German ⇄ Bulgarian Catalan Chinese Czech Danish Dutch English Estonian Finnish French Greek Hungarian Italian Japanese Latvian Lithuanian Maltese Polish Portuguese Romanian Russian Serbian Serbian Latin Slovak Slovene Spanish Swedish Ukrainian

German	Russian
A-D-Umsetzer nach dem Charge-Balancing-Verfahren	АЦП компенсационного интегрирования
A-D-Umsetzer nach dem Verfahren der sukzessiven Approximation	АЦП последовательных приближений
A-D-Umsetzer nach dem Verfahren der sukzessiven Approximation	АЦП поразрядного уравновешивания
Auto-Zero-Verfahren	метод коммутационной автокоррекции нуля
Base-Diffusion-Isolation-Verfahren	метод базовой изолирующей диффузии
Base-Diffusion-Isolation-Verfahren	метод изоляции элементов ИС базовой диффузией
Base-Diffusion-Isolation-Verfahren	БИД-технология
BDI-Verfahren	метод базовой изолирующей диффузии
BDI-Verfahren	метод изоляции элементов ИС базовой диффузией
BDI-Verfahren	БИД-технология
beam-lead-Verfahren	технология ИС с балочными выводами
Bildvervielfältigung nach dem Step-und-Repeat-Verfahren	метод последовательной шаговой мультипликации (изображений)
Bit-Image-Verfahren	метод поэлементного отображения
Bit-Image-Verfahren	метод побитового отображения
Bridgeman-Verfahren	метод выращивания монокристаллов по Бриджмену
Bridgeman-Verfahren	метод Бриджмена
Bridgman-Verfahren	кристаллизация методом Бриджмена
CDI-Verfahren	метод изоляции элементов ИС коллекторной диффузией
CDI-Verfahren	метод коллективной изолирующей диффузии
CDI-Verfahren	КИД-технология
Collector-Diffusion-Isolation-Verfahren	метод изоляции элементов ИС коллекторной диффузией
Collector-Diffusion-Isolation-Verfahren	метод коллективной изолирующей диффузии
Collector-Diffusion-Isolation-Verfahren	КИД-технология
controlled-collapse-Verfahren	метод управляемого совмещения (столбиковых выводов перевёрнутого кристалла с контактными площадками подложки)
controlled-collapse Verfahren	метод управляемого совмещения (столбиковых выводов перевёрнутого кристалла с контактными площадками подложки)
CVD-Verfahren	метод химического осаждения из паровой фазы
CVD-Verfahren	метод химического осаждения из газовой фазы
Czochalski-Verfahren	кристаллизация методом Чохральского
Czochalski-Verfahren	метод выращивания по Чохральскому
Czochalski-Verfahren	выращивание по методу Чохральского
Czochralski-Verfahren	метод вытягивания кристаллов по Чохральскому
Czochralski-Verfahren	метод выращивания кристаллов по Чохральскому
Diffusions-Legierungs-Verfahren	метод диффузия-сплавление
DMIS-Verfahren	технология двухдиффузионных МДП-структур
DMIS-Verfahren	технология МДП ИС с применением метода двойной диффузии
DMIS-Verfahren	двухдиффузионный метод получения МДП-структур
DMIS-Verfahren	ДМДП-технология
DMOS-Verfahren	технология изготовления двухдиффузионных МОП-транзисторов
DMOS-Verfahren	технология МОП ИС с применением метода двойной диффузии
DMOS-Verfahren	ДМОП-технология
Dual-Slope-Verfahren	метод двухтактного интегрирования
Dual-Slope-Verfahren	метод двухкратного интегрирования
EBIC-Verfahren	метод контроля ИС по величине эдс тока, индуцированного электронным лучом
EMK EBIC-Verfahren	метод контроля ИС по величине эдс тока, индуцированного электронным лучом
EPIC-Verfahren	ЭПИК-технология
EPIC-Verfahren	ЭПИК-процесс (метод изоляции элементов ИС)
Fill-and-spill-Verfahren	процесс записи и сброса информационных зарядов (в ПЗС)
Finite-Elemente-Verfahren	метод конечных элементов
Flip-Chip-Verfahren	монтаж методом перевёрнутого кристалла
Flip-Chip-Verfahren	метод перевёрнутого кристалла
flip-chip-Technik Flip-Chip-Technik Flip-Chip-Verfahren	монтаж методом перевёрнутого кристалла
flip-chip-Technik Flip-Chip-Technik Flip-Chip-Verfahren	метод перевёрнутого кристалла
Floating-Zone-Verfahren	метод бестигельной зонной плавки
Foto-EMK-Verfahren	метод фото-эдс
Fotolithografie nach dem Step-and-Repeat-Verfahren	фотолитография с последовательным шаговым экспонированием
fotolithografisches Verfahren	фотолитографический метод
fotolithografisches Verfahren	метод фотолитографии
galvanisches Verfahren	гальванический метод
horizontales Temperatur-Gradienten-Verfahren	метод горизонтального выращивания кристаллов под действием движущегося градиента температуры
LEC-Verfahren	выращивание монокристаллов GaAs и InAs методом Чохральского с обволакиванием расплава инертной жидкостью
Legierungs-Diffusions-Verfahren	метод вплавления-диффузии
Lift-off-Verfahren	метод обратной фотолитографии
LOCOS-Verfahren	технология МОП ИС с толстым слоем оксидной изоляции
LPE-Verfahren	метод эпитаксии из жидкой фазы
LPE-Verfahren	метод жидкофазной эпитаксии
Magnetfeld-LEC-Verfahren	метод Чохральского с обволакиванием расплава инертной жидкостью в магнитном поле
MCVD-Verfahren	модифицированный метод химического осаждения из паровой фазы
MCVD-Verfahren	модифицированный метод химического осаждения из газовой фазы
Mesa-Verfahren	меза-способ
Micromatrix-Verfahren	метод соединений при использовании микроматричных структур
Micromatrix-Verfahren	метод межсоединений при использовании микроматричных структур
MOCVD-Verfahren	метод химического осаждения из паров металлоорганических соединений
modifiziertes CVD-Verfahren	модифицированный метод химического осаждения из паровой фазы
modifiziertes CVD-Verfahren	модифицированный метод химического осаждения из газовой фазы
NRZ-Verfahren	способ записи без возвращения к нулю
NRZ-Verfahren	запись без возвращения к нулю
Parallel-Faltungs-Verfahren	параллельный метод аналого-цифрового преобразования с прямой логической свёрткой
Parallel-Kaskaden-Verfahren	параллельно-последовательный метод аналого-цифрового преобразования
PED-Verfahren	метод протонно-стимулированной диффузии
PLANOX-Verfahren	'Планокс'-технология
PLANOX-Verfahren "	Планокс" процесс
PLANOX-Verfahren	'Планокс'-процесс
PLANOX-Verfahren	технология МДП ИС с защитным оксидным слоем на поверхности подложки
PLANOX-Verfahren	Планокс технология
Proximity-Verfahren	метод экспонирования на микрозазоре
Proximity-Verfahren	метод фотолитографии с микрозазором
PVD-Verfahren	метод термовакуумного осаждения из паровой фазы
rate-growth-Verfahren	метод выращивания с переменной скоростью
RMIS-Verfahren	технология МДП-транзисторов с самосовмещёнными затворами из тугоплавких металлов
R/MIS-Verfahren	технология МДП-транзисторных ИС с самосовмещёнными затворами из тугоплавких металлов
R/MIS-Verfahren	технология МДП-транзисторов с самосовмещёнными затворами из тугоплавких металлов
RMIS-Verfahren	технология МДП-транзисторных ИС с самосовмещёнными затворами из тугоплавких металлов
RZ-Verfahren	запись с возвращением к нулю
SAC~MOS-Verfahren	технология получения КМОП-структур с самосовмещёнными затворами
SAC~MOS-Verfahren	технология КМОП ИС с самосовмещёнными затворами
SACMOS-Verfahren	технология получения КМОП-структур с самосовмещёнными затворами
SACMOS-Verfahren	технология КМОП ИС с самосовмещёнными затворами
SBC-Verfahren	базовая технология ИС на биполярных транзисторах со скрытым коллекторным слоем
selbstjustierendes Verfahren	технология изготовления МОП-транзисторных ИС с самосовмещёнными затворами
selbstjustierendes Verfahren	метод самосовмещения
Silizium-auf-Spinell-Verfahren	выращивание кремния на шпинели
Step-and-Repeat-Verfahren	метод последовательного шагового экспонирования
Step-and-Repeat-Verfahren	метод литографии с последовательным шаговым экспонированием
Step-und-Repeat-Verfahren	метод последовательного шагового экспонирования
Step-und-Repeat-Verfahren	метод литографии с последовательным шаговым экспонированием
Stripping-Verfahren	метод удаления (напр., фоторезиста)
Stripping-Verfahren	метод снятия
Temperatur-Gradienten-Verfahren	метод выращивания кристаллов под действием движущегося градиента температуры
Thomas-Fermi-Verfahren	метод Томаса-Ферми
Token-Passing-Verfahren	метод эстафетной передачи маркёра (в локальных вычислительных сетях)
Token-Passing-Verfahren	метод эстафетного доступа
Top-Down-Verfahren	метод нисходящего проектирования
VAD-Verfahren	метод аксиального осаждения из паровой фазы
VAD-Verfahren	метод аксиального осаждения из газовой фазы
V-ATE-Verfahren	метод изоляции элементов ИС V-канавками
V-ATE-Verfahren	технология изготовления МДП-транзисторных или биполярных ИС с V-образными изолирующими канавками
V-ATE-Verfahren	метод изоляции элементов ИС V-образными канавками
V-ATE-Verfahren	метод вертикального анизотропного травления
Vektorscan-Verfahren	метод электронолитографии с векторным сканированием
Vektorscan-Verfahren	метод векторного сканирования
Verneuil-Verfahren	метод кристаллизация в пламени
Verneuil-Verfahren	выращивание по методу Вернейля
Verneuil-Verfahren	метод Вернейля
VLE-Verfahren	парофазная эпитаксия с применением воздушной подушки (в качестве опоры для полупроводниковых пластин)
VLE-Verfahren	газофазная эпитаксия с применением воздушной подушки (в качестве опоры для полупроводниковых пластин)
Zonen-Floating-Verfahren	бестигельная зонная плавка
Zonen-Floating-Verfahren	метод бестигельной зонной плавки
Zonen-Floating-Verfahren	метод бестигельной зонной перекристаллизации
Zonenfloating-Verfahren	кристаллизация методом вертикальной бестигельной зонной плавки
Zonen-Levelling-Verfahren	кристаллизация методом зонного выравнивания
Zonen-Levelling-Verfahren	метод зонного выравнивания
Zonen-Levelling-Verfahren	метод тигельной зонной плавки с выравниванием зон
Züchten nach dem Verneuil-Verfahren	выращивание по методу Вернейля
Überdruck-MCVD-Verfahren	модифицированный метод химического осаждения из паровой фазы при избыточном давлении
Überdruck-MCVD-Verfahren	модифицированный метод химического осаждения из газовой фазы при избыточном давлении