой униполярный МОП-транзистор | MOS field-effect transistor |
| комбинированная интегральная схема на биполярных и МОП-транзисторах | bipolar metal-oxide-semiconductor circuit |
| комбинированная технология изготовления интегральных схем на биполярных и МОП-транзисторах | metal-oxide-semiconductor and bipolar technology |
| комбинированная технология изготовления ИС на биполярных и МОП-транзисторах | bipolar-MOS process |
| комбинированная технология интегральных схем на биполярных и МОП-транзисторах | metal-oxide-semiconductor-bipolar |
| комбинированная технология ИС на биполярных и МОП-транзисторах | bipolar-MOS process |
| комплементарная МОП интегральная схема с изолированными кремниевыми затворами | isolated silicon-gate CMOS process (ISO CMOS) |
| комплементарная МОП интегральная схема с местной оксидной изоляцией | local-oxidation complementary MOS |
| комплементарная МОП интегральная схема с местной оксидной изоляцией | local oxidation MOS |
| комплементарная МОП-логика | complementary MOS logic |
| комплементарная МОП-структура | complementary symmetric MOS |
| комплементарная МОП-структура | complementary symmetrical metal-oxide-semiconductor structure |
| комплементарная МОП-структура | complementary metal-oxide semiconductor |
| комплементарная МОП-структура | complementary MOS |
| комплементарная МОП-структура | complementary symmetry metal-oxide-semiconductor |
| комплементарная МОП-структура | complementary MOS structure |
| комплементарная МОП-структура на сапфировой подложке | silicon-on-sapphire complementary metal-oxide semiconductor |
| комплементарная МОП-структура на сапфировой подложке | silicon-on-sapphire complementary MOS |
| комплементарная МОП-структура с высокой плотностью компоновки | high-density complementary metal-oxide-semiconductor |
| комплементарная МОП-структура с высокой плотностью упаковки | high-density complementary MOS |
| комплементарная МОП-структура с высокой плотностью упаковки | high density complementary metal-oxide-semiconductor |
| комплементарная МОП-структура с высокой плотностью упаковки элементов | high-density complementary metal-oxide-semiconductor |
| комплементарная МОП-структура с высокой плотностью упаковки элементов | high-density complementary MOS |
| комплементарная МОП-структура с диэлектрической изоляцией | dielectric-isolated complementary MOS |
| комплементарная МОП-структура с многоуровневыми затворами | stacked complementary MOS |
| комплементарная МОП-структура фирмы "Хитачи" | Hitachi complementary MOS |
| комплементарная симметричная МОП-структура | complementary symmetric MOS |
| комплементарная симметричная МОП-структура | complementary symmetry metal-oxide-semiconductor |
| комплементарная симметричная МОП-структура | complementary symmetrical metal-oxide-semiconductor structure |
| комплементарные МОП интегральные схемы с изоляцией p-n-переходами | junction-insulation CMOS |
| кремний-сапфировая МОП-структура | silicon-on-sapphire complementary metal-oxide semiconductor |
| кремний-сапфировая МОП-структура | silicon-on-sapphire complementary MOS |
| лавинно-инжекционная МОП-структура с многослойным затвором | stacked-gate avalanche-injection metal-oxide-semiconductor |
| лавинно-инжекционная МОП-структура с многослойным затвором | stacked-gate avalanche injection MOS |
| лавинно-инжекционная МОП-структура с многоуровневыми затворами | stacked-gate avalanche-injection metal-oxide-semiconductor |
| лавинно-инжекционная МОП-структура с многоуровневыми затворами | stacked-gate avalanche injection MOS |
| лавинно-инжекционная МОП-структура с плавающим затвором и электрическим стиранием информации | electrically erasable floating-gate avalanche injection MOS structure |
| лавинно-инжекционная МОП-структура с плавающими затворами | floating gate avalanche injection metal-oxide-semiconductor |
| лавинно-инжекционная МОП-структура с плавающими затворами | floating-gate avalanche injection MOS |
| лавинно-инжекционный МОП-прибор с плавающим затвором | floating gate avalanche injection metal-oxide-semiconductor |
| лавинно-инжекционный МОП-транзистор с плавающим затвором | floating gate avalanche injection metal-oxide-semiconductor |
| логическая МОП-структура со скрытой нагрузкой | buried load logic MOS |
| логические ИС на МОП-транзисторах | metal-oxide-semiconductor transistor logic |
| логические ИС на МОП-транзисторах | MOS transistor logic |
| логические МОП ИС | metal-oxide-semiconductor transistor logic |
| логические МОП ИС | MOS transistor logic |
| логические схемы на комплементарных МОП-транзисторах | complementary MOS logic |
| логические схемы на МОП-транзисторах | metal-oxide-semiconductor transistor logic |
| логические схемы на МОП-транзисторах | MOS transistor logic |
| матричная БИС на МОП-транзисторах | metal-oxide-semiconductor array integral circuit |
| матричная БИС на МОП-транзисторах | MOS array integrated circuit |
| матричная МОП БИС | metal-oxide-semiconductor array integral circuit |
| матричная МОП БИС | MOS array integrated circuit |
| матричная МОП ИС | MOS array |
| микропроцессор на МОП-структурах | MOS microprocessor |
| многостоковая МОП-структура | multidrain MOS |
| МОП запоминающее устройство с адресацией по лучу | beam addressable MOS memory |
| МОП запоминающее устройство с адресацией по лучу | beam addressed MOS |
| МОП запоминающее устройство с адресацией по лучу | beam accessed metal-oxide-semiconductor |
| n-МОП интегральная схема, выполненная методом ионной имплантации | ion-implanted n-type MOS (IIN MOS) |
| МОП ИС на биполярных и полевых транзисторах | bipolar MOS FET |
| МОП ИС с высокими эксплуатационными характеристиками | high-performance metal-oxide-semiconductor |
| МОП ИС с высокими эксплуатационными характеристиками | high-performance MOS |
| МОП конденсатор | metal oxide semiconductor capacitor |
| МОП-конденсатор | MOS-capacitor |
| МОП-логика | MOS logic |
| МОП-матрица | MOS array |
| МОП-прибор | MOS device |
| МОП-прибор с каналом p-типа | p-type metal-oxide-semiconductor |
| МОП-прибор с каналом n-типа | n-channel metal-oxide-semiconductor |
| МОП-приборы с плавающими затвором и двумя инжекторами | dual-injection floating-gate MOS (DIF MOS) |
| МОП-резистор | metal-oxide-semiconductor resistor |
| n-МОП-структура | n-channel metal-oxide-semiconductor |
| МОП-структура | MOS |
| МОП-структура | p-channel MOS p- (канальная) |
| МОП-структура | metal oxide semiconductor |
| МОП-структура | p-MOS structure p |
| МОП-структура | metal-oxide-semiconductor structure |
| МОП-структура, изготовленная методом двойной диффузии | double-diffused MOS transistor |
| МОП-структура, изготовленная методом двойной диффузии | double-diffused MOS |
| МОП-структура, изготовленная методом двойной диффузии | double diffused metal-oxide-semiconductor |
| МОП-структура, изготовленная методом двойной ионной имплантации | double-implanted MOS |
| МОП-структура, изготовленная методом ионной имплантации | ion-metal-oxide-semiconductor |
| МОП-структура, изготовленная методом ионной имплантации | ion implanted MOS |
| МОП структура "кремний на сапфире" | metal-oxide-semiconductor/silicon-on-sapphire |
| МОП структура "кремний на сапфире" | MOS silicon-on-sapphire |
| МОП-структура кремний-алюминий | silicon and aluminium MOS |
| МОП-структура на сапфире | metal-oxide-semiconductor/silicon-on-sapphire |
| МОП-структура на сапфире | MOS silicon-on-sapphire |
| МОП-структура, образованная анодированием металла | anodized MOS |
| МОП-структура, работающая в режиме обогащения | enhancement MOS |
| МОП-структура с алюминиевыми затворами | aluminum-gate MOS |
| МОП-структура с барьером Шотки | Schottky-barrier MOS |
| МОП-структура с высокой степенью интеграции | high-density MOS |
| МОП-структура с высокой термостойкостью | refractory gate MOS |
| МОП-структура с высокой термостойкостью | refractory metal-oxide-semiconductor |
| МОП-структура с высокой термостойкостью | refractory MOS |
| МОП-структура с горизонтальным переключением | horizontal switching MOS |
| МОП-структура с двумя слоями поликремния | double polysilicon MOS |
| МОП-структура с двумя слоями поликремния | double-polysilicon MOS |
| МОП-структура с двумя слоями поликремния | double poly MOS |
| МОП-структура с диэлектрической изоляцией | dielectric isolated MOS |
| МОП-структура с диэлектрической изоляцией | dielectric-insulated MOS |
| МОП-структура с диэлектрической изоляцией | dielectric insulated MOS |
| МОП-структура с затворами Шотки | Schottky-barrier MOS |
| МОП-структура с затвором из тугоплавкого металла | refractory metal-oxide-semiconductor |
| МОП-структура с затвором из тугоплавкого металла | refractory gate MOS |
| МОП-структура с изолированным затвором | insulated gate MOS |
| МОП-структура с изолированным металлическим затвором | metal-insulator-oxide-semiconductor |
| МОП-структура с изолированными затворами | isolated gate MOS |
| МОП-структура с изолированными затворами | insulated-gate MOS |
| МОП-структура с изолированными затворами | isolated-gate MOS |
| МОП-структура с изолированными затворами | insulated gate MOS |
| МОП-структура с изоляцией из окиси кремния и окиси алюминия | metal-alumina-oxide semiconductor |
| МОП-структура с ионной имплантацией | ion implanted MOS |
| МОП-структура с ионной имплантацией | ion-metal-oxide-semiconductor |
| МОП-структура с использованием локального окисления | local-oxidation complementary MOS |
| МОП-структура с каналом р-типа | p-channel metal oxide semiconductor |
| МОП-структура с каналом n-типа | n-channel metal-oxide-semiconductor |
| МОП-структура с кремниевым затвором | silicon-gate-oxide-semiconductor |
| МОП-структура с кремниевым затвором | silicon gate MOS |
| МОП-структура с кремниевыми затворами | silicon-gate technology MOS |
| МОП-структура с кремниевыми затворами | silicon-gate MOS |
| МОП-структура с лавинной инжекцией и плавающим затвором | floating gate avalanche injection metal-oxide-semiconductor |
| МОП-структура с локальным окислением | local-oxidation MOS |
| МОП-структура с локальным окислением | local oxidation MOS |
| МОП-структура с металлическими затворами | metal-gate MOS |
| МОП-структура с микронными размерами элементов | micron MOS |
| МОП-структура с микронными размерами элементов | micrometer MOS |
| МОП-структура с нижним затвором | back gate MOS |
| МОП-структура с нижними затворами | back-gate MOS |
| МОП-структура с V-образной канавкой | V MOS |
| МОП-структура с V-образной канавкой | V-groove MOS |
| МОП-структура с V-образной канавкой | V-groove metal-oxide-semiconductor |
| МОП-структура с V -образными канавками | VMOS structure |
| МОП-структура с V -образными канавками | V-groove MOS structure |
| МОП-структура с плавающим затвором | floating gate structure |
| МОП-структура с плавающим затвором | floating gate MOS structure |
| МОП-структура с плавающими затворами | floating-gate MOS |
| МОП-структура с поверхностными затворами | surface-gate MOS |
| МОП-структура с поверхностными затворами | surface gate MOS |
| МОП-структура с примесями, введенными методом ионной имплантации | ion implanted MOS |
| МОП-структура с примесями, введенными методом ионной имплантации | ion-metal-oxide-semiconductor |
| МОП-структура с пропорционально уменьшенными размерами элементов | scaled-down MOS |
| МОП-структура с пропорционально-уменьшенными размерами элементов | scaled MOS |
| МОП-структура с регулируемым пороговым напряжением | adjustable-threshold MOS |
| МОП-структура с регулируемым порогом | adjustable threshold MOS |
| МОП-структура с резистивными затворами | resistive-gate MOS |
| МОП-структура с самосовмещённым затвором | self-aligned gate MOS |
| МОП-структура с самосовмещённым затвором | self aligned-gate metal-oxide-semiconductor |
| МОП-структура с самосовмещёнными затворами | self-aligned gate metal-oxide-semiconductore self-aligned gate MOS |
| МОП-структура с самосовмещёнными поликремниевыми затворами | polysilicon self-aligned MOS |
| МОП-структура с самосовмещёнными поликремниевыми затворами | poly self-aligned MOS |
| МОП-структура с субмикронными размерами элементов | submicron MOS |
| МОП-структура с субмикронными размерами элементов | submicrometer MOS |
| МОП-структура с тремя слоями поликремния | triple-polysilicon MOS |
| МОП-структура с тремя слоями поликремния | triple-poly MOS |
| МОП-структура с тугоплавкими электродами затвора | refractory MOS |
| МОП-структура с углублённой оксидной изоляцией | buried oxide MOS |
| МОП-структура с углублённым оксидным слоем | buried oxide MOS |
| МОП-структура с углублённым оксидным слоем | buried-oxide MOS |
| МОП-структура с удлинённым каналом | long MOS |
| МОП-структура с улучшенными характеристиками | high-performance metal-oxide-semiconductor |
| МОП-структура с улучшенными характеристиками | high-performance MOS |
| МОП-структура с уменьшенными размерами элементов | XMOC scaled-down metal-oxide-semiconductor |
| МОП-структура с управляющим p-n- переходом | junction-gate MOS |
| МОП-структура с управляющим p-n переходом | junction gate MOS |
| МОП-структура с электронно-лучевой адресацией | beam-addressed MOS |
| МОП-структура со скрытым каналом | buried channel MOS |
| МОП-структура со скрытым оксидом | buried-oxide MOS |
| МОП-структура со скрытым оксидом | buried-oxide MOS structure |
| МОП-структура типа "кремний на сапфире" | metal-oxide-semiconductor/silicon-on-sapphire |
| МОП-структура типа "кремний на сапфире" | MOS silicon-on-sapphire |
| МОП-структура, формируемая методом двойной диффузии | double-diffused MOS structure |
| МОП-структура, формируемая методом двойной диффузии | double-diffused MOS |
| МОП-структура, формируемая методом двойной ионной имплантации | double-implanted MOS |
| МОП-структура, формируемая методом ионной имплантации | ion-implanted MOS |
| МОП-структура, формируемая методом четырёхкратного совмещения | quadruple self-aligned MOS |
| МОП-схемы с микронными размерами элементов | micron MOS |
| МОП-схемы с микронными размерами элементов | micrometer MOS |
| МОП-технология | MOS process |
| МОП-технология | MOS technology (изготовления) |
| МОП-технология | metal-oxide-semiconductor technology (изготовления) |
| МОП-технология | MOSFET process |
| МОП-технология | bi-FET technology (изготовления) |
| МОП-транзистор | metal-nitride-oxide-semiconductor transistor |
| МОП-транзистор | metal-oxide-semiconductor FET |
| МОП-транзистор | MOS device |
| МОП-транзистор | MOS transistor |
| n-МОП-транзистор | n-channel MOS transistor |
| МОП-транзистор, изготовленный методом двойной диффузии | double-diffused MOS transistor |
| МОП-транзистор, изготовленный методом двойной диффузии | double-diffused MOS |
| МОП-транзистор, изготовленный методом двойной диффузии | double diffused metal-oxide-semiconductor |
| МОП-транзистор на основных носителях | accumulation MOSFET |
| МОП-транзистор, работающий в режиме обеднения | depletion MOS |
| МОП-транзистор, работающий в режиме обогащения | enhancement-mode metal-oxide-semiconductor field-effect transistor |
| МОП-транзистор, работающий в режиме обогащения | enhancement MOS FET |
| МОП-транзистор, работающий в режиме обогащения | enhancement MOS |
| МОП-транзистор с анодированным затвором | anodized MOSFET |
| МОП-транзистор с анодно-оксидированным изолирующим слоем | anodized MOSFET |
| МОП-транзистор с горизонтальным каналом | lateral MOSFET |
| МОП-транзистор с двойным поликремниевым затвором | double-polysilicon MOS transistor |
| МОП-транзистор с двойным поликремниевым затвором | double-poly MOS transistor |
| МОП-транзистор с длинным каналом | long MOS |
| МОП-транзистор с каналом р-типа | p-channel MOS transistor |
| МОП-транзистор с каналом n-типа | n-type metal-oxide-semiconductor transistor |
| МОП-транзистор с каналом n- типа | n-channel MOS transistor |
| МОП-транзистор с каналом p- типа | p-channel MOS transistor |
| МОП-транзистор с каналом n-типа | n-channel MOS transistor |
| МОП-транзистор с кремниевым затвором | silicon-insulated-gate FET |
| МОП-транзистор с кремниевым затвором | silicon-gate MOS transistor |
| МОП-транзистор с накоплением заряда | accumulation MOSFET |
| МОП-транзистор с V-образной канавкой | V-groove MOS transistor |
| МОП-транзистор с v- образной канавкой | V-groove MOS transistor |
| МОП-транзистор с V-образной канавкой | V- MOS transistor |
| МОП-транзистор с "плавающим" затвором и лавинной инжекцией заряда | floating gate avalanche injection metal-oxide-semiconductor |
| МОП-транзистор с регулируемым пороговым напряжением | adjustable threshold MOS |
| МОП-транзистор с тугоплавким электродом затвора | refractory MOS transistor |
| МОП-транзистор с углублённым оксидом | buried-oxide MOS transistor |
| МОП-транзистор с управляющим p-n- переходом | bipolar MOS field-effect transistor |
| МОП-транзистор с управляющим p-n- переходом | bipolar MOSFET |
| МОП-транзистор с управляющим p-n- переходом | bipolar MOS-field-effect transistor |
| МОП-транзистор с управляющим p-n переходом | bipolar function MOSFET |
| МОП-транзистор со сложной геометрией | maze-geometry MOS transistor |
| МОП-транзисторы, работающие в режиме обогащения и обеднения | enhancement/depletion MOS |
| МОП-транзисторы с управляющим p-n переходом | junction gate MOSFET |
| мощный МОП-прибор | power MOS device |
| мощный МОП-прибор | power MOS |
| мощный МОП-транзистор с вертикальной геометрией и V-образной канавкой | V-groove vertical-geometry power MOS transistor |
| низкопороговая МОП-структура | low-threshold MOS |
| обедненный МОП-транзистор | depletion MOS |
| обеднённый МОП-транзистор | depletion MOS transistor |
| обогащённый МОП-транзистор | enhancement MOS transistor |
| обогащённый МОП-транзистор | enhancement MOS |
| объединение биполярных и МОП-транзисторов на одном кристалле | right-scale integration |
| п- МОП-структура | n-channel MOS (канальная) |
| переключатель на МОП-и "металл-диэлектрик-полупроводник" структурах | MOS metal-insulator-silicon switch |
| планарная МОП-структура с горизонтальным каналом | lateral-planar MOS |
| полевой инфракрасный МОП-фототранзистор | infrared sensing metal-oxide-semiconductor field-effect transistor |
| полевой МОП-транзистор | MOS field-effect transistor |
| полевой МОП транзистор | metallic-oxide semiconductor field-effect transistor |
| полевой МОП-транзистор | metal oxide semiconductor field effect transistor |
| полевой МОП-транзистор, изготовленный методом двойной ионной имплантации | double-implanted metal-oxide-semiconductor field-effect transistor |
| полевой МОП-транзистор, работающий в режиме обогащения | enhancement-mode metal-oxide-semiconductor field-effect transistor |
| полевой МОП-транзистор, работающий в режиме обогащения | enhancement MOS FET |
| полевой МОП-транзистор с вертикальной структурой | vertical MOS field-effect transistor |
| полевой МОП-транзистор, чувствительный к инфракрасному излучению | infrared sensing metal-oxide-semiconductor field-effect transistor |
| полевой транзистор с МОП структурой затвора | metal oxide semiconductor field effect transistor |
| полевой транзистор с МОП структурой затвора | MOS field-effect transistor |
| полевой транзистор с МОП-структурой, образованной анодированием металла | anodized MOSFET |
| полупроводниковый прибор с вертикальной МОП-структурой | vertical metal-oxide semiconductor |
| прибор на биполярных и МОП-транзисторах | bipolar metal-oxide-semiconductor |
| прибор с МОП-структурой и электроннолучевой адресацией | beam addressed MOS |
| прибор с МОП-структурой и электроннолучевой адресацией | beam addressable MOS memory |
| прибор с МОП-структурой и электроннолучевой адресацией | beam accessed metal-oxide-semiconductor |
| процесс изготовления МОП-памяти с плавающими затворами | floating gate tunnel oxide |
| р-МОП ИС, выполненная методом ионной имплантации | ion-implanted p-type MOS (IIP MOS) |
| р-МОП-структура | p-channel metal oxide semiconductor |
| р-МОП-транзистор | p-channel MOS transistor |
| резистор на МОП-структуре | metal-oxide-semiconductor resistor |
| р-канальная МОП-структура | p-channel metal oxide semiconductor |
| р-канальные МОП-ИС с самосовмещёнными затворами | self-registered gate p-channel MOS |
| самосовмещённая МОП-структура | self-aligned MOS |
| серия комплементарных больших интегральных схем типа МОП | maximum complementary MOS |
| синхронизированная ИС на комплементарных МОП-транзисторах | clocked complementary metal-oxide-semiconductor |
| синхронизированная ИС на комплементарных МОП-транзисторах | clocked complementary MOS |
| схема на МОП-транзисторах с обедненными нагрузками | enhancement-depletion MOS (обогащённых) |
| технология двухдиффузионных МОП-структур | double-diffusion metal oxide semiconductor technology |
| технология двухдиффузионных МОП-структур | double-diffused MOS technology |
| технология изготовления БИС на МОП-транзисторах | LSI MOS technology |
| технология изготовления высококачественных МОП ИС | high-performance metal-oxide-semiconductor |
| технология изготовления высококачественных МОП ИС | high-performance MOS |
| технология изготовления интегральная схема на биполярных и МОП-транзисторах | bipolar metal-oxide-semiconductor |
| технология изготовления интегральных схем на МОП-структурах | metal-oxide-semiconductor technology |
| технология изготовления интегральных схем на МОП-структурах | MOS technology |
| технология изготовления МОП интегральных схем с толстым защитным слоем оксида кремния | local oxidation of silicon |
| технология изготовления МОП ИС с кремниевыми затворами | silicon-gate technology |
| технология изготовления МОП ИС с поликремниевыми затворами | polysilicon-gate technology |
| технология изготовления МОП ИС с самосовмещёнными поликремниевыми затворами | polysilicon self-aligned technology |
| технология изготовления МОП-структур методом двойной диффузии | double-diffusion metal oxide semiconductor technology |
| технология изготовления МОП-структур методом двойной диффузии | double-diffused MOS technology |
| технология изготовления МОП-структур с высокой плотностью упаковки | high-density MOS technology |
| технология изготовления МОП-структур с двойной диффузией | double-diffused MOS technology |
| технология изготовления МОП-транзисторов со скрытым каналом | buried-channel MOS technology |
| технология интегральных схем на биполярных и МОП-транзисторах с кремниевым затвором | silicon-gate MOS bipolar technology |
| технология ИС на биполярных и МОП-транзисторах | bi-FET technology |
| технология p-канальных МОП ИС | p-channel technology (изготовления) |
| технология n-канальных МОП ИС | n-channel technology (изготовления) |
| технология комплементарных МОП ИС | complementary metal-oxide-semiconductor technology |
| технология комплементарных МОП ИС | CMDS technology |
| технология n-МОП-БИС с металлическими самосовмещёнными затворами и поликремнёвыми соединениями | self-aligned, polysilicon interconnect N-channel process |
| технология МОП интегральных схем с кремниевым затвором | silicon-gate-technology |
| технология МОП ИС с кремниевыми затворами | silicon-gate technology (изготовления) |
| технология МОП ИС с кремниевыми затворами | silicon-gate process (поли) |
| технология МОП ИС с кремниевыми затворами | silicon-gate MOS process (поли) |
| технология МОП ИС с низкий пороговым напряжением | low-voltage technology |
| технология МОП ИС с поликремниевыми затворами | polysilicon-gate isolation technology (изготовления) |
| технология МОП-ИС с самосовмещённым затвором и толстым оксидным слоем | self-aligned thick-oxide process |
| технология МОП-ИС с самосовмещёнными затворами | self-registered gate |
| технология МОП ИС с самосовмещёнными поликремниевыми затворами | polysilicon self-aligned technology (изготовления) |
| технология МОП-структур с двумя слоями поликристаллического кремния | double-layer polysilicon technique |
| технология МОП-транзисторов со скрытым каналом | buried channel MOS technology (изготовления) |
| технология производства интегральных схем на комплементарных МОП-транзисторах | complementary MOS technology |
| технология производства интегральных схем по комплементарной МОП-технологии с двумя слоями поликристаллического кремния | double-polysilicon complementary metal-oxide semiconductor technology |
| технология производства МОП БИС фирмы "Телефункен" | Telefunken MOS process |
| технология производства схем на МОП-структурах с V-образными канавками | V-groove MOS technology |
| транзистор с МОП-структурой | MOS transistor |
| триак с МОП-структурой | Triac MOS device |
| трёхмерная МОП-структура | three-dimensional MOS |
| усовершенствованная технология МОП-ИС с самосовмещёнными поликремнёвыми затворами | advanced polysilicon self-aligned process |
| четырёхкратная саморегулирующаяся МОП-технология | quadruple self-aligned MOS technology (QSA MOS) |
| электрически программируемое постоянное запоминающее устройство на МОП-структурах | metal-oxide-semiconductor electrically-alterable read-only memory (MOS EAROM) |
