 |
|
link 26.02.2007 7:51 |
|
Subject: interface states of deposited films - химия Сорри, приходится повторять из-за невидимости поста:Статья из научно-популярного журнала о качестве нитрид-кремниевого перехода пленок, осаждаемых на кремниевую подложку для солнечных элементов - "Due to presence of N and O atoms, the interface states at interfaces Si-SiN are Si dangling bond defects back bonded with atoms Si, N и/или О. Мой перевод: "Благодаря присутствию атомов азота и кислорода переходные состояния Si-SiN переходов характеризуются недостатками свободных связей из-за дативного взаимодействия атомов Si, N и/или О. Верно ли? Спасибо. |
| Границы Si-SiN характеризуются наличием свободной (не задействованной) связи атома кремния (дело в том, что атом кремния имеет возможность образовывать 4 связиЮ а атом азота - только три, поэтому четвертая связь кремния остается "висячей", не задействованной, что определяет свойства этой границы раздела) |
| Поверхностные состояния на границе Si-SiN -- это дефекты, образованные взаимодействием атомов кремния, азота и кислорода со свободными связями атомов кремния |
|
link 26.02.2007 17:34 |
| Еще раз спасибо. |
| You need to be logged in to post in the forum |