DictionaryForumContacts

   English
Terms for subject Microelectronics containing of | all forms | exact matches only
EnglishRussian
accessibility and dissemination of dataобеспечение доступа и распространение данных
achromatization of hologramахроматизация голограммы
adjoint of a matrixэрмитово сопряжённая матрица
adjoint of a matrixсопряжённая матрица
administration of testsаттестация тестов
aspect ratio of resistorразмер резистора
aspect ratio of resistorформат резистора (ИС)
Back End Of Lineзавершающие операции обработки полупроводниковых пластин (включая металлизацию malafeev)
band theory of solidsзонная теория твёрдых тел
bed of nailsплата со штырьками типа ложе с гвоздями
behavior of circuit designповедение на этапе электрического расчёта
build-up of oscillationустановление генерации
channelless sea of gatesбесканальное море вентилей
choice of a DSP processorвопрос выбора процессора цифровой обработки сигналов (ssn)
choice of a DSP processorвопрос выбора процессора ЦОС (ssn)
choice of a DSP processor for a given applicationвопрос выбора процессора цифровой обработки сигналов для конкретного приложения (ssn)
choice of a DSP processor for a given applicationвопрос выбора процессора ЦОС для конкретного приложения (ssn)
circle of confusionкружок нерезкости
collection of modulesнабор модулей
completeness of testполнота теста
computational complexity of the filter implementationвычислительная сложность реализации фильтра (ssn)
correctness of designed circuitsправильность проектируемых схем
cost-of-error factorпоказатель стоимости сбоя
degree of modulationкоэффициент модуляции
degree of polarizationстепень поляризации
depth of grooveглубина штриха
depth of modulationглубина модуляций
digitizing of manually prepared layoutsоцифровывание подготовленных вручную топологических эскизов
disable time of a 3-state output from high levelвремя задержки распространения сигнала при переходе в состояние "выключено" из состояния высокого уровня (динамический параметр тристабильной логической ИС ssn)
disable time of a 3-state output from high levelвремя задержки распространения сигнала при переходе в высокоимпедансное состояние из состояния высокого уровня (динамический параметр тристабильной логической ИС ssn)
disable time of a 3-state output from high levelвремя запрета срабатывания при переходе в высокоимпедансное состояние из состояния высокого уровня (в тристабильных логических ИС ssn)
disable time of a 3-state output from high levelвремя запрета срабатывания при переходе в состояние "выключено" из состояния высокого уровня (в тристабильных логических ИС ssn)
disable time of a 3-state output from low levelвремя запрета срабатывания при переходе в высокоимпедансное состояние из состояния низкого уровня (в тристабильных логических ИС ssn)
disable time of a 3-state output from low levelвремя задержки распространения сигнала при переходе в состояние "выключено" из состояния низкого уровня (динамический параметр тристабильной логической ИС ssn)
disable time of a 3-state output from low levelвремя задержки распространения сигнала при переходе в высокоимпедансное состояние из состояния низкого уровня (динамический параметр тристабильной логической ИС ssn)
disable time of a 3-state output from low levelвремя запрета срабатывания при переходе в состояние "выключено" из состояния низкого уровня (в тристабильных логических ИС ssn)
discharge of holesрассасывание дырочных зарядов
distortion of energy bandsискривление энергетических зон
dynamically program the function of the transistorдинамически программировать функцию транзистора (Alex_Odeychuk)
edge of boardкромка печатной платы
enable time of a 3-state output to high levelвремя задержки распространения сигнала при переходе из состояния "выключено" в состояние высокого уровня (динамический параметр тристабильной логической ИС ssn)
enable time of a 3-state output to high levelвремя разрешения срабатывания при переходе из высокоимпедансного состояния в состояние высокого уровня (в тристабильных логических ИС ssn)
enable time of a 3-state output to high levelвремя задержки распространения сигнала при переходе из высокоимпедансного состояния в состояние высокого уровня (динамический параметр тристабильной логической ИС ssn)
enable time of a 3-state output to high levelвремя разрешения срабатывания при переходе из состояния "выключено" в состояние высокого уровня (в тристабильных логических ИС ssn)
enable time of a 3-state output to low levelвремя задержки распространения сигнала при переходе из высокоимпедансного состояния в состояние низкого уровня (динамический параметр тристабильной логической ИС ssn)
enable time of a 3-state output to low levelвремя разрешения срабатывания при переходе из высокоимпедансного состояния в состояние низкого уровня (в тристабильных логических ИС ssn)
enable time of a 3-state output to low levelвремя задержки распространения сигнала при переходе из состояния "выключено" в состояние низкого уровня (динамический параметр тристабильной логической ИС ssn)
enable time of a 3-state output to low levelвремя разрешения срабатывания при переходе из состояния "выключено" в состояние низкого уровня (в тристабильных логических ИС ssn)
end-of-life limitsзначения параметров к концу срока службы прибора
enhancement of approachрасширение возможностей метода
epoxy configuration of lead frameформа площадки для прикрепления кристалла эпоксидным клеем
etching of windowвскрытие окна травлением (key2russia)
etching of windowтравление окна (key2russia)
etching of windowтравление контактного окна (key2russia)
evolution of delay specificationsразвитие спецификаций задержки (ssn)
fogging of emulsionпомутнение фотоэмульсии
goodness-of-fit testпроверка адекватности
grid of wire tracksсетка токопроводящих дорожек
healing of poresзалечивание пор (вовка)
implementation of FIR filterреализация фильтра с конечной импульсной характеристикой (ssn)
implementation of FIR filterреализация КИХ-фильтра (ssn)
ingress of contaminantsпроникновение загрязнений
interconnectivity of componentsмежсвязность компонентов
intrinsic charging behavior of dielectricповедение диэлектрика при внутренней зарядке (semfromshire)
library of layoutsбиблиотека топологий
line of contactлиния контакта
line-out-of-service signalсигнал, оповещающий о выходе канала
logic/gate level of QCуровень логических элементов квантовой схемы (Alex_Odeychuk)
loss of silicon areaпроигрыш в использовании кремниевого кристалла
multiphoton ionization time-of-flight mass spectroscopyмногофотонная ионизационная времяпролётная масс-спектроскопия
nesting of componentsразмещение компонентов
of-the-shelf softwareстандартное программное обеспечение
out-of-plane distortionвнеплоскостная деформация
out of syncрассинхронизированный (Alex_Odeychuk)
out-of-tolerance componentкомпонент с параметрами, выходящими за пределы допуска
out-of-tolerance partкомпонент с превышенным допуском
process of removing fusesпроцесс удаления плавких перемычек (ssn)
profile of etch featureпрофиль травления элемента
range of coverageперекрываемый диапазон
range of electronsдлина пробега электронов
rejection of impurityвытеснение примеси
relaxed restrictions of assignmentослабленные ограничения на порядок присвоения
resolution of fault locationглубина поиска дефекта
runaway of electronубегание электронов
saturation of maserнасыщение мазера
sawing of a dieрезка кристалла (semfromshire)
sea-of-cellsморе ячеек
sea of gatesморе вентилей
sea-of-gatesморе вентилей
sea of gates approachметод базового кристалла типа море вентилей
sensitive input of gateактивный вход логического элемента
separation of modesразнесение мод
set of peripheral interface unitsнабор периферийных интерфейсов (Alex_Odeychuk)
shaded area of maskнепрозрачный участок фотошаблона
shift of modeсдвиг моды
shift rate of actuation voltagesуровень сдвига напряжения активации (semfromshire)
source of exposureоблучатель
speed of instrumentбыстродействие прибора
stack of bladesнабор режущих дисков
stack of layersстек слоёв (печатной платы I. Havkin)
strength of nodal stateлогическая сила состояния узла
strength of valueлогическая сила сигнала
stress cracking of linesразрыв соединений за счёт механических напряжений
survey of bit-sliced microprocessor setsобзор секционированных микропроцессорных комплектов (ssn)
tailoring of edge profileподгонка краевого профиля
tapering of windowсглаживание контактных окон (key2russia)
tapering of windowсглаживание контактного окна (key2russia)
terminal characteristics of deviceвнешние характеристики прибора
uniform accumulation of chargeравномерное накопление зарядов (semfromshire)
variation of the transversal structureразновидность трансверсальной структуры (ssn)
way of connectionспособ подключения (вовка)